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公开(公告)号：CN116885940A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310774879.4
申请日：2023-06-28
申请人： 南京元络芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种低损耗电荷泵，电荷泵包括，环路自激振荡器模块，包括多个依次连接的限流反相器；电荷泵模块，包括多条电荷泵支路，一个限流反相器连接一条电荷泵支路；所述电荷泵支路包括多个串联的低电平打开，高电平截止类型的管子和高电平打开，低电平截止类型的管子。本发明通过环路自激振荡器模块的设计，以及电荷泵模块的改进，利用震荡器本身产生的几个不同的逻辑波形，在不用任何逻辑门的条件下，减少了电荷泵电路的整体噪声和电流，保证应用可靠性。
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公开(公告)号：CN114285268A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111590907.4
申请日：2021-12-23
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了降低噪声的电荷泵电路，包括连接在第一泵电容C1和第二泵电容C2上极板的第一受控开关单元，以及连接在第一泵电容C1和第二泵电容C2下极板的第二受控开关单元；第一受控开关单元还包括充电限流电阻和放电限流电阻；产生非交叠的时钟信号控制开关断开和闭合，以使输入电源分别向第一泵电容和第二泵电容充电，并能够使第一泵电容C1和第二泵电容C2分别将所充电荷转移至负载电容C3；以及通过控制开关断开和闭合将充电限流电阻和放电限流电阻切入或者切出。
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公开(公告)号：CN114564902A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210085836.0
申请日：2022-01-25
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： G06F30/3308 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，包括若干个MOS管，MOS管的源级、栅级依次相连堆叠成开关栈，开关栈连接高压信号Vin的一端为高阶，连接低压信号Vout的一端为低阶，射频信号从高阶输入，低阶输出，所述每个MOS管的漏极和源极之间并联接入阻抗元件，每个阻抗元件的阻抗值从低价开始向高价逐级递减。本发明设计了MOS管的源漏并联阻抗元件，每级源漏并联阻抗元件并不相同，源漏并联阻抗元件阻抗值大小与其所在阶数的位置关系有关。每级源漏并联阻抗元件大小呈递减关系。利用改变源漏并联阻抗元件来匹配栅极泄露电流，以平衡级间电压分布。
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公开(公告)号：CN112260671B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011421819.7
申请日：2020-12-08
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明提供了一种栅极电压再平衡的集成射频开关，涉及半导体器件领域，包括多个串联的单级开关器件，所述单级开关器件包括场效应管、栅极电阻和第一等效电容结构；场效应管的漏极为所在单级开关器件的高阻抗端，场效应管的源极为所在单级开关器件的低阻抗端，相邻两个单级开关器件的高阻抗端和低阻抗端连接，用于隔离射频信号所述栅极电阻的一端为控制端，所述栅极电阻的另一端与所在单级开关器件的场效应管栅极相连接，所述第一等效电容结构用于平衡所在单级开关器件的栅极电压，在所有单级开关器件中，第一等效电容结构的安装位置一致。等效电容结构用于平衡栅极电压，通过增加等效电容结构，改善开关电路的承压能力，保证应用可靠性。
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公开(公告)号：CN114337251A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111590898.9
申请日：2021-12-23
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种低电压噪声电荷泵电路，包括时钟单元、电容单元和开关单元；时钟单元，用于产生非交叠的时钟信号控制所述第一受控开关单元和第二受控开关单元中的开关打开和闭合，电容单元包括第一泵电容C1、第二泵电容C2以及负载电容C3；开关单元，包括连接在第一泵电容和第二泵电容上极板的第一受控开关单元，以及连接在第一泵电容和第二泵电容下极板的第二受控开关单元，所述第一受控开关单元和第二受控开关单元都由所述时钟单元信号控制开闭以使输入电源能向第一泵电容和第二泵电容充电，并能够使第一泵电容C1和第二泵电容C2将所充电荷转移至所述负载电容C3。本发明能够解决mos管之间的串扰现象，降低输出电压的噪声，提升电路效率。
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公开(公告)号：CN116317950A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310306846.7
申请日：2023-03-27
申请人： 南京元络芯科技有限公司
摘要： 本发明提供一种低功耗环形振荡器，通过环形振荡器产生有相位差的波形控制buffer里支路上产生对应相位差的波形，再用buffer产生的三个波形控制buffer相邻支路上有并联电阻的开关，来实现缓冲器buffer里同支路上开关不存在同时开的情况，以此来减小功耗和电流噪声，提升电路在实际应用中的可靠性。而原电路并为做过多的降噪处理。
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公开(公告)号：CN112234142B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011461676.2
申请日：2020-12-14
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： H01L49/02
摘要： 本发明提供了一种高功率射频半导体集成电阻和半导体芯片，涉及半导体器件领域，设置在半导体芯片上，包括信号输入端、信号输出端、电阻层和等效电容结构，电阻层设置在信号输入端和信号输出端之间，等效电容结构与信号输入端相连接；等效电容结构用于分流，通过在高功率射频半导体集成电阻的信号输入端添加等效电容结构，降低输入端流过电阻的电流密度，并增加高功率射频半导体集成电阻射频信号承载能力以及过电流能力，保证半导体芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN112290931A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011413237.4
申请日：2020-12-07
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0185
摘要： 本发明提供了一种基于化合物半导体的逻辑控制电路，涉及半导体器件领域，包括反相器电路、晶体管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，反相器包括耗尽型晶体管Q2和增强型晶体管Q3，逻辑控制电压流经晶体管Q1，得到反相器电路的输入电压；若反相器电路的输入电压小于预设开关电压，则反相器电路输出高电平；若反相器电路的输入电压大于预设开关电压，则反相器电路输出低电平，减少所需晶体管的数目，并减小芯片中逻辑电路的占用面积。
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公开(公告)号：CN114564902B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210085836.0
申请日：2022-01-25
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： G06F30/3308 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，包括若干个MOS管，MOS管的源级、栅级依次相连堆叠成开关栈，开关栈连接高压信号Vin的一端为高阶，连接低压信号Vout的一端为低阶，射频信号从高阶输入，低阶输出，所述每个MOS管的漏极和源极之间并联接入阻抗元件，每个阻抗元件的阻抗值从低价开始向高价逐级递减。本发明设计了MOS管的源漏并联阻抗元件，每级源漏并联阻抗元件并不相同，源漏并联阻抗元件阻抗值大小与其所在阶数的位置关系有关。每级源漏并联阻抗元件大小呈递减关系。利用改变源漏并联阻抗元件来匹配栅极泄露电流，以平衡级间电压分布。
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公开(公告)号：CN114337251B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111590898.9
申请日：2021-12-23
申请人： 南京元络芯科技有限公司
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种低电压噪声电荷泵电路，包括时钟单元、电容单元和开关单元；时钟单元，用于产生非交叠的时钟信号控制所述第一受控开关单元和第二受控开关单元中的开关打开和闭合，电容单元包括第一泵电容C1、第二泵电容C2以及负载电容C3；开关单元，包括连接在第一泵电容和第二泵电容上极板的第一受控开关单元，以及连接在第一泵电容和第二泵电容下极板的第二受控开关单元，所述第一受控开关单元和第二受控开关单元都由所述时钟单元信号控制开闭以使输入电源能向第一泵电容和第二泵电容充电，并能够使第一泵电容C1和第二泵电容C2将所充电荷转移至所述负载电容C3。本发明能够解决mos管之间的串扰现象，降低输出电压的噪声，提升电路效率。
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