调色剂
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113848689A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202110699116.9

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 本发明涉及调色剂。一种包括调色剂颗粒和外部添加剂A的调色剂,该调色剂颗粒包含树脂A,其中树脂A为由下式(1)表示的树脂,树脂A存在于调色剂颗粒的表面,外部添加剂A为包含硅的细颗粒,外部添加剂A的形状因子SF‑1的平均值为105至120,外部添加剂A的形状因子SF‑2的平均值为100至130,

    电子照相方式和静电印刷方式用的调色剂

    公开(公告)号:CN107367912B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN201710325743.X

    申请日:2017-05-10

    Abstract: 本发明涉及电子照相方式和静电印刷方式用的调色剂。公开了一种调色剂,其包括各自包括包含粘结剂树脂的芯部和包含有机硅聚合物的表层的调色剂颗粒,其中所述调色剂颗粒各自包含在20℃下的电阻率为2.5×10‑8Ω·m以上且10.0×10‑8Ω·m以下的多价金属元素,并且当调色剂颗粒进行X‑射线荧光分析时,源于多价金属元素的净强度为0.10kcps以上且30.00kcps以下。

    调色剂
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107015449B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201710059866.3

    申请日:2017-01-24

    Abstract: 本发明涉及调色剂。提供一种调色剂,其即使在调色剂盒内的调色剂量少时显影耐久性也优异且也具有优异的实心追随性。所述调色剂包括各自具有包含有机硅聚合物的表面层的调色剂颗粒,其中:有机硅聚合物包括具有由下式(1)和(2)表示的部分结构的硅氧烷系聚合物;和在通过调色剂颗粒的四氢呋喃不溶性物质的29Si‑NMR测量获得的图中,归属于由下式(1)表示的部分结构的峰的面积RT3和归属于由下式(2)表示的部分结构的峰的面积RfT3满足下式(3):0.300>(RfT3/RT3)≥0.010 (3) R‑SiO3/2 (1) Rf‑SiO3/2 (2)。

    调色剂
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107037700B

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201710064236.5

    申请日:2017-02-04

    Abstract: 一种调色剂,其包含:含有调色剂基础颗粒和固着至所述调色剂基础颗粒表面的树脂颗粒的调色剂颗粒,所述调色剂基础颗粒含有粘结剂树脂和着色剂;和无机细颗粒A,其中所述调色剂颗粒的表面具有来源于所述树脂颗粒的凸部,所述凸部的长边的平均长度(D)为50nm至300nm,所述凸部的平均高度(H)为25nm至250nm,所述凸部的长边平均长度和平均高度满足特定的关系,和所述无机细颗粒A的稠密度平均值为0.40至0.80,和所述无机细颗粒A的附着率为0.1面积%至5.0面积%。

    调色剂颗粒的生产方法
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105372952B

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201510364958.3

    申请日:2015-06-26

    Abstract: 本发明涉及调色剂颗粒的生产方法。提供一种包含有机硅聚合物的调色剂颗粒的生产方法,所述调色剂颗粒通过混合有机硅化合物和含有基体颗粒的水性介质,并聚合该有机硅化合物来生产。该有机硅化合物具有由式(1)或(2)表示的特定结构:其中R1、R2、R3和R4独立地代表氢原子、卤素原子、羟基、氨基或烷氧基,其中R5代表烷基、烯基或苯基,并且R6、R7和R8独立地代表氢原子、卤素原子、羟基、氨基或烷氧基,所述有机硅聚合物通过在80.0℃以上且105.0℃以下的温度下聚合来生产。

    防污性构件、体外诊断设备用构件及防污性构件的生产方法

    公开(公告)号:CN119570362A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411241984.2

    申请日:2024-09-05

    Abstract: 本发明涉及防污性构件、体外诊断设备用构件及防污性构件的生产方法。提供可以实现低蛋白质吸附性和耐久性二者的防污性构件。防污性构件具有形成在基材上的膜。该膜包含硅烷偶联剂的水解产物的缩合物或膦酸衍生物的缩合物。该膜不含卤素原子。该膜在pH为7的水中的zeta电位为‑10.0mV至10.0mV。防污性构件的B/A值为2.0~5.0,其中A表示在基材的XPS分析中C原子的量与以最大量包含在基材表面中的元素X的原子的量之比,并且B表示在基材上的膜的XPS分析中C原子的量与元素X的原子的量之比。

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