剥离装置和剥离方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109791901A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201780060393.7

    申请日:2017-07-27

    发明人: 周启豪

    IPC分类号: H01L21/67

    CPC分类号: H01L21/67

    摘要: 一种剥离装置(10),剥离装置(10)用于剥离玻璃基板(40)和柔性基板(20),玻璃基板(40)和柔性基板(20)通过光吸收层(30)粘结,光吸收层(30)在激光的照射下粘结力减小,剥离装置(10)包括激光器(11)和滚筒(12)。激光器(11)用于发射激光,以使得激光从玻璃基板(40)的柔性基板(20)所在的一侧及自光吸收层(30)的侧边照射光吸收层(30)。滚筒(12)能够与柔性基板(20)的边缘结合,并转动和移动以卷起柔性基板(20)使柔性基板(20)从玻璃基板(40)上剥离。还公开了一种剥离方法。

    一种能够防止窜动的半导体晶圆切割装置

    公开(公告)号:CN109671654A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811606565.9

    申请日:2018-12-27

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/68

    CPC分类号: H01L21/67 H01L21/68

    摘要: 本发明涉及半导体晶圆加工技术领域,具体是一种能够防止窜动的半导体晶圆切割装置,包括底板、传送带和压板;升降板的下侧固定安装有用于对半导体晶圆切割的切割机构和用于固定半导体晶圆的按压机构,按压机构位于切割机构的右侧,且按压机构包括压板和连接机构;所述连接机构包括上连杆和下连杆,上连杆的上部与升降板固定连接,上连杆的下部开设有滑槽,下连杆的上端滑动安装在滑槽的内部,且下连杆的上端通过弹簧与滑槽固定连接,下连杆的下端与压板固定连接。本发明时刻保持半导体晶圆的稳定,提高切割效率,避免产生切割误差。

    标记位置校正装置及方法

    公开(公告)号:CN108701679A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201680082198.X

    申请日:2016-04-27

    摘要: 本发明揭露一种标记位置校正装置及方法,在对晶片上所具备的半导体芯片执行标记作业前,利用形成于透明基板的一面上的屏幕测定及校正标记的位置,由此可在标记期间标记至每个半导体芯片上的准确的位置。并且,检测到激光束的位置与由激光束而形成于屏幕上的标记地点的位置会因透明基板的折射率而彼此不同,但根据本发明概念,通过补偿透明基板的折射率来运算标记地点的位置,可准确地校正标记位置。根据实施例的校正晶片的标记位置的装置包含:位置校正用构件,其包含透明基板及设置于透明基板上的屏幕;激光头,其对屏幕照射激光束而形成标记地点;视觉照相机,其获得激光束透过屏幕及透明基板而形成的检测地点的位置信息;运算部,其利用通过视觉照相机而获得的检测地点的位置信息计算标记地点的位置信息;及控制部,其对标记地点的位置信息与设定于激光头上的标记位置信息进行比较而使标记地点与标记位置一致。

    具有废气分解器的基板处理设备及其废气处理方法

    公开(公告)号:CN108352299A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201680065212.5

    申请日:2016-10-04

    IPC分类号: H01L21/02 H01L21/67 H01L21/60

    CPC分类号: H01L21/02 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种基板处理设备及废气处理方法。在根据本发明的基板处理设备和废气处理方法中,废气分解模块可以分解从处理室排出的源气体以分解源气体的配体。此外,配体和配体已被分解的源气体通过与分别供给的O2、N2O或O3反应,可以处于稳定状态,然后可以变为包含与它们混合的反应气体的混合气体。随后,混合气体可以流入到排气泵中并且可以排出。可替换地,配体和源气体可以与反应气体混合并且可以排出。因此,配体和配体已被分解的源气体可能不与反应气体或者在排气泵中产生的热反应,并且因此,流入到排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不沉积在排气泵的内表面上。此外,堆积在排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不会爆炸。

    半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序

    公开(公告)号:CN107924826A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201580082736.0

    申请日:2015-09-28

    IPC分类号: H01L21/268

    摘要: 本发明可以提供一种能够进行均匀的基板处理的技术。本发明能够提供一种具有以下工序的技术:通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理基板的处理温度,由非接触式温度计测定直至达到处理温度的隔热板的温度变化的工序;由加热装置将在基板保持器中保持的基板加热直至处理温度,由非接触式温度计测定直至达到处理温度的基板的温度变化的工序;根据隔热板的温度变化的测定结果与基板的温度变化的测定结果,取得隔热板与基板的温度变化的相关关系的工序;基于非接触式温度计所测定的隔热板的温度与相关关系,控制加热装置来加热基板的工序。

    一种LED外延结构
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107910408A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201711104715.1

    申请日:2017-11-10

    发明人: 曹毅 曹财铭

    IPC分类号: H01L33/00 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种LED外延结构,包括底板、LED本体和衬底基片,所述底板的顶部固定连接有反应箱,并且反应箱内壁底部的两侧均固定连接有支撑腿,所述支撑腿的顶部固定连接有反应台,并且衬底基片的底部与反应台的顶部接触,所述LED本体的底部与衬底基片的顶部接触,所述反应箱内壁的一侧固定连接有加热箱,所述反应箱内壁的底部且位于支撑腿的一侧固定连接有鼓风机,并且鼓风机的出风口连通有皮管,所述皮管远离鼓风机的一端与加热箱的底部连通,本发明涉及LED外延技术领域。该LED外延结构,可以实现对于LED的外延,这样不仅扩大了其散热面积,加强了其机械强度,更好的保证工作可靠性,而且更加便于使用和安装。