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公开(公告)号：CN102437512A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110267365.7
申请日：2011-09-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种气体开关，包括上电极、下电极、绝缘套筒、金属套筒，上电极与下电极是由高密度石墨材料制成并呈轴向对称设置，上电极的下部、下电极的上部以及金属套筒的上部都经过倒圆角处理，绝缘套筒紧套于下电极的外部，绝缘套筒的高度小于下电极的高度，金属套筒紧套于绝缘套筒的外部，金属套筒的高度与下电极的高度基本相同。金属套筒紧靠在绝缘套筒的外部，从而避免了因下电极严重烧蚀而导致的气体开关导通性能下降的问题，同时延长了气体开关的使用寿命。此外，下电极与金属套筒之间形成的凹槽可以让等离子体向上电极方向运动，从而有效地保证气体开关的击穿和导通性能。
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公开(公告)号：CN101958513A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010272647.1
申请日：2010-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01T21/00
Abstract: 本发明公开了一种气体火花开关电极座的制作方法，步骤为：①选择电极座套的材料及加工数据使其满足设定的要求；②采用①选择的材料和加工数据加工一个碗形的电极座套，安装在电极座上，电极座套和电极座之间构成一个榫卯结构，使电极座的内水平接触面和电极座套的内水平接触面紧密接触；③将电极、电极座套和电极座三个部件整体压接在一起。依据本发明所提供的方法制作的气体火花开关电极座，可实现电极座的重复使用，更换使用过多次的旧电极即可使得气体开关实现更新，从而倍增气体开关使用寿命，降低开关设备运行维护成本。
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公开(公告)号：CN101819851A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010164520.8
申请日：2010-05-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高能电容器组保护电感，包括绝缘外筒1、绝缘内筒2、绝缘端盖3、软态合金丝或软态合金丝带5以及引出片6，所述绝缘内筒2上车有槽，软态合金丝或软态合金丝带5绕在所述槽中，软态合金丝或软态合金丝带5两端的引出线分别与引出片6固接，所述绝缘内筒2套接有外绝缘外筒1，绝缘内筒2两端设置有绝缘端盖3。本发明的保护电感既能调节系统中的电流波形，又能吸收高功率电源系统中某一个电容器短路时系统的总能量而不发生爆炸，减少了系统其他设备发生二次损害，本发明能很清楚发现故障点，保证了系统工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN119199254A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411707025.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R21/14 , G01R29/02 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本申请提供了一种强电脉冲测量系统的温度误差补偿方法及系统，属于脉冲功率技术领域，方法包括：根据器件温度系数函数以及干扰权重占比识别，分析器件对待补偿强电脉冲测量系统输出综合误差的影响，识别系统关键器件；以关键器件的温度系数函数为输入，以系统运行域内温度系数均方根达到最小为目标，采用第一深度卷积神经网络进行关键器件温度系数的优化分配；根据分配的关键器件的最优温度系数，利用温度传感器与可编程器件，通过第二深度卷积神经网络调节关键器件实际温度系数；基于关键器件的实际温度系数与分配的关键器件的最优温度系数的差值，再对测量系统的输出整体温度进行补偿。本申请实现了测量系统全温度运行域的温度系数有效补偿。
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公开(公告)号：CN113780739B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202110918976.7
申请日：2021-08-11
Applicant: 华中科技大学 , 国网湖北省电力有限公司营销服务中心(计量中心) , 中国电力科学研究院有限公司 , 西北机电工程研究所
IPC: G06Q10/0639 , G06F17/18
Abstract: 本发明公开了一种冲击电流测量装置不确定度评定方法及系统，包括：S1、确定冲击电流测量装置的误差，并计算各误差在电流测量装置性能指标中所反映出来的不确定度，记为各误差所对应的不确定度；S2、将冲击电流测量装置的误差中不确定度小于预设阈值的误差作为劣势误差，其余误差作为优势误差；S3、采用均匀分布综合法将各劣势误差所对应的不确定度进行并项处理，得到劣势误差所对应的综合不确定度；S4、采用均匀分布综合法对各优势误差所对应的不确定度和劣势误差所对应的综合不确定度进行不确定度合成，得到冲击电流测量装置的不确定度。本发明降低了不确定度较低的劣势误差对合成不确定度分布特性的影响，大大提高了评定结果的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117781795A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311722659.3
