一种大带宽硅基光调制器

    公开(公告)号:CN108153001B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201611103311.6

    申请日:2016-12-05

    IPC分类号: G02F1/05

    摘要: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器,包括:基底及其上的绝缘层;n型掺杂硅层,位于所述绝缘层之上;p型掺杂硅层,位于所述n型掺杂硅层之上;铁电薄膜,位于所述p型掺杂硅层之上;其中,所述n型掺杂硅层接地,所述p型掺杂硅层接控制信号,所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起,利用铁电薄膜极化时的场强,大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度,从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器,也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂,后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单,控制方便,工艺与CMOS兼容,很适合工业推广。

    一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构

    公开(公告)号:CN112240748A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202011284773.9

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: G01B11/02 G01B11/26

    摘要: 本发明涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构,其中刚性底板的上表面固定有衬底,所述衬底上固设有一层绝缘层,所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组,所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线,且相邻的硅导线之间距离相等;所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面;所述刚性上板的下表面设置有散射光源;所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时,所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应,并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本发明能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。

    温度不敏感马赫曾德尔干涉仪
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109283616A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811501015.0

    申请日:2018-12-10

    IPC分类号: G02B6/122 G02B6/14 G02B6/293

    摘要: 本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪,包括:第一模式转换器;第二模式转换器,位于第一模式转换器的一侧,且与第一模式转换器具有间距;连接臂,位于第一模式转换器与第二模式转换器之间,一端与第一模式转换器相连接,另一端与第二模式转换器相连接;连接臂包括直波导连接臂。本发明的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。

    硅基光调制器
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105629522B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201410620813.0

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: G02F1/025

    摘要: 本发明提供一种硅基光调制器,至少包括:脊型波导,所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条,所述凸条高于所述平板部;所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区,所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间,且沿所述凸条的延伸方向延伸;所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中;所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中,在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结,在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区,弥补解决离子注入对准误差的问题,并且提高了硅基光调制器的调制效率。

    一种基于硅光子晶体的三光束分光器

    公开(公告)号:CN108152886A

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201611100701.8

    申请日:2016-12-05

    IPC分类号: G02B6/125 G02B6/126

    摘要: 本发明提供一种基于硅光子晶体的三光束分光器,包括:二维硅光子晶体波导;偏振选择缺陷,设置于所述二维硅光子晶体波导的输入通道,使三光束分光器具有偏振选择功能;功率控制缺陷,设置于所述二维硅光子晶体波导的十字交叉区域,使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明通过在二维硅光子晶体波导的输入通道引入不同的偏振选择缺陷,使得分光器具有偏振选择功能,对于TE分光器而言,TE波能够进入并在分光器中传播,而TM波不能进入,对于TM分光器则恰好相反;并且,同时通过在波导的十字交叉区域引入功率控制缺陷,使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明具有传输效率高、适用波长范围大、结构简单、易于级联以及工作带宽较大等重要优势。

    液压微位移驱动器及微位移装置

    公开(公告)号:CN103552975A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310572651.3

    申请日:2013-11-15

    IPC分类号: B81B3/00

    摘要: 本发明提供一种液压微位移驱动器及微位移装置,至少包括:设有内腔(18)的缸筒(13);密封所述缸筒(13)两端的上端盖(12)以及下端盖(15);位于所述上端盖上表面的球形凸台(11);所述球形凸台的中心线与所述缸筒的中心线重合;设置于所述下端盖(15)内与所述内腔连通的进油通道(14)以及与所述进油通道(14)导通的进油嘴(17)。本发明提出的液压微位移驱动器采用向密封的缸筒内充进一定压力的液体使得圆柱形管状缸筒产生相应的轴向伸长来实现微位移驱动,具有驱动行程较大、驱动平稳、抗干扰能力强以及皮实耐用等特点,克服了压电晶体驱动行程小、稳定性较差缺陷。

    一种光栅耦合器及其制作方法

    公开(公告)号:CN102692682B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201210193178.3

    申请日:2012-06-12

    IPC分类号: G02B6/34 G02B6/124 G02B6/136

    摘要: 本发明提供一种光栅耦合器及其制作方法,提供一SOI衬底,刻蚀所述SOI衬底的顶层硅,形成周期为500~800nm的耦合光栅,同时于所述顶层硅中隔出CMOS有源区;于所述耦合光栅上制作覆盖于所述耦合光栅及CMOS有源区的栅氧化层;于所述栅氧化层表面形成导电层,刻蚀所述导电层,形成与所述耦合光栅周期相同的覆层结构,同时形成CMOS的栅极结构;最后形成保护层以完成制备。所述耦合光栅、栅氧化层及覆层结构均与CMOS的制备同时完成,可共享掩膜,降低了制作成本;覆盖于栅氧化层上的导电上覆层提高了耦合效率;优化的结构参数使得光栅耦合器的耦合效率显著提高;新颖的光栅耦合器结构使耦合效率对SOI埋氧层厚度的依赖性大为降低,从而放松了对SOI衬底的规格要求。

    具有光栅的单纤三向复用器

    公开(公告)号:CN102879858A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210419042.X

    申请日:2012-10-26

    IPC分类号: G02B6/12 G02B6/293 H04J14/02

    摘要: 本发明提供一种具有光栅的单纤三向复用器。该单纤三向复用器至少包括:用于接入第一波长及第二波长的光波信号的输入波导;用于接入第三波长的光波信号的上传波导;第一输出波导;第二输出波导;及多模波导耦合器;该多模波导耦合器用于分离所述第一波长信号及第二波长信号,并使两者分别由第一输出波导及第二输出波导输出;此外,该多模波导耦合器所具有的光栅,能反射所述第三波长的光波信号,并使该光波信号由输入波导输出。优选地,输入波导、上传波导、第一输出波导、第二输出波导及多模波导耦合器均通过对半导体基底的刻蚀来形成。本发明的优点包括:结构紧凑小巧,且制作工艺与CMOS工艺完全兼容,无需复杂工艺,加工成本低。

    一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统

    公开(公告)号:CN112200289B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202011284812.5

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: G06K19/06 G06K7/10

    摘要: 本发明涉及一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统,所述条码识别装置包括衬底,所述衬底上固设有一层绝缘层,所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线,且相邻的硅导线之间距离相等,每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连,所述电位测量计与处理器相连;所述衬底中部设置有用于供激光器发出激光通过的通孔,所述激光器相对于所述衬底固定;所述激光器发出的激光照射在条码上后反射到硅导线上时,硅导线与衬底之间发生近场耦效应,并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制,所述处理器根据硅导线中电位值为最小值的两根硅导线的位置信息计算出激光反射点的所在的位置。本发明能够为微纳米器件提供条码标识。