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公开(公告)号：CN111650787B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202010528548.9
申请日：2020-06-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1343 , H04M1/02 , H10K59/65 , H04N23/57 , H10K59/12
摘要： 本发明提出了显示基板及其制作方法、显示装置。该显示基板包括：基板，其上限定有盲孔区；缓冲层，覆盖基板的一侧；有机膜层，设置在缓冲层远离基板的表面，且在盲孔区中具有第一开孔；钝化层，设置在有机膜层远离基板的一侧，且在盲孔区中具有第二开孔；透明电极层，覆盖钝化层和第二开孔中的缓冲层。本发明所提出的显示基板，其缓冲层在盲孔区中的表面虽会被钝化层的干法刻蚀成凹凸不平，但通过在缓冲层的表面进一步形成平整的透明电极层，从而使盲孔区内的均一性更好，在减缓盲孔区发黄问题的同时，还可保证盲孔区的透过率达到90％以上。
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公开(公告)号：CN114335071A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011060839.6
申请日：2020-09-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/32 , G02F1/1368 , G02F1/1362
摘要： 本发明提供一种显示基板及显示面板，属于显示技术领域。本发明的显示基板，其包括显示区和环绕所述显示区的周边区；所述显示基板包括：基底；多层绝缘层，沿背离所述基底方向依次设置；所述多层绝缘层中的每层位于所述显示区和所述周边区；凸起结构，设置在所述多层绝缘层中至少部分两相邻的之间，且所述凸起结构位于所述周边区。
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公开(公告)号：CN111650787A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010528548.9
申请日：2020-06-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1343 , H01L27/32 , H04M1/02 , H04N5/225
摘要： 本发明提出了显示基板及其制作方法、显示装置。该显示基板包括：基板，其上限定有盲孔区；缓冲层，覆盖基板的一侧；有机膜层，设置在缓冲层远离基板的表面，且在盲孔区中具有第一开孔；钝化层，设置在有机膜层远离基板的一侧，且在盲孔区中具有第二开孔；透明电极层，覆盖钝化层和第二开孔中的缓冲层。本发明所提出的显示基板，其缓冲层在盲孔区中的表面虽会被钝化层的干法刻蚀成凹凸不平，但通过在缓冲层的表面进一步形成平整的透明电极层，从而使盲孔区内的均一性更好，在减缓盲孔区发黄问题的同时，还可保证盲孔区的透过率达到90％以上。
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公开(公告)号：CN111900195B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202010935560.1
申请日：2020-09-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 福州京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H10K59/131 , H01L27/12 , H01L21/77 , H10K50/81 , H10K59/121 , H10K71/00
摘要： 本公开提供了一种显示基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，薄膜晶体管包括：有源层，有源层的材料包括：氧化物半导体材料；第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；氧容纳层位于第一电极和衬底基板之间，氧容纳层配置为在沉积用于构成所述第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补有源层中的氧空位。本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法和显示装置。
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公开(公告)号：CN114256271A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011023517.4
申请日：2020-09-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种背板。所述背板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸。本发明提供的像素结构可以降低像素结构的面积提高TFT(薄膜晶体管)的宽长比，以提升驱动晶体管的驱动能力并提高背板的分辨率。
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公开(公告)号：CN113838938A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010591838.8
申请日：2020-06-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/12
摘要： 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及电子装置，该薄膜晶体管包括衬底和位于衬底上的有源层，有源层包括层叠设置的多层氧化物，该多层氧化物包括沟道层、过渡层和第一阻挡层，沟道层为多层氧化物中载流子迁移率最大的层，沟道层为结晶氧化物层或者非晶氧化物层，过渡层直接接触沟道层，第一阻挡层为该多层氧化物中的最外层氧化物，第一阻挡层和过渡层都为结晶氧化物层，第一阻挡层和过渡层的结晶化程度都大于沟道层的结晶化程度，第一阻挡层和过渡层的带隙都大于沟道层的带隙。该薄膜晶体管具有高迁移率和高稳定性。
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公开(公告)号：CN111900195A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010935560.1
申请日：2020-09-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 福州京东方光电科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种显示基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，薄膜晶体管包括：有源层，有源层的材料包括：氧化物半导体材料；第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；氧容纳层位于第一电极和衬底基板之间，氧容纳层配置为在沉积用于构成所述第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补有源层中的氧空位。本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法和显示装置。
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公开(公告)号：CN114256272A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011025488.5
申请日：2020-09-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种背板。所述背板包括衬底基板、行列交错的栅线、数据线和电源线，以及，阵列分布的像素结构；所述像素结构包括驱动晶体管、与驱动晶体管连接的开关晶体管，以及，与驱动晶体管连接的像素电极，所述栅线和所述数据线分别与开关晶体管连接，所述电源线与所述驱动晶体管连接；在同一行像素结构或同一列像素结构中，在第2n‑1个像素结构和第2n个像素结构之间设置有电源线，所述电源线与所述第2n‑1个像素结构中的驱动晶体管的源极连接，所述电源线与所述第2n个像素结构中的驱动晶体管的源极连接；n为大于或等于1的正整数。本发明可以节省像素面积，进而能够通过节省下来的像素面积合理布局像素结构中的驱动晶体管。
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公开(公告)号：CN110945414A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201980002457.7
申请日：2019-11-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/13363 , G02F1/1337 , G02F1/1343
摘要： 一种显示装置，包括：阵列基板；对向基板，面对阵列基板；在阵列基板和对向基板之间的液晶层；至少一个光学补偿膜，位于阵列基板和对向基板之间，延伸遍及显示装置的整个显示区域；控制电极，位于阵列基板和对向基板之间，延伸遍及显示装置的整个显示区域；以及背光，被配置为提供用于图像显示的光。处于暗态的液晶层具有第一相位延迟量。在控制电极的控制下，当液晶层处于暗态时，至少一个光学补偿膜提供第二相位延迟量。第一相位延迟量和第二相位延迟量的总和与从背光发出的光的波长的整数倍基本相同。
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公开(公告)号：CN113838801B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202010591840.5
申请日：2020-06-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 一种半导体基板的制造方法和半导体基板。所述制造方法包括当所述衬底基板在第一温度时，在衬底基板上的一界面处形成所述第一半导体层，其中，所述第一半导体层的材料为第一氧化物半导体材料；在所述第一半导体层上直接形成所述第二半导体层，其中，第二半导体层的材料为第二氧化物半导体材料；所述第一半导体层、所述第二半导体层分别被图案化为种子层、第一沟道层，第一沟道层和所述种子层均为结晶相层，其中，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料均能够在第二温度下形成为结晶相，第二温度小于等于40℃，第一温度大于等于100℃。
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