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公开(公告)号：CN106684146B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510767499.3
申请日：2015-11-11
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
摘要： 本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
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公开(公告)号：CN105226104B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510737969.1
申请日：2015-11-03
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
摘要： 本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲，高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻，低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现，当所述二极管处于反偏状态时，内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下，降低正向导通电阻，进而降低其导通压降和总体功耗。
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公开(公告)号：CN105405749A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510730587.6
申请日：2015-11-02
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。
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公开(公告)号：CN105226104A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510737969.1
申请日：2015-11-03
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
摘要： 本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲，高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻，低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现，当所述二极管处于反偏状态时，内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下，降低正向导通电阻，进而降低其导通压降和总体功耗。
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公开(公告)号：CN104333208A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410582727.5
申请日：2014-10-27
申请人： 中南大学 , 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC分类号： H02M1/32 , G01R31/024 , H02M2001/325
摘要： 本发明公开了一种三段桥式变流电路开路故障处理装置及诊断方法，其中包括故障处理单元，用于接收、处理三段桥式变流电路的部分输入电压U2及输出电压U1，对得出的结果波形进行编码处理，通过编码确定发生故障的开关管；通过变流控制器改变各开关管触发脉冲，同时改变所述三段桥式变流电路的连接方式，以实现在发生故障后，所述三段桥式变流电路的输出电压U1仍可以在0和原额定电压Ud间全范围调整。提供了一种兼具故障检测、定位以及容错控制的故障诊断方法，大大提高了轨道交通的安全性。
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公开(公告)号：CN102223096B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110173719.1
申请日：2011-06-24
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H02M7/48
摘要： 本发明公开了一种双电平逆变器死区效应仿真建模装置及其方法，包括开关函数模块、逆变桥模块和开关管、续流二极管与直流环电流模块，开关函数模块的输入为开关管的门极触发脉冲，开关函数模块分别与逆变桥模块，以及开关管、续流二极管与直流环电流模块相连，逆变桥模块输出逆变器各相的电压，开关管、续流二极管与直流环电流模块输出逆变器各相的电流。该装置及其方法可实现实时仿真系统中逆变器与电机模型的解耦，建立了带死区效应的开关函数双电平逆变器模型，解决了仿真速度慢、解算不准确的技术问题。
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公开(公告)号：CN102148169B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110000505.4
申请日：2011-01-04
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC分类号： H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN102158167A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110060424.3
申请日：2011-03-14
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H02P21/14
摘要： 本发明公开了一种电压空间矢量调制方法，包括以下步骤：S101：取参考电压矢量的标幺值其中，为标幺化后的幅值，θ是角度；S102：根据参考电压矢量的标幺值计算出参考电压矢量的d，q分量Vd、Vq；S103：根据判定参考电压矢量所在的扇区k；S108：根据Vd、Vq由相应K值所选择的公式计算PWM比较值。该发明所描述的技术方案广泛应用于工业交流传动系统，所涉及的无理数计算次数少，只需通过简单的四则运算就可以计算出各相所需的PWM定时器周期值，而且算法形式极其简洁，非常便于计算机实现。
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公开(公告)号：CN101505111B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910118197.8
申请日：2009-03-11
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要： 本发明提供一种三电平空间矢量的过调制方法及系统。所述方法包括：计算参考电压调制比和角度；将调制比分为第一设定区间和第二设定区间；调制比位于第一设定区间，按参考电压角度分区间计算短矢量、长矢量和中矢量占空比；按短矢量占空比大小分别对短矢量、长矢量和中矢量占空比进行修正；根据修正后的占空比计算每相N作用占空比和P作用占空比；调制比位于第二设定区间，计算参考电压保持角；根据保持角与参考电压角度的比较结果分区间计算每相N作用占空比和P作用占空比；将所述每相N作用占空比和P作用占空比换算为作用时间映射回原扇区。采用本发明所述方法及系统，能够使SVPWM过调制计算步骤简单，调制精度更高。
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公开(公告)号：CN100568705C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810131224.0
申请日：2008-08-01
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要： 本发明一种基于空间矢量的闭环同步调制方法，包括：获取参考电压、直流侧电压Vdc、基波角频率ωs；计算调制比m；计算参考电压经过的角度Δθ和参考电压调制的角度θm；由所述参考电压经过的角度Δθ、调制的角度θm和调制比m计算脉冲序列输出的角度；将基波角频率ωs随时间积分的角度θs的变化量Δθs与所述脉冲序列输出的角度比较；根据比较结果输出脉冲序列。本发明直接以角度为基准，用一个稳定量代替一个包含谐波和噪声的量，避免了闭环系统中谐波和噪声造成的同步调制性能下降，保证同步调制更准确。
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