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公开(公告)号：CN100541222C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200480041867.6
申请日：2004-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , B82Y25/00 , G01R15/205 , G01R33/093
Abstract: 一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件。参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。从而，可提供一种无论何时需要都能够独自校准检测器的灵敏性和分辨率的磁场检测器。
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公开(公告)号：CN110383439A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015536.7
申请日：2018-01-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到抑制在搬送薄的半导体元件时发生缺损的半导体装置。半导体装置具备：薄的半导体元件(1)，在正面侧具有表面电极(2)并在背面侧具有背面电极(3)；金属部件(4、8)，厚度是半导体元件(1)的厚度以上，形成于表面电极(2)或者背面电极(3)的至少一方；以及树脂部件(5)，使半导体元件(1)的正面的一部分露出，与金属部件(4、8)的侧面相接地包围金属部件(4、8)的周围。
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公开(公告)号：CN109643661A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780046968.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供即使在功率半导体元件的可动作温度充分高的情况下，仍具有高的可靠性的功率半导体装置。具备：功率半导体元件(1)，包括形成于第1面(1A)上的电极(2)；第1应力缓和部(6)，与电极(2)经由第1接合部(5)连接；以及布线部(8)，与第1应力缓和部(6)经由第2接合部(7)电连接。第1接合部(5)的接合强度高于第2接合部(7)的接合强度。
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公开(公告)号：CN107004653B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201580065241.7
申请日：2015-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本技术涉及一种高导热性半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备绝缘基板(13)、半导体芯片(11)、板件(3)和冷却器(20)。绝缘基板(13)具备作为绝缘板的绝缘性陶瓷(6)以及设置于绝缘性陶瓷(6)的两面的导板(5)和导板(7)。半导体芯片(11)设置于绝缘基板(13)的上表面。板件(3)接合到绝缘基板(13)的下表面。冷却器(20)接合到板件(3)的下表面。绝缘基板(13)的下表面与板件(3)的接合以及板件(3)的下表面与冷却器(20)的接合中的至少一方是经由以锡为主成分的接合件而进行的。另外，板件(3)的反复应力比这些接合件的拉伸强度小。
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公开(公告)号：CN104246445A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280072672.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R33/09 , G01B7/003 , G01B7/30 , G01D5/2451
Abstract: 本发明降低磁式位置检测装置的信号失真，得到高精度的准确的位置信息。磁式位置检测装置(100)包括磁性移动体(10)、桥接电路(20)、校正电路(30)和检测电路(40)。磁性移动体(10)以N极和S极交替出现的方式进行磁化，具有N极-S极之间的距离固定的区域。桥接电路(20)由第1、第2、第3、第4磁场检测部(2R1、2R2、2R3、2R4)构成。校正电路(30)由第5和第6磁场检测部(2R5、2R6)构成。检测电路(40)基于桥接电路的差动输出Vout检测出磁性移动体(10)的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102741661A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062969.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01D5/245
CPC classification number: G01D5/147 , G01D5/145 , G01D5/24438 , G01R29/12 , G01R33/09
Abstract: 磁式位置检测装置（10）具备磁铁（4）、形成在沿着基板（3）的假想平面上的第1~第4磁电转换元件（1A~1D）、以及由磁性体构成的磁通导向器（5）。磁通导向器（5）包括在与假想平面平行的X轴方向上隔开间隔而设置的第1以及第2突出部（9B、9A）。在从与假想平面垂直的Z轴方向观察时，在第1以及第2突出部之间的中央附近的磁通导向器（5）中设置了凹状地凹陷的中央部（MP）。在从Z轴方向观察时，第1以及第4磁电转换元件（1A、1D）以覆盖中央部（MP）的一部分的方式设置于第1以及第2突出部之间的大致中央。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第1突出部（9B）与中央部（MP）之间。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第2突出部（9A）与中央部（MP）之间。
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公开(公告)号：CN102741659A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062967.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01D5/244
CPC classification number: G01D5/2448 , G01D1/00 , G01R1/00 , H02P1/00 , H02P2201/00 , H02P2203/00
Abstract: 差动放大器（21）根据来自旋转检测电路（30）的旋转检测信号（Vde）和偏置信号（Voff），生成偏置校正信号（Vadj）。比较器（28）通过将偏置校正信号（Vadj）与阈值电压（Vth1）进行比较，输出表示比较结果的2值化信号（Vbi）。平均值信号生成电路（2）生成表示偏置校正信号（Vadj）的平均值的平均值信号（Vav）。偏置信号生成电路（3）以使平均值信号（Vav）的信号电压具有阈值电压（Vc1）与阈值电压（Vc2）之间的电压值的方式，生成偏置信号（Voff）。
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公开(公告)号：CN101603973A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810183956.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01P13/02
CPC classification number: G01P13/045 , G01D11/245 , G01P3/487
Abstract: 本发明提供一种在磁性移动体的移动位置和移动方向的检测中、能进行没有延迟等错误的正确的检测的、并进一步具有较高的环境适应能力的磁检测装置。本发明所涉及的磁检测装置中，由于磁检测传感器与磁性移动体的移动方向对应具有传感器输出信号的高电平和低电平不同的电位，计算机单元具有3个比较电路并用3个水平的比较阈值检测所述磁检测传感器的输出信号，因此能够无延迟且正确地检测磁性移动体的移动方向。
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公开(公告)号：CN115443532A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202080099260.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置(1)具有功率模块部(200)、粘合片(6)、支撑构件(7)和防流动框(8)。粘合片(6)与功率模块部(200)粘合。支撑构件(7)隔着粘合片(6)与功率模块部(200)连接。防流动框(8)被夹在功率模块部(200)与支撑构件(7)之间，并且配置于粘合片(7)的周围。粘合片(7)具有与防流动框(8)的内周面(18)相接的外周面(6c)。外周面(6c)上的内压的最大值除以内压的最小值所得的值为10以下。
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公开(公告)号：CN102478405B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201110220082.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01D5/16
CPC classification number: G01D5/147 , G01D5/2451
Abstract: 本发明提供磁式位置检测装置。可降低与磁式位置检测装置在制造上的偏差相对应的输出信号的偏差，易于制造且价廉。此外，可改善装置的特性。磁式位置检测装置包括基板、磁体、包含在基板上形成的第一至第四磁电转换元件的桥式电路、以及检测电路。基板的表面与磁体的磁化方向大体垂直，沿磁体的磁化方向来看，第二及第三磁电转换元件配置在与垂直于磁体的磁化方向且垂直于磁性移动体的移动方向的直线平行的、通过磁体的磁极的中心点的直线上或其附近，在不与磁性移动体相对的情况下，第一及第四磁电转换元件配置成使得所施加的磁场在基板表面的分量与第二及第三磁电转换元件大体相同。
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