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公开(公告)号:CN105448673B
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201610003058.0
申请日:2016-01-04
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号: H01L21/04
摘要: 本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法,包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜;在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜;对所述碳化硅片进行高温退火,激活所述碳化硅片中的注入杂质;去除所述正面碳膜和所述背面碳膜;去除所述碳化硅片背面的氧化层;在所述碳化硅片的背面生长背面金属并进行退火,形成欧姆接触。由于在对碳化硅片进行高温退火之前,制作背面碳膜,与碳化硅背面Si‑C悬挂键形成C‑Si‑C键,从而固定Si原子,抑制Si原子的升华,增加碳化硅背面Si原子浓度,使得金属易与碳化硅背面反应形成低阻层化合物,能够避免高温退火激活工艺中在碳化硅器件背面形成高阻的富碳层,使器件背面具有活泼的化学性质,有利于背面欧姆接触的形成。
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公开(公告)号:CN105405749A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510730587.6
申请日:2015-11-02
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号: H01L21/04
摘要: 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域,尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法,所述方法包括如下步骤:步骤B:在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层;步骤C:对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀,得到碳化硅栅槽;步骤D:使用气体对所述栅槽退火,其中,所述气体包括含氯的气体和氧化性气体,以及任选地载体气体,其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种;步骤E:去除所述掩膜层。
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公开(公告)号:CN105244266A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201510703099.6
申请日:2015-10-26
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号: H01L21/283
摘要: 本发明属于SiC领域,尤其涉及一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法。本发明提供的方法包括以下步骤:a)、SiC晶圆表面沉积金属层,得到表面沉积有金属层的SiC晶圆;b)、所述表面沉积有金属层的SiC晶圆进行退火处理,得到形成欧姆接触的SiC晶圆;所述退火处理包括若干个升温阶段、若干个保温阶段和若干个降温阶段,所述退火处理中的至少一个阶段在CO2气氛中进行。本发明提供的方法在沉积有金属层的SiC晶圆进行退火的过程中通入了CO2气体,CO2气体与退火过程中生成的碳单质反应生成CO气体,从而在退火过程中实现了碳单质的有效去除,因此无需额外增加除碳工艺,大大简化了SiC晶圆欧姆接触工艺的处理流程。
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公开(公告)号:CN105226104A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510737969.1
申请日:2015-11-03
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
摘要: 本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法,其中,所述二极管包括:第一掺杂类型碳化硅衬底;位于所述衬底一侧的阴极;位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层;位于所述外延层表面的阳极;所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲,高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻,低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现,当所述二极管处于反偏状态时,内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下,降低正向导通电阻,进而降低其导通压降和总体功耗。
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公开(公告)号:CN104882357A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201410071460.3
申请日:2014-02-28
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法,耐压终端结构包括:第一掺杂区,以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构,刻蚀剖面从第一掺杂区穿过在第一掺杂区和第二掺杂区的交界处形成势垒层,并平缓地过渡至位于第二掺杂区的非台面区域。制造方法包括淀积掩膜层、光刻、湿法腐蚀掩膜层和干法刻蚀半导体器件基底材料等步骤。本发明不但能够缓解电场集中的现象,从而提高器件的反向耐压,同时器件所占面积更小,在相同尺寸晶圆上可设计更多的器件。
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公开(公告)号:CN104576325A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201510041144.6
申请日:2015-01-27
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号: H01L21/04
摘要: 本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法,包括:在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜;去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层;在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触;在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口;在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中,由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度,从而能够保护正面不受腐蚀或划伤,而成膜过程中,成膜物质不会留在晶圆的背面,从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率,另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层,无需去除,从而减少了工序。
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公开(公告)号:CN103824878A
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201410044259.6
申请日:2014-01-30
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环,其通过掺杂间隔设置于外延层上;掺杂区,其设置于所述外延层的上方;其中,所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。
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公开(公告)号:CN103545382A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201310559459.0
申请日:2013-11-12
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC分类号: H01L29/872 , H01L29/365 , H01L29/66143
摘要: 本发明提供了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法,该结势垒肖特基二极管包括由N型半导体构成的有源区,所述有源区内设置有多个P型掺杂区,所述P型掺杂区在所述有源区的分布呈点阵型结构分布,其中,任意两个相邻的P型掺杂区之间的距离相等,以致在相同有源区面积的情况下,本发明实施例所需要的P型掺杂区的数量和面积最小,即所谓的“死区”的面积最小。相较于现有技术中的P型掺杂区的分布,这种P型掺杂区的分布有利于提高结势垒肖特基二极管的正向导电能力。
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公开(公告)号:CN103824879B
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201410044426.7
申请日:2014-01-30
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要: 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括:场限环,其间隔设置于最外侧主结的外侧;电荷补偿区,其通过掺杂间隔形成于外延层,所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面,其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。
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公开(公告)号:CN105244267A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201510746482.X
申请日:2015-11-05
申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号: H01L21/283 , H01L29/861 , H01L29/40 , H01L29/16
摘要: 本发明属于PiN器件领域,尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法,该方法包括以下步骤:a)准备碳化硅PiN基体;b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层;c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的SiC衬底表面和非晶硅层表面沉积金属层;d)对沉积有金属层的碳化硅PiN基体进行退火处理,得到形成欧姆接触的碳化硅PiN器件;所述退火处理依次包括第一升温阶段、第一保温阶段、第二升温阶段和第二保温阶段;第一保温阶段和第二保温阶段的温度分别为450~550℃和970~1020℃。本发明提供的方法通过一次退火工艺即可在沉积有金属层的碳化硅PiN基体上形成P型欧姆接触和N型欧姆接触。
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