公开(公告)号：CN100359365C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200510110631.X

申请日：2005-11-23

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海蓝宝光电材料有限公司

发明人： 陆卫 ,  王少伟 ,  夏长生 ,  李宁 ,  李志锋 ,  张波 ,  陈平平 ,  陈效双 ,  陈明法

IPC分类号： G02B27/20 ,  G09B17/02

摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管指示笔，该指示笔包括：GaN基发光二极管，在GaN基发光二极管的发光面上置有方向选择性很高、带通很窄的窄带滤光膜层，在滤光膜层的前面置有透镜。本发明的优点是：发光二极管发出的光，经过窄带滤光膜层使得只有近乎正入射的光才能透射出来，同时，窄带滤光片本身只能透过很窄波长范围的光，从而使得最终发出的光单色性很好，与激光非常接近，然后再加上一个透镜，使光束在使用的范围内光斑都很小，而光束本身并非是相干的激光，亮度均匀，不会像激光笔那样出现很多让人眼感觉不适的闪光点，因此可以替代激光笔作为很好的指示笔用。

公开(公告)号：CN1298020C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200410089448.1

申请日：2004-12-13

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海蓝宝光电材料有限公司

发明人： 陆卫 ,  夏长生 ,  李志锋 ,  李宁 ,  张波 ,  王少伟 ,  陈平平 ,  陈效双 ,  陈明法

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定，厚度为2～100nm，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。

公开(公告)号：CN1776442A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510110630.5

申请日：2005-11-23

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海蓝宝光电材料有限公司

发明人： 陆卫 ,  夏长生 ,  李志锋 ,  李宁 ,  王少伟 ,  张波 ,  陈平平 ,  陈效双 ,  陈明法

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01M11/02 ,  G01J3/00 ,  G01J1/00 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。

公开(公告)号：CN1622285A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410089448.1

申请日：2004-12-13

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海蓝宝光电材料有限公司

发明人： 陆卫 ,  夏长生 ,  李志锋 ,  李宁 ,  张波 ,  王少伟 ,  陈平平 ,  陈效双 ,  陈明法

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定，厚度为2～100nm，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。