调色剂
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113848689B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202110699116.9

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 本发明涉及调色剂。一种包括调色剂颗粒和外部添加剂A的调色剂,该调色剂颗粒包含树脂A,其中树脂A为由下式(1)表示的树脂,树脂A存在于调色剂颗粒的表面,外部添加剂A为包含硅的细颗粒,外部添加剂A的形状因子SF‑1的平均值为105至120,外部添加剂A的形状因子SF‑2的平均值为100至130,#imgabs0#

    调色剂
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102789147B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201210154409.X

    申请日:2012-05-17

    CPC classification number: G03G9/09733 G03G9/08795 G03G9/08797 G03G9/09783

    Abstract: 本发明涉及调色剂。提供一种调色剂,其具有包含带电组分和包含下式(1)所示的芳香族化合物的调色剂颗粒:式(1)其中R1至R3各自独立地表示氢原子、羟基、羧基、具有1-18个碳原子的烷基或具有1-18个碳原子的烷氧基;R4至R7各自独立地表示氢原子、羟基、具有1-18个碳原子的烷基或具有1-18个碳原子的烷氧基;R8表示氢原子或甲基;和m表示1-3的整数。

    调色剂
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102789146A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210154030.9

    申请日:2012-05-17

    CPC classification number: G03G9/09733 G03G9/09741 G03G9/0975 G03G9/09783

    Abstract: 本发明涉及调色剂。提供一种调色剂,其具有包含下式(1)所示的芳香族化合物和着色剂的调色剂颗粒:式(1)其中R1至R3各自独立地表示氢原子、羟基、羧基、具有1-18个碳原子的烷基或具有1-18个碳原子的烷氧基;R4至R8各自独立地表示氢原子、羟基、具有1-18个碳原子的烷基或具有1-18个碳原子的烷氧基;和m表示1-3的整数。

    调色剂
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108873632B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN201810462904.4

    申请日:2018-05-15

    Abstract: 本发明涉及调色剂。一种调色剂,其包括含有粘结剂树脂和脱模剂的调色剂颗粒,其中所述调色剂颗粒具有含有有机硅聚合物的表面层;和调色剂颗粒的背散射电子图像的亮度直方图具有两个峰值P1和P2以及P1和P2之间的极小值V,P2源自所述有机硅聚合物,给予P1和P2的亮度在特定范围内,P1和P2的百分比各自为0.50%以上,使用V处的亮度Bl作为参照点,且A1、AV和A2满足特定的关系,其中A1为亮度范围0至(Bl–30)处的总像素数,AV为亮度(Bl‑29)至(Bl+29)处的总像素数,和A2为亮度(Bl+30)至255处的总像素数。

    调色剂
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112286020A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202010723664.6

    申请日:2020-07-24

    Abstract: 本发明涉及调色剂。一种调色剂,其包括调色剂颗粒,其中所述调色剂颗粒包括含有粘结剂树脂的调色剂基础颗粒,并且包括在所述调色剂基础颗粒的表面上的凸部;所述凸部包含有机硅聚合物和多元酸金属盐;并且所述多元酸金属盐存在于所述凸部的表面上。

    调色剂
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107015449A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710059866.3

    申请日:2017-01-24

    Abstract: 本发明涉及调色剂。提供一种调色剂,其即使在调色剂盒内的调色剂量少时显影耐久性也优异且也具有优异的实心追随性。所述调色剂包括各自具有包含有机硅聚合物的表面层的调色剂颗粒,其中:有机硅聚合物包括具有由下式(1)和(2)表示的部分结构的硅氧烷系聚合物;和在通过调色剂颗粒的四氢呋喃不溶性物质的29Si‑NMR测量获得的图中,归属于由下式(1)表示的部分结构的峰的面积RT3和归属于由下式(2)表示的部分结构的峰的面积RfT3满足下式(3):0.300>(RfT3/RT3)≥0.010 (3)R‑SiO3/2 (1)Rf‑SiO3/2 (2)。

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