-
公开(公告)号：CN114639600A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011485217.8
申请日：2020-12-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/32 , G02F1/1333
摘要： 本公开提供一种薄膜图案化的方法和显示面板的制备方法，属于显示技术领域，本公开的薄膜图案化的方法，包括：在衬底基板上，通过构图工艺形成包括辅助结构的图形，以形成图案保留区和图案去除区；辅助结构至少与衬底基板接触表面的材料不同；在辅助结构的图形背离衬底基板的一侧形成第二薄膜层，并将图案去除区的第二薄膜层的材料去除，形成位于图案保留区的第二薄膜图案。本公开的薄膜图案化方法可以实现高深度比的图案，同时工艺简单。
-
公开(公告)号：CN111446335A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010211462.3
申请日：2020-03-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种发光二极管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成阵列分布的发光二极管单元，沿背离衬底的方向，每个发光二极管单元包括缓冲层、n-GaN层、MQV层以及p-GaN层；在发光二极管单元上形成第一金属层，且通过构图工艺将第一金属层图案化，形成第一金属图案；以第一金属图案为掩膜，在p-GaN层部分区域内形成侧壁限制结构。本发明提供的发光二极管制备方法制备的发光二极管在p-GaN层内局部位置形成侧壁限制结构，侧壁限制结构可以抑制侧壁效应。上述发光二极管制备方法不仅可以在大尺寸发光二极管实现小电流注入、避免侧壁效应，而且该制备方法可与现有半导体工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN114639600B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011485217.8
申请日：2020-12-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/28 , H01L21/336 , H10K59/12 , G02F1/1333
摘要： 本公开提供一种薄膜图案化的方法和显示面板的制备方法，属于显示技术领域，本公开的薄膜图案化的方法，包括：在衬底基板上，通过构图工艺形成包括辅助结构的图形，以形成图案保留区和图案去除区；辅助结构至少与衬底基板接触表面的材料不同；在辅助结构的图形背离衬底基板的一侧形成第二薄膜层，并将图案去除区的第二薄膜层的材料去除，形成位于图案保留区的第二薄膜图案。本公开的薄膜图案化方法可以实现高深度比的图案，同时工艺简单。
-
公开(公告)号：CN114678440B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202011547862.8
申请日：2020-12-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/18 , H01L27/146 , G06V40/13
摘要： 本公开提供一种光电薄膜晶体管、指纹识别电路及显示装置，属于显示领域。本公开的光电薄膜晶体管包括：第一栅极、第一半导体层、源极、漏极、第二半导体层和偏置电极。其中，第一半导体层具有源极接触区、漏极接触区，以及位于源极接触区和漏极接触区之间沟道区，源极和漏极分别与第一半导体层的源极接触区和漏极接触区电连接。第一栅极与第一半导体层绝缘设置，且第一栅极与第一半导体层的沟道区在基底上的正投影至少部分重叠；第二半导体层设置在第一栅极背离基底的一侧，且覆盖第一栅极，偏置电极位于第二半导体层背离基底的一侧。
-
公开(公告)号：CN114552382B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210152363.1
申请日：2022-02-18
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供了反射薄膜结构及其制备方法，该反射薄膜结构包括：在基板上依次沉积的预设数量的反射薄膜单元；其中，每个反射薄膜单元至少包括：第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层和第二薄膜层均由相同的相变材料制成，第一薄膜层为相变材料的晶体态，第二薄膜层为相变材料的非晶体态，以使第一薄膜层的第一折射率和第二薄膜层的第二折射率不同。本实施例通过使用同种相变材料的沉积作为反射薄膜结构的基本层级，并改变其中一部分薄膜层级的晶相形态实现层级之间不同折射率的实现，在保证反射薄膜结构的反射效率的基础上，使反射薄膜结构在制备过程中工艺流程更简单，更适用于低成本大面积制备。
-
公开(公告)号：CN111244127B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010199970.4
申请日：2020-03-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
摘要： 本公开提供了一种显示面板的制作方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该制作方法包括：提供一显示基板，显示基板包括衬底基板和阵列分布在衬底基板上的多个发光单元，多个发光单元包括多个第一发光单元；在显示基板上形成覆盖多个第一发光单元的第一正性光刻胶层；点亮多个第一发光单元，通过多个第一发光单元曝光第一正性光刻胶层；去除第一正性光刻胶层上被曝光的区域，以形成露出多个第一发光单元的多个第一开口；在多个第一开口中形成第一色转换层。由于直接利用发光单元对正性光刻胶层进行曝光，因此所形成的开口刚好对应发光单元，使量子点材料能准确形成在开口中，刚好覆盖发光单元，利于制作高分辨率的显示面板。
-
公开(公告)号：CN115769437A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180000488.6
申请日：2021-03-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01Q1/36
摘要： 本公开提供一种金属网格的制备方法、薄膜传感器及其制备方法，属于电子器件技术领域。本发明的金属网格的制备方法，其包括提供一衬底基板；通过构图工艺，在所述衬底基板上形成包括第一介质层的图形；所述第一介质层上具有网格状的第一槽部；在所述第一介质层背所述衬底基板的一侧形成第二介质层，且所述第二介质层至少淀积在所述第一槽部的侧壁上，以形成网格状的第二槽部；在所述第二槽部中形成金属材料，并至少将在所述衬底基板上的正投影与所述金属材料无重叠的所述第二介质层的材料去除，以形成金属网格。
-
公开(公告)号：CN111403329B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202010223663.5
申请日：2020-03-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01L21/683 , H01L27/15 , G09F9/33
摘要： 本申请公开了一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法，用以提高微发光二极管的转移效率，同时避免损伤微发光二极管。本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法，所述方法包括：在衬底基板上形成微发光二极管阵列并在所述微发光二极管之上形成氢化非晶层；将所述氢化非晶层与转移基板贴合，并将所述微发光二极管阵列从所述衬底基板剥离；将所述转移基板的所述微发光二极管阵列与目标基板对准贴合；对所述氢化非晶层采用退火工艺，以使所述氢化非晶层释放氢气，将所述转移基板剥离。
-
公开(公告)号：CN115148167A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210975990.5
申请日：2022-08-15
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 本申请提供了一种驱动电路及其驱动方法、显示装置，涉及显示技术领域，该驱动电路可以集成显示驱动和振动驱动，并避免显示面板和振动器对彼此的工作形成干扰。该驱动电路包括：至少一个源极驱动器，所述源极驱动器应用在显示装置，所述显示装置包括显示面板和振动器；所述源极驱动器与所述显示面板和所述振动器分别电连接、且被配置为分时驱动所述显示面板和所述振动器。
-
公开(公告)号：CN114678440A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011547862.8
申请日：2020-12-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人： 孟虎
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/18 , H01L27/146 , G06V40/13
摘要： 本公开提供一种光电薄膜晶体管、指纹识别电路及显示装置，属于显示领域。本公开的光电薄膜晶体管包括：第一栅极、第一半导体层、源极、漏极、第二半导体层和偏置电极。其中，第一半导体层具有源极接触区、漏极接触区，以及位于源极接触区和漏极接触区之间沟道区，源极和漏极分别与第一半导体层的源极接触区和漏极接触区电连接。第一栅极与第一半导体层绝缘设置，且第一栅极与第一半导体层的沟道区在基底上的正投影至少部分重叠；第二半导体层设置在第一栅极背离基底的一侧，且覆盖第一栅极，偏置电极位于第二半导体层背离基底的一侧。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
90 条记录 (耗时 0.072 秒)
