公开(公告)号：CN114899302B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202210457555.3

申请日：2022-04-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 彭炜 ,  李有金 ,  刘晓宇

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/83 ,  H10N60/30 ,  G01J1/42 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种拐弯区加厚型SNSPD器件的制备方法，基于电子束灰度曝光，形成具有高度差的电子束抗蚀掩膜，以作为超导薄膜的图形掩模，然后通过具有明显刻蚀选择比的刻蚀工艺进行图形转移，形成包括直线区和拐弯区的超导纳米线，且拐弯区对应的超导纳米线的厚度大于直线区对应的超导纳米线的厚度，从而制备拐弯区加厚型SNSPD器件，较大程度地抑制电流拥挤效应，且具有较高的临界电流和低暗计数率等优势，显著提高SNSPD器件的性能。本发明仅通过一步电子束曝光和一步图形转移，即可实现拐角区加厚的超导纳米线的制备，简化了制备工艺流程，且可提升拐弯区加厚型SNSPD器件的性能及制备良率。

公开(公告)号：CN117492335B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410001412.0

申请日：2024-01-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘晓宇 ,  彭炜

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种电子束曝光剂量校正方法，根据版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，各个区域分别采用邻近效应校正计算得到第一剂量校正系数，并根据各个区域的占空比得到第二剂量校正系数，在第一剂量校正系数的基础上叠加第二剂量校正系数，可实现全局图形的高线宽精度及其均匀性；并且，采用多重曝光的方式提升图形曝光的场拼接精度，解决绝缘衬底上大面积电子束曝光时面临图形位置漂移、线宽精度和均匀性控制难、拼接误差大等问题，从而拓展电子束曝光技术在超导量子器件、超导单光子探测器、光量子芯片、长波导器件、高频表面波器件等微纳器件加工中的应用。

公开(公告)号：CN117270339A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311550305.5

申请日：2023-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘晓宇 ,  彭炜

IPC: G03F7/20 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供一种绝缘衬底上高精度电子束套刻标记及制备方法，该制备方法包括：提供绝缘衬底，绝缘衬底上设置有抗蚀剂层和导电胶层；采用电子束曝光法图形化抗蚀剂层和导电层形成第一开口；于第一开口中形成标记金属层，并去除导电胶层和抗蚀剂层；于绝缘衬底上形成光刻胶层，采用光学曝光法图形化光刻胶层以形成第二开口，第二开口显露标记金属层；于第二开口中形成覆盖金属层，覆盖金属层覆盖标记金属层。本发明中覆盖金属层遮蔽了标记金属层图形区域下的绝缘衬底，避免电子束套刻时标记识别和定位过程中的电荷累积效应，同时标记扫描时两种金属具有明显的电子衬底，充分保证了标记图形可以进行精确的识别和定位，从而实现高精度电子束套刻工艺。

公开(公告)号：CN111584707A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010277519.X

申请日：2020-04-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤演 ,  刘晓宇 ,  李浩 ,  尤立星

IPC: H01L39/24 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP-520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR-P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。

公开(公告)号：CN102931057B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210461745.9

申请日：2012-11-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  孙秋娟 ,  康晓旭 ,  刘晓宇 ,  谢晓明

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法，该石墨烯场效应器件包括：具有栅电极沟槽的衬底；形成于所述栅电极沟槽中的栅电极；Al2O3介电薄膜层，位于所述栅电极沟槽中的栅电极表面，且Al2O3介电薄膜层表面与衬底表面齐平；覆盖于所述Al2O3介电薄膜层和衬底表面的BN薄膜层；形成于所述BN薄膜层上方的石墨烯；设置在所述石墨烯上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与石墨烯电性连接。本发明制备的BN薄膜层与Al2O3介电薄膜层共同构成新型的栅介质结构，有效保持了石墨烯中固有载流子的高迁移率，增强栅极的场效应作用，适用于石墨烯基高射频器件及碳基大规模集成电路制造领域。

公开(公告)号：CN103839835A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410114348.3

申请日：2014-03-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王慧山 ,  王浩敏 ,  孙秋娟 ,  刘晓宇 ,  谢红 ,  陈吉 ,  吴天如 ,  张学富 ,  邓联文 ,  谢晓明

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/66045

Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯场效应管的微区加方法及结构，所述微区加热结构包括以下步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压，调制窄边微区结构的电阻，从而实现窄边微区结构的加热，所述加热的温度范围为100～1200℃。本发明的基于石墨烯场效应管的微区加热方法，操作简单，可以实现不同尺寸的微区加热，并且加热区域可控。另外，微区加热结构的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，制备的微区加热结构产量高、均匀性好。