卫星复杂桁架零件装配关系引导标记自动粘贴系统及方法

    公开(公告)号:CN119329870A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411460798.8

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 本发明提供了一种卫星复杂桁架零件装配关系引导标记自动粘贴系统及方法,包括:高性能计算机101、引导标记自动粘贴控制系统102、立体相机模块103、视觉识别模块104、零件抓取模块105、标记粘贴模块106、工作台107、引导标记打印机108和引导标记109。本发明能够自动分析复杂桁架装配关系并生成引导标记信息数据库,自动抓取桁架零件调整位姿并进行识别、自动打印装配关系引导标记并在零件指定位置处粘贴,实现引导标记粘贴过程的自动化操作,提升卫星桁架研制效率和数字化水平,为保证卫星复杂桁架的一次性装配成功提供支撑。

    基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法

    公开(公告)号:CN112071359B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202010881163.0

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法,包括:测试单元;所述测试单元包括PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元;所述PC机通过串口与上位机相连;所述上位机通过屏蔽线与下位机相连;所述下位机安放于单粒子效应模拟源或充放电模拟源的环境中;所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器受单粒子效应和充放电效应综合影响下的特征参数,如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数,并比较器件受单粒子效应辐照后对充放电效应的影响和器件受充放电辐照后对单粒子效应的影响关系。

    基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法

    公开(公告)号:CN112071359A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010881163.0

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法,包括:测试单元;所述测试单元包括PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元;所述PC机通过串口与上位机相连;所述上位机通过屏蔽线与下位机相连;所述下位机安放于单粒子效应模拟源或充放电模拟源的环境中;所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器受单粒子效应和充放电效应综合影响下的特征参数,如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数,并比较器件受单粒子效应辐照后对充放电效应的影响和器件受充放电辐照后对单粒子效应的影响关系。

    一种星用低吸收比颜料颗粒及其制备方法

    公开(公告)号:CN110835474A

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201911158351.4

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种星用低吸收比颜料颗粒及其制备方法,所述颜料颗粒包括依次设置的颗粒基体、过渡层和表面功能层;所述的颗粒基体为改性ZnO颗粒;所述过渡层为Zn2SiO4核壳结构;所述表面功能层为纳米二氧化硅层。本发明制得的低吸收比颜料为纯白色、粒径分布范围约为0.9-1.8μm、太阳吸收比≤0.08,满足质子辐照能量90keV剂量5×1015cm-2作用后太阳吸收比变化量≤0.1,满足电子辐照能量90keV剂量1×1016cm-2作用后太阳吸收比变化量≤0.09。

    热辐射性能原位检测系统及方法

    公开(公告)号:CN110672655A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201911076228.8

    申请日:2019-11-06

    Abstract: 本发明涉及热辐射性能测量技术领域内的一种热辐射性能原位检测系统,包括光源模块、光源标定模块、控制模块、样品室以及数据处理模块;光源模块,提供待测样品进行辐照实验与热辐射性能检测所需的光源;光源标定模块,用于待测样品与参考标准在同等条件下的热辐射性能参数的比对;样品室,对待测样品进行性能测试以及数据采集;控制模块包括运动控制单元与数据采集控制单元;数据处理模块,获取数据采集控制单元采集到的热辐射性能检测数据并通过处理软件处理,获得待测样品的法向半球反射率。本发明还提供了一种热辐射性能原位检测方法。本发明能真实的测量空间环境模拟对样品的热辐射性能的影响。

    介质深层充电电位和内部充电电场获取方法及存储介质

    公开(公告)号:CN110457780A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910667253.7

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 本发明提供了一种介质深层充电电位和内部充电电场获取方法及存储介质,根据转移轨道航天器各转移段的轨道参数,利用MATLAB程序将轨道参数转换为地理坐标系内的实时坐标,再使用地磁场模式IGRF转化为实时地磁坐标,代入辐射带电子环境模型,获得实时电子环境能谱;以粒子能谱为输入条件,在粒子输运模拟软件Geant4中计算介质内实时粒子沉积剂量率和注入电流密度,建立差分方程组计算介质内部实时电场强度和充电电位,识别卫星轨道转移时介质的深层放电风险。本发明能够对转移轨道航天器动态运行过程中介质深层充电电位和内部充电电场的进行计算,有效评估航天器在穿越辐射带轨道和进行轨道转移时的深层充放电风险。

    超声振动辅助金属微模压成形装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN105215246B

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201510786747.9

    申请日:2015-11-16

    Abstract: 本发明提供了一种超声振动辅助金属微模压成形装置,其包括下模座、凹模、凹模垫板、凹模固定板、顶杆、顶出螺钉、压电元件、凸模、凸模固定块、压力传感器,所述凹模固定板固设在下模座的上表面,所述凹模垫板和凹模均嵌设在凹模固定板内,所述凹模固设于凹模垫板的顶部,所述顶出螺钉穿设在下模座中央,并延伸至凹模垫板内,所述凹模的底部设有顶杆,所述凸模固定块设置于凹模固定块的顶部,所述凸模嵌设在凸模固定块的底部,所述压电元件设置于凸模的顶部,所述压力传感器设置于压电元件的顶部。本发明具有如下的有益效果:超声振动辅助金属微模压成形方法能直接成形出所要求的微模压件,避免二次加工,加工效率高,成本低。

Patent Agency Ranking