公开(公告)号：CN104392989A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410638547.4

申请日：2014-11-06

申请人： 北京大学

发明人： 王源 ,  郭海兵 ,  陆光易 ,  张立忠 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC分类号： H01L27/02 ,  H02H9/04

摘要： 本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，尤其涉及一种基于可控硅作为泄放器件的ESD保护电路。该ESD保护电路包括泄放器件可控硅，以及PMOS晶体管MP；其中，所述PMOS晶体管MP的源极与正向偏置的二极管D2的n端相连，所述PMOS晶体管MP的漏极接地，所述PMOS晶体管MP的栅极与电源管脚VDD相连；其中，二极管D1、所述可控硅的寄生三极管Qpnp的发射极-基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻Rn、所述二极管D2以及所述PMOS晶体管MP构成所述直流触发模块。本发明提供的直流触发基于可控硅的ESD保护电路，在芯片正常工作时有效的减少了漏电流；在ESD冲击来临时，可控硅作为泄放器件仍能有效触发。

公开(公告)号：CN104051505A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410283340.X

申请日：2014-06-23

申请人： 北京大学

发明人： 王源 ,  张立忠 ,  陆光易 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L23/60 ,  H01L29/0684

摘要： 本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，尤其涉及一种LDMOS ESD器件。本发明的LDMOS ESD器件在源漏区的下方引入P+掺杂区，使得在LDMOS ESD器件获得更高的二次击穿电流。当ESD冲击发生时，寄生的晶体管作为主要静电放电器件，使得新型LDMOS ESD器件的单位面积静电放电电流增大，从而获得高的ESD保护水平。另外，本发明的LDMOS ESD器件的触发电压由LDMOS晶体管P+掺杂层的引入，实现了触发电压可调节。