申请日：2023-12-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于高能液电爆轰的激波碎岩方法，属于脉冲功率领域，其包括如下步骤：S1：对待破碎的岩石进行评估以获得破碎岩石所需要的总能量，根据岩石破碎过程，将总能量划分为第一、第二、第三级能量，S2：形成与第一级能量大小对应的第一级激波，使第一级激波在岩石中形成微裂纹；S3：形成与第二级能量大小对应的第二级激波，使第二级激波在岩石中扩展微裂纹，形成主裂纹且无破碎区；S4：形成与第三级能量大小对应的第三级激波，使第三级激波在岩石中扩展主裂纹并累计形成贯穿裂纹，实现岩石碎裂。本发明能解决现有传统的炸药激波碎岩方式中存在的难以控制激波强度，爆轰过程不可控，安全性不足，粉尘污染严重的问题。
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公开(公告)号：CN117517918B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410012866.8
申请日：2024-01-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲晶闸管型强流开关暂态近限运行条件测试方法及装置，属于功率半导体器件测试领域，方法包括：触发晶闸管后向其通入脉冲大电流，利用修正热电耦合计算模型计算脉冲大电流下晶闸管的结温：以晶闸管在脉冲大电流工况下的熔铝体积为修正项，对原始热电耦合计算模型计算得到的结温进行修正得到的结果；根据结温与结温阈值之间的大小关系，判断晶闸管是否达到近限，当未达到近限时，设置新的运行条件；重复以上操作直至晶闸管达到近限，记录达到近限时的运行条件。实现脉冲大电流工况下晶闸管近限条件的自动化测量，提高了效率，同时有利于脉冲功率电源的轻型化、高功率化和高储能密度。
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公开(公告)号：CN117430474A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311356385.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高能液电爆轰的能量调控方法，属于脉冲功率技术领域，其包括：金属丝电能与化学能调控，利用复合脉冲功率的高幅值分量，使得金属丝快速沉积电能，并使金属丝化学能完全释放；等离子体通道沉积能量调控，通过复合脉冲功率的长脉宽分量，调节通道沉积能量与对外辐射热量，使得金属粉末与液体介质反应释放能量；金属粉末释放能量调控，调节金属粉末与液体介质反应速率，使得金属粉末与液体介质反应达到自持，提高金属粉能量释放效率；冲击波能量调控，调节复合脉冲功率、金属丝尺寸与金属粉末参数，提高负载沉积能量向冲击波能量转化效率，达到应用需求。本发明方法通过多个环节的匹配，能实现液电爆轰过程中能量精准调控。
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公开(公告)号：CN116722764A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310723768.0
申请日：2023-06-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M9/00
Abstract: 本发明公开了一种高重复工作频率脉冲功率电源的设计方法，脉冲功率技术领域。设计方法包括：确定负载工况，包括各个负载的脉冲电流需求与重复工作频率；脉冲电感设计，根据各个负载的脉冲电流需求与重复工作频率，计算脉冲电感等效工作频率与热负荷，并进行脉冲电感优化使其满足温升要求；晶闸管设计，确定单个晶闸管的最高重复工作频率，针对各个负载确定所需晶闸管数量；放电时序控制，设置各晶闸管放电时序，以满足各个负载的重复工作频率需求。本发明通过控制多组晶闸管的开断，能够实现脉冲电源带多负载重频运行，提高元件利用率，减小脉冲电源体积，同时通过晶闸管的分时复用，降低单个晶闸管热负荷，提高晶闸管寿命与系统可靠性。
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公开(公告)号：CN116554245A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310427740.2
申请日：2023-04-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: C07H15/18 , C07H15/04 , C07H23/00 , C07H17/04 , C07H15/203 , C07H17/07 , C07H13/08 , C07H19/06 , C07H19/16 , C07H13/04 , C07H19/04 , C07H1/00 , C07D309/10
Abstract: 一种三价碘试剂参与的糖苷化方法，其特征在于，糖基供体(I)在三价碘试剂、过渡金属催化剂存在下活化，然后与受体(II)在酸催化下反应或直接反应，得到糖苷化产物(III)；所述糖基供体(I)中，Gly为糖环上一个或多个羟基被保护基保护的糖基；X为氧、硫或硒原子；R为烷基或芳基；所述受体(II)选自含有一个或多个自由羟基的糖类、醇类、酚类、黄酮类、羧酸类、磷酸类、嘧啶类、嘌呤类、酰胺类、磺酰胺类、胍类、芳基胺类、吲哚类、烯醇硅醚类、硫醇或硫酚类亲核试剂。
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