公开(公告)号：CN113838801A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202010591840.5

申请日：2020-06-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 黄杰 ,  宁策 ,  李正亮 ,  胡合合 ,  贺家煜 ,  姚念琦 ,  赵坤 ,  曲峰 ,  许晓春

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10

摘要： 一种半导体基板的制造方法和半导体基板。所述制造方法包括当所述衬底基板在第一温度时，在衬底基板上的一界面处形成所述第一半导体层，其中，所述第一半导体层的材料为第一氧化物半导体材料；在所述第一半导体层上直接形成所述第二半导体层，其中，第二半导体层的材料为第二氧化物半导体材料；所述第一半导体层、所述第二半导体层分别被图案化为种子层、第一沟道层，第一沟道层和所述种子层均为结晶相层，其中，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料均能够在第二温度下形成为结晶相，第二温度小于等于40℃，第一温度大于等于100℃。

公开(公告)号：CN111650787A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010528548.9

申请日：2020-06-11

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 刘弘 ,  徐敬义 ,  张永强 ,  刘鹏 ,  霍培荣 ,  陈婉芝 ,  许晓春 ,  刘建涛 ,  李波

IPC分类号： G02F1/1343 ,  H01L27/32 ,  H04M1/02 ,  H04N5/225

摘要： 本发明提出了显示基板及其制作方法、显示装置。该显示基板包括：基板，其上限定有盲孔区；缓冲层，覆盖基板的一侧；有机膜层，设置在缓冲层远离基板的表面，且在盲孔区中具有第一开孔；钝化层，设置在有机膜层远离基板的一侧，且在盲孔区中具有第二开孔；透明电极层，覆盖钝化层和第二开孔中的缓冲层。本发明所提出的显示基板，其缓冲层在盲孔区中的表面虽会被钝化层的干法刻蚀成凹凸不平，但通过在缓冲层的表面进一步形成平整的透明电极层，从而使盲孔区内的均一性更好，在减缓盲孔区发黄问题的同时，还可保证盲孔区的透过率达到90％以上。

公开(公告)号：CN213026130U

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202021943629.7

申请日：2020-09-08

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  福州京东方光电科技有限公司

发明人： 薛大鹏 ,  袁广才 ,  许晓春 ,  刘正 ,  李梁梁 ,  董水浪 ,  王利忠 ,  姚念琦

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L51/52 ,  H01L21/77

摘要： 本公开提供了一种显示基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，薄膜晶体管包括：有源层，有源层的材料包括：氧化物半导体材料；第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，第一电极的材料包括：金属氧化物材料，第一电极与补氧功能层为同一结构；氧容纳层位于第一电极和衬底基板之间，氧容纳层配置为在沉积用于构成第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补有源层中的氧空位。本公开实施例还提供了一种显示装置。

公开(公告)号：CN212365969U

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202022134342.6

申请日：2020-09-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 郭怡彤 ,  周健 ,  孙拓 ,  陈江博 ,  李延钊 ,  许晓春

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/02

摘要： 本实用新型提供一种背板。所述背板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸。本实用新型提供的像素结构可以降低像素结构的面积提高TFT(薄膜晶体管)的宽长比，以提升驱动晶体管的驱动能力并提高背板的分辨率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212257399U

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202022133254.4

申请日：2020-09-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 郭怡彤 ,  周健 ,  孙拓 ,  许晓春

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/02

摘要： 本实用新型提供一种背板。所述背板包括衬底基板、行列交错的栅线、数据线和电源线，以及，阵列分布的像素结构；所述像素结构包括驱动晶体管、与所述驱动晶体管连接的开关晶体管，以及，与所述驱动晶体管连接的像素电极，所述栅线和所述数据线分别与所述开关晶体管连接，所述电源线与所述驱动晶体管连接；在同一行像素结构或同一列像素结构中，在第2n‑1个像素结构和第2n个像素结构之间设置有电源线，所述电源线与所述第2n‑1个像素结构中的驱动晶体管的源极连接，所述电源线与所述第2n个像素结构中的驱动晶体管的源极连接；n为正整数。本实用新型可以节省像素面积，进而能够通过节省下来的像素面积合理布局像素结构中的驱动晶体管。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN211957649U

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202021199202.0

申请日：2020-06-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 黄杰 ,  宁策 ,  李正亮 ,  胡合合 ,  贺家煜 ,  姚念琦 ,  曲峰 ,  许晓春

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

摘要： 一种薄膜晶体管、阵列基板以及电子装置，该薄膜晶体管包括衬底和位于衬底上的有源层，有源层包括层叠设置的多层氧化物，该多层氧化物包括沟道层、过渡层和第一阻挡层，沟道层为多层氧化物中载流子迁移率最大的层，沟道层为结晶氧化物层或者非晶氧化物层，过渡层直接接触沟道层，第一阻挡层为该多层氧化物中的最外层氧化物，第一阻挡层和过渡层都为结晶氧化物层，第一阻挡层和过渡层的结晶化程度都大于沟道层的结晶化程度，第一阻挡层和过渡层的带隙都大于沟道层的带隙。该薄膜晶体管具有高迁移率和高稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利