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公开(公告)号：CN106384763A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610932149.2
申请日：2016-10-31
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y40/00 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明属于LED材料的技术领域，公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本发明生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN104157754B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410317734.2
申请日：2014-07-03
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在500～700℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN多量子阱。本发明还公开了上述生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，光电性能好。
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公开(公告)号：CN106299041A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610754992.6
申请日：2016-08-29
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/007 , H01L21/02433 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了生长在r面蓝宝石衬底上的非极性LED外延片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用r面蓝宝石衬底，选取晶体取向；(2)对r面蓝宝石衬底进行表面清洁处理；(3)将步骤(2)处理后的r面蓝宝石衬底转移到脉冲激光沉积设备的超高真空生长室生长非极性GaN缓冲层；(4)采用MOCVD工艺横向外延过生长非极性非掺杂u-GaN层；(5)采用MOCVD工艺生长非极性n型掺杂GaN薄膜；(6)采用MOCVD工艺生长非极性InGaN/GaN量子阱；(7)采用MOCVD工艺生长非极性p型掺杂GaN薄膜。本发明提出的制备方法具有工艺简单、省时高效、可大幅度提高薄膜晶体质量和器件性能等特点。
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公开(公告)号：CN106257694A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610754917.X
申请日：2016-08-29
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/0066
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片，包括生长在铝酸镁钪衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的Al纳米岛层，生长在Al纳米岛层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片表面平整、缺陷密度低、光电学性能好。
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公开(公告)号：CN104157754A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410317734.2
申请日：2014-07-03
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在500～700℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN多量子阱。本发明还公开了上述生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，光电性能好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104157743A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410317733.8
申请日：2014-07-03
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长在W衬底上的LED外延片，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在W衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，制备得到的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
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公开(公告)号：CN104134726A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410342740.3
申请日：2014-07-17
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长在Zr衬底上的GaN薄膜，由下至上依次包括Zr衬底上和GaN薄膜；所述GaN薄膜为在500～700℃生长的GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在Zr衬底上的GaN薄膜的制备方法及其应用。本发明的生长在Zr衬底上的GaN薄膜具有位错密度低、晶体质量好的优点，且Zr衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104157756A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410342588.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长在Zr衬底上的LED外延片，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在Zr衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好，制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN104143596A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410318610.6
申请日：2014-07-03
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长在W衬底上的AlN薄膜，包括由下至上依次排列的W衬底和AlN薄膜，所述AlN薄膜为在400～500℃下生长的AlN薄膜。所述W衬底以(110)面为外延面。本发明还公开了上述W衬底上的AlN薄膜及应用。本发明的制备的AlN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN103296158A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310214672.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的掺杂GaN薄膜，所述掺杂GaN薄膜为n型掺杂GaN薄膜或p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的n型或p型掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
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