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公开(公告)号:CN116722061A
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202211411194.5
申请日:2022-11-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/101 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法,所述锗硅探测器包括自下而上依次设有的半导体衬底、P型重掺杂硅层、I型非掺杂本征硅层、N型重掺杂硅层、非掺杂本征锗层、P型重掺杂锗层,所述P型重掺杂硅层上设有与P型重掺杂硅层相连的金属接触电极一,所述P型重掺杂锗层上设有与P型重掺杂锗层相连的金属接触电极二,所述锗硅探测器在器件有源区形成PINIP型整体掺杂结构。将宽光谱光源垂直入射锗硅探测器根据入射波长光源不同被锗材料或硅材料吸收光子,通过控制锗硅探测器外部施加电压选择硅‑PIN光电探测器结构或者锗‑PIN光电探测器结构来实现电压控制的宽光谱探测,拓宽锗硅探测器应用领域。
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公开(公告)号:CN115165102B
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN202211069036.6
申请日:2022-09-02
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种大带宽高分辨率紧凑型的片上光谱仪及检测方法,包括输入端口光栅、微环谐振器、刻蚀衍射光栅以及探测器阵列,各部分之间通过单模波导连接,其中微环谐振器上集成有加热电极,所述加热电极用于调节所述微环谐振器的输出波长,使输出波长覆盖整个自由光谱范围。本发明微环谐振器的输出光谱具有周期性,波长相隔一个自由光谱范围的光从微环谐振器的输出端口输出,记录微环谐振器输出波长调节一个完整的自由光谱范围所需电压,并选取调节电压间隔点数Ncounts;微环谐振器的自由光谱范围FSR等于刻蚀衍射光栅的通道间隔,按照步进点数扫描加热电极电压,即可通过探测器阵列测量完整的光谱,检测方便。
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公开(公告)号:CN115165102A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202211069036.6
申请日:2022-09-02
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种大带宽高分辨率紧凑型的片上光谱仪及检测方法,包括输入端口光栅、微环谐振器、刻蚀衍射光栅以及探测器阵列,各部分之间通过单模波导连接,其中微环谐振器上集成有加热电极,所述加热电极用于调节所述微环谐振器的输出波长,使输出波长覆盖整个自由光谱范围。本发明微环谐振器的输出光谱具有周期性,波长相隔一个自由光谱范围的光从微环谐振器的输出端口输出,记录微环谐振器输出波长调节一个完整的自由光谱范围所需电压,并选取调节电压间隔点数Ncounts;微环谐振器的自由光谱范围FSR等于刻蚀衍射光栅的通道间隔,按照步进点数扫描加热电极电压,即可通过探测器阵列测量完整的光谱,检测方便。
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公开(公告)号:CN113985524A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111606890.7
申请日:2021-12-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料波导的阵列波导光栅,所述阵列波导光栅包括阵列波导部分、输入平板波导、输出平板波导、输入信道波导、输出信道波导,所述阵列波导部分两端分别与所述输入平板波导和输出平板波导连接,所述输入平板波导末端与所述输入信道波导连接,所述输出平板波导末端与所述输出信道波导连接,所述阵列波导部分包括若干根阵列波导,所述阵列波导为超材料波导,在传统波导的周围周期性地排布亚波长波导得到多层结构,这一结构具有很强的各向异性,这一结构可用作传统波导的包层,使用强各向异性包层包围传统波导,整体形成超材料波导,有效抑制了传统波导的倏逝波及趋肤深度。
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