公开(公告)号：CN101405869B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780009277.9

申请日：2007-02-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  安部胜美 ,  佐野政史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的薄膜晶体管至少具有半导体层，包括：在基片上的源电极、漏电极和沟道区；栅绝缘膜；和栅电极，其中所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在与氧化物半导体层的界面侧高，而氧浓度朝栅电极侧降低。

公开(公告)号：CN101681927A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015916.7

申请日：2008-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  林享 ,  佐野政史 ,  云见日出也

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1233

Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。

公开(公告)号：CN101563720A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047263.6

申请日：2007-12-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安部胜美

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/061 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/043

Abstract: 公开一种抑制驱动晶体管的特性差异和由电气应力导致的特性偏移的影响的发光显示装置。该装置包括多个像素，每个像素包括以基于供给的电流确定的亮度发光的有机EL元件(OLED)以及用于基于来自数据线的控制电压向OLED供给电流的驱动电路。该驱动电路包括用于OLED的驱动晶体管(D－TFT)、电容器元件和多个开关元件。D－TFT具有与OLED的阳极端子连接的源极端子。电容器和开关元件工作，使得当从驱动电路向OLED供给电流时，D－TFT的栅极端子和源极端子之间的电压差为以下两个电压的和，所述两个电压即：驱动晶体管的阈值电压、以及根据电流设定时段期间的驱动晶体管的漏极端子的电压和控制电压所确定的电压。

公开(公告)号：CN101427296A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014165.2

申请日：2007-08-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安部胜美

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3241 ,  G09G3/2011 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/061 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0238 ,  G09G2330/025

Abstract: 一种使用仅由单极性薄膜晶体管形成的驱动电路的发光显示设备，该驱动电路能够抑制晶体管的特性漂移的影响，并且可应用于大的、高分辨率的发光显示器。该设备包括具有有机EL器件(LED)和其驱动电路的像素。在电流写时期期间，驱动电路将TFT3、TFT4和TFT5设置为导通，并且通过开关TFT3将地线和LED的一端设置为相同的电压。通过TFT4和TFT5将来自数据线的电流提供给形成电流镜电路的晶体管L－TFT和D－TFT，并且将L－TFT和D－TFT的栅极端子和源极端子之间的电压保持在电容器内。在LED驱动时期期间，中断TFT3、TFT4和TFT5，并且根据保持电压将在D－TFT的源极和漏极之间流动的电流提供给LED。

公开(公告)号：CN101405869A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009277.9

申请日：2007-02-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  安部胜美 ,  佐野政史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的薄膜晶体管至少具有半导体层，包括：在基片上的源电极、漏电极和沟道区；栅绝缘膜；和栅电极，其中所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在与氧化物半导体层的界面侧高，而氧浓度朝栅电极侧降低。