-
公开(公告)号：CN217009194U
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202122093635.9
申请日：2021-09-01
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： H01L27/06
摘要： 本实用新型公开了开关晶体管技术领域的一种集成开关晶体管分流电容结构，包括开关晶体管和分流电容结构，且分流电容结构叠放于开关晶体管的正上方，所述分流电容包括多个单元分流电容结构，且单元分流电容结构之间为多维度对称结构。本实用新型中，晶体管及叠放在晶体管上的分流电容结构保持多维度对称，以保证电流均匀分布，可以显著改善开关晶体管各级电压分布和谐波表现，可以显著提高芯片上集成开关晶体管的射频信号承压能力和线性度，增加芯片的稳定性。
-
公开(公告)号：CN220440676U
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202322031699.5
申请日：2023-07-31
申请人： 南京元络芯科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种低噪声分布式放大器及电路，放大器包括常规分布式结构和低噪声负载结构；所述低噪声负载结构连接在所述常规分布式结构的输入传输线终端，作为输入等效传输线的终端负载，同时为射频放大器提供参考偏置。所述低噪声负载结构为电流镜结构；所述电流镜结构的输入阻抗等于分布式输入级终端吸收负载的阻抗。该结构可以在不影响低噪声分布式放大器的其他射频指标的情况下，极大降低2GHz以下噪声系数，使得分布式放大器低频端噪声系数小于1.5dB。
-
公开(公告)号：CN217522805U
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202221260113.1
申请日：2022-05-24
申请人： 南京元络芯科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种可调节功率门限检测电路，包括：包括晶体管、放电电阻、短路电容和第一隔直电阻；晶体管的栅极连接第一隔直电阻的一端和短路电容的一端，第一隔直电阻的另一端连接控制信号端，所述短路电容的另一端连接信号输入端；晶体管的漏极连接信号输入端，晶体管的源极作为信号输出端，且晶体管的源极通过放电电阻连接地GND。通过调节控制信号的大小，可以实现对检测电路功率门限的调节。
-
公开(公告)号：CN212519566U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020442534.0
申请日：2020-03-31
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： H05K1/14
摘要： 本实用新型涉及电子设备技术领域，特别涉及一种电路板结构。包括：至少一组电路组件；所述电路组件包括第一电路板、第二电路板和设置于第一电路板和第二电路板之间，用于将所述第一电路板和所述第二电路板连接的第一连接板；所述第一连接板包括第一电极层、第二电极层及设置于所述第一电极层和第二电极层之间的转化层，其中，所述转化层能够在第一电极层和第二电极层的作用下进行柔性和刚性的转化。本申请中的电路板结构，其第一电路板和第二电路板之间可以进行折弯，以解决背景技术中的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN212519563U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020442547.8
申请日：2020-03-31
申请人： 南京元络芯科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及电路板技术领域，特别涉及一种印刷电路板。包括：介质层，所述介质层的一侧形成有用于设置第一金属连接线的第一凹槽，所述介质层的另一侧形成有用于设置第二金属线的第二凹槽，所述第一金属连接线背离所述介质层的一侧位于所述介质层的外侧，所述第二金属连接线背离所述介质层的另一侧位于所述介质层的外侧，且所述第一金属连接线在水平面上的投影位于所述第二金属连接线在水平面上投影之内；其中，所述第一金属连接线背离所述介质层的一侧在水平面上的投影位于所述第一金属连接线的另一侧在水平面上的投影位之内。本申请中的印刷电路板，介质层两侧的金属连接线的宽度不同，以降低制作工艺对不同层间金属线偶合度的影响，降低成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
搜索结果
25 条记录 (耗时 0.03 秒)
