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发明公开
一种磁控溅射设备无效

公开(公告)号：CN110004422A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910325910.X

申请日：2019-04-22

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 董中林 , 黄钊 , 房景仕 , 白一峰 , 丁良兵 , 何文杰

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明公开一种磁控溅射设备，包括反应腔室、电极、靶材以及射频线圈，电极、靶材以及射频线圈均设置于反应腔室，电极和靶材分别设置于反应腔室对应的两侧，电极依次与电极射频匹配器和电极射频电源连接，靶材与直流电源连接，射频线圈设置在反应腔室的内部，且射频线圈设置于电极和靶材之间，射频线圈依次与射频匹配器和线圈射频电源连接；在发明中等离子体中电子会在射频电场的作用下作振荡运动，电子在振荡过程中与气体分子的碰撞几率增加，而电子能从电场不断吸收能量，因此在碰撞过程中有足够的能量来使气体分子离化，因此该装置不但能提高靶材离化率，还能在更低的靶电压及气压条件下维持放电。