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公开(公告)号：CN108807239A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810719307.5
申请日：2018-07-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本公开提出一种激光密封装置及半导体器件的封装方法，激光密封装置包括激光源及挡板。激光源的移动路径包括沿移动方向依序循环连接的功率升高段、功率降低段和额定段，功率升高段在移动方向上具有第一起点和第一终点，功率降低段在移动方向上具有第二起点和第二终点，第一终点与第二起点重合。挡板设于激光源与半导体器件之间，挡板能在第一遮挡位置和第二遮挡位置之间移动，以分别遮挡功率升高段和功率降低段。挡板位于第一遮挡位置，激光源首次移至第一起点并由此出发，且功率在移至第一终点时由零升至额定值。挡板位于第二遮挡位置，激光源再次由第一起点移至第一终点时功率为额定值。激光源功率再次由第二起点移至第二终点时由额定值降至零。
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公开(公告)号：CN107507855A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710872735.7
申请日：2017-09-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/32 , G02F1/1335 , G02B5/30
CPC分类号： H01L27/3225 , G02B5/3041 , G02F1/133528
摘要： 本发明的实施例提供一种显示模组及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可提高亮度均一性。该显示模组，包括显示面板和设置于所述显示面板出光侧的透过率调节结构；所述透过率调节结构的透过率，随所述显示面板的显示亮度区域性分布规律，呈区域性变化。
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公开(公告)号：CN206721352U
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201720514260.X
申请日：2017-05-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本实用新型提供一种掩膜板，包括阻挡部和多个拼接设置的子掩膜板，阻挡部在子掩膜板所在平面的正投影覆盖相邻子掩膜板之间的间隙，且阻挡部的材料为非磁性材料。在蒸镀过程中，磁力组件所产生磁力不会对阻挡部产生吸力，相应阻挡部不会对子掩膜板施加作用力，因此，可以减小子掩膜板的边缘的变形量，避免子掩膜板发生变形或褶皱，从而避免背板产生混色不良，进而提高蒸镀工艺的良率。
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公开(公告)号：CN208570606U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201821196232.9
申请日：2018-07-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板和显示设备，涉及显示技术领域，用于减小阵列基板中交叠走线之间的短路现象，本实用新型的主要技术方案为：一种阵列基板，包括：第一导电层，所述第一导电层的一侧设有第一绝缘层，所述第一绝缘层背离于所述第一导电层的一侧设有第二导电层；所述阵列基板包括像素区域和信号输入区域，其中，所述像素区域对应的第一绝缘层厚度小于所述信号输入区域对应的第一绝缘层厚度。
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公开(公告)号：CN207409495U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721634068.0
申请日：2017-11-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本实用新型公开了用于有机发光显示器件的背板以及有机发光显示装置。该背板包括：基底，所述基底上设置走线结构以及薄膜晶体管，其中，所述走线结构包括初始化电压输入线，所述初始化电压输入线与所述薄膜晶体管的薄膜晶体管电极同层同材料设置。由此，该背板具有以下优点的至少之一：初始化电压输入线的电压信号稳定，可以显著改善OLED中横条不良，背板结构简单，通过简单的制备工艺即可获得，无需大幅改进现有的背板制备工艺。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207265058U
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201721231226.8
申请日：2017-09-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/32 , G02F1/1335
摘要： 本实用新型的实施例提供一种显示模组及显示装置，涉及显示技术领域，可提高亮度均一性。该显示模组，包括显示面板和设置于所述显示面板出光侧的透过率调节结构；所述透过率调节结构的透过率，随所述显示面板的显示亮度区域性分布规律，呈区域性变化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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