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公开(公告)号：CN106384763B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610932149.2
申请日：2016-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于LED材料的技术领域，公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本发明生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN106531851B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610925721.2
申请日：2016-10-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱及其制备方法，该纳米柱包括生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，沉积在局部非极性GaN模板层上的SixNy保护层，生长在局部非极性GaN模板层上的非极性GaN纳米柱。本发明具有生长工艺简单，结晶质量好等优点。
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公开(公告)号：CN106371160A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610956434.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: G02B3/0037 , H01L33/58
Abstract: 本发明公开了一种双椭球组合透镜，呈左右对称结构，左边结构与右边的结构均由椭球切割而成；左边结构所对应的左椭球的长轴与右边的结构对应的右椭球的长轴相交，夹角为80°～100°；左椭球的圆心与右椭球圆心距离为0.4mm～0.6mm；双椭球组合透镜的底面位于左椭球的圆心与右椭球圆心所在的水平面上。本发明还公开了包含双椭球组合透镜的具有一次光学的封装结构。相比于传统一次光学透镜，它的尺寸更小，延续了芯片尺寸封装自身的优势，对于均匀度的提升更高，反射层的设计有利于元件保持高的光效，为芯片尺寸封装一次光学设计提供了新的研究与应用方向。
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公开(公告)号：CN106328774A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610752400.7
申请日：2016-08-29
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了GaN薄膜的外延生长方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取；(2)使用PLD工艺在衬底上低温外延一层AlN模板：(3)使用MOCVD工艺在AlN模板上外延生长GaN薄膜。与现有技术相比，本发明具有生长时间短，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，可广泛应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN104465927A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410714446.0
申请日：2014-11-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种圆锥簇型图案的LED图形优化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆锥簇组成；所述圆锥簇由一个大圆锥、多个中圆锥及多个小圆锥组成；所述多个中圆锥围绕大圆锥排列成一圈，形成中圆锥圈；所述多个小圆锥围绕中圆锥圈排列成一圈，形成小圆锥圈。本发明与现有技术相比，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，圆锥簇增加了反射面积，对底部出光有明显的增益效果，特别适合用于覆晶封装；实际加工容易获得目标图案，便于推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035792A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210546102.4
申请日：2012-12-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种优化的LED芯片图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的正六棱锥组成，正六棱锥的倾角α为55°~60°；相邻正六棱锥的边距d为1.0~1.2μm。本发明与现有技术相比，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，大大增加了可利用的有效光线，提高LED芯片的外量子效率；正六棱锥图形符合GaN的晶格结构，有助于外延生长高质量GaN晶体，进一步改善了磊晶质量，从而提高了LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN102682179A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210169936.8
申请日：2012-05-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种图形化衬底的LED芯片模型的设计方法，利用Solidworks软件实现LED芯片模型的建立，利用TracePro软件实现LED芯片模型光线追踪，通过分析数据，优化图案参数，获得最佳的LED芯片模型。本发明能够直观明了地通过软件模拟得到LED各面的光通量，避开繁琐的物理数学分析，支持参数的微小调整，能系统研究各种图案的各种参数对LED出光效率的影响，无需成品以检测性能，实现零成本优化，并可根据需要模拟各种材料制备的LED的出光效率，为寻找更佳LED外延结构或衬底材料提供新的思路。
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公开(公告)号：CN117619356A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311728397.1
申请日：2023-12-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/28 , B01J20/30 , C07D311/72
Abstract: 本发明公开了一种Co‑MOF纤维及其制备方法和应用。本发明的Co‑MOF纤维的制备方法包括以下步骤：1)将钴盐和有机配体分散在甲醇中进行配位反应，再分离出固体产物，得到Co‑MOF纳米前驱体；2)将Co‑MOF纳米前驱体分散在水中进行水热反应，再分离出固体产物，即得Co‑MOF纤维。本发明的Co‑MOF纤维能够特异性吸附维生素E，且其制备方法简单、能耗低、结构重现性好，适合进行大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN106531851A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610925721.2
申请日：2016-10-24
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱及其制备方法，该纳米柱包括生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，沉积在局部非极性GaN模板层上的SixNy保护层，生长在局部非极性GaN模板层上的非极性GaN纳米柱。本发明具有生长工艺简单，结晶质量好等优点。
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公开(公告)号：CN103489992B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201310459424.X
申请日：2013-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成；所述穹顶型图案为轴对称的椎体，椎体的底面为半径为0.8～1.2μm的圆形，椎体的高为1.3～1.6μm；椎体沿对称轴的截面为由两段对称的圆弧及一段直线段组成的类三角形；所述圆弧对应的圆心角为5°～15°。本发明还公开了包括上述图形化衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比，具有更优的出光效率，提高LED芯片的外量子效率，有效地抑制螺型位错的产生，进一步改善了磊晶质量，从而提高了LED的内量子效率。
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