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公开(公告)号：CN110592673A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811534979.5
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，旨在提高生长的SiC晶体质量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5-50mm，远离高温区，待达到一定的温度和压力条件下，坩埚缓慢下降，下降距离与坩埚上推距离一致，之后在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在晶体生长初期，使籽晶远离高温区，消除因温度高导致的籽晶烧蚀，从而消除平面六方空洞缺陷；同时保证SiC原料的充分利用，从而获得高品质的大尺寸碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN105734671A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410754298.5
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅原料表面上增加了一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层，其优点是：耐高温化学性能稳定碳化物粉末层能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN105734672A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410758917.8
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法，其包括将装有碳化硅原料、籽晶的石墨坩埚放入SiC晶体生长炉，将含氧的气体如二氧化碳或氧气通过管道直接引入到石墨坩埚，从而生长出高质量碳化硅晶体。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明的不同之处在于：在生长体系中引入了氧气或二氧化碳等含氧气体，通过富含氧的气体消耗掉悬浮在生长气氛中的石墨细小颗粒，从而能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN105463575A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201610024961.5
申请日：2016-01-15
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅籽晶处理方法，通过在籽晶生长面的背面形成致密的碳硅钇或碳化钇膜涂层来抑制籽晶的背面蒸发，生长出高质量的碳化硅晶体。由于该涂层的耐高温特性、以及材料组成的特殊性，直接抑制了碳化硅晶体背面的升华过程，有效消除了晶体生长过程中由背面蒸发导致的平面六角缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产率。
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公开(公告)号：CN110592673B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811534979.5
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，旨在提高生长的SiC晶体质量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5‑50mm，远离高温区，待达到一定的温度和压力条件下，坩埚缓慢下降，下降距离与坩埚上推距离一致，之后在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在晶体生长初期，使籽晶远离高温区，消除因温度高导致的籽晶烧蚀，从而消除平面六方空洞缺陷；同时保证SiC原料的充分利用，从而获得高品质的大尺寸碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN105463575B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610024961.5
申请日：2016-01-15
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅籽晶处理方法，通过在籽晶生长面的背面形成致密的碳硅钇或碳化钇膜涂层来抑制籽晶的背面蒸发，生长出高质量的碳化硅晶体。由于该涂层的耐高温特性、以及材料组成的特殊性，直接抑制了碳化硅晶体背面的升华过程，有效消除了晶体生长过程中由背面蒸发导致的平面六角缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产率。
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公开(公告)号：CN109844185B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780054385.1
申请日：2017-03-30
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 提供用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和装置。该方法包括：将SiC粉料装入第一石墨坩埚中，在第一石墨坩埚上倒置安装第二石墨坩埚；将安装好的两个石墨坩埚放入加热装置中，将加热装置抽真空并升温至预设温度；其中，第一石墨坩埚位于相对高温区，第二石墨坩埚位于相对低温区，SiC粉料升华并被输运至第二石墨坩埚中而结晶，以获得结晶的SiC原料，该原料将被用于生长SiC晶体。该装置包括第一、第二石墨坩埚以及加热装置，且自第二石墨坩埚底部向上设置隔离件，该隔离件与第二石墨坩埚的侧壁间隔预定距离。该方法和装置能够降低由此原料制得的SiC晶体中的杂质含量，减少微观包裹物，降低位错密度，提供中后期SiC晶体的生长速率和产率。
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公开(公告)号：CN105420812B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510587796.X
申请日：2015-09-16
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法。该方法主要利用氧化性酸在一定温度下可以与籽晶粘合剂——糖或有机胶等有机物发生化学反应，而碳化硅籽晶不与氧化性酸反应，从而将碳化硅籽晶从籽晶托上剥离，剥离下的籽晶通过水洗、烘干和返抛后可再用于晶体生长。
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公开(公告)号：CN105734672B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410758917.8
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法，其包括将装有碳化硅原料、籽晶的石墨坩埚放入SiC晶体生长炉，将含氧的气体如二氧化碳或氧气通过管道直接引入到石墨坩埚，从而生长出高质量碳化硅晶体。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明的不同之处在于：在生长体系中引入了氧气或二氧化碳等含氧气体，通过富含氧的气体消耗掉悬浮在生长气氛中的石墨细小颗粒，从而能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN105734671B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410754298.5
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅原料表面上增加了一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层，其优点是：耐高温化学性能稳定碳化物粉末层能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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