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公开(公告)号：CN112239889B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202011129343.X
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化物气相外延生长系统的气路系统，包括第一HCl导管，N2导管和NH3导管，第一HCl导管通到镓舟处，还包括第二HCl导管，通到接近镓舟区域出口处的位置。并公开了含有该气路系统的卤化物气相外延生长系统，以及减缓卤化物气相外延生长系统中管壁沉积氮化镓的方法。在镓舟区域增加一路HCl到接近出口处，与低温区反应后的GaCl混合，再进行输运，该HCl与GaCl混合气体通过出口处的石英管时，HCl会与管壁上预反应沉积的GaN发生腐蚀反应，减缓管壁沉积，从而不会因管内径缩小导致生长速率和均匀性大幅下降。腐蚀反应生成产物为GaCl，也会提高输运到衬底上方的反应物浓度，保持衬底上GaN生长的长时间高稳定速率，并且提高镓利用率。
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公开(公告)号：CN115685566A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211259060.6
申请日：2022-10-14
Applicant: 南京大学
IPC: G02B27/09 , G02F1/1337
Abstract: 本发明公开了一种产生环形结构光的装置及其制备方法，该装置包括依次设置的氦氖激光器、偏振片、液晶盒、LED紫外光源和CCD；所述液晶盒包括表面涂覆有取向膜的两层基板，间隔粒子和液晶层，所述间隔粒子放置在两层取向膜相对的基板间，形成填充空间用于注入液晶层；所述环形结构光的产生方法包括可重构液晶超结构体系的制备、光路搭建、环形结构光的获取三个部分。本发明利用液晶材料实现了环形结构光的产生，该种通过可重构液晶超结构体系实现振幅型结构光产生的方法具有简单快捷、灵活可靠、成本低廉、可重构便集成等优点。
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公开(公告)号：CN114156347A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111608967.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种高耐压和低导通的横向结构功率肖特基二极管器件，其特征在于其结构自下而上依次包括：具有渐变势垒的器件外延结构，在渐变势垒内形成从高到低指向衬底的极化电场；所述器件外延结构顶部设有深度渐变的阳极凹槽结构，阳极凹槽的底部在沟道层，还包括阳极电极，所述阳极电极覆盖所述阳极凹槽。本发明充分利用了沟道的高电导特性和维持势垒阻挡层，将集中分布在阳极边缘的电场分散抵消或减弱，实现最大程度的器件高耐压和低导通。
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公开(公告)号：CN111554733B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010395256.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构，包括基于Si或蓝宝石衬底外延的包含顶部器件沟道层的多层氮化物半导体薄层结构，在器件缓冲层内生长多个横向高势垒插入层，形成符合缓冲层，并公开了其制备方法。本发明采用采用多层高势垒插入结构，每一个高势垒插入层都是阻挡势垒电场向器件内部扩散的阻挡层，实现最大程度的器件耐压。
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公开(公告)号：CN109097834B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811016835.0
申请日：2018-09-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔网状结构GaN单晶薄膜的方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑2微米的氧化镓薄膜；氨气气氛下氮化，形成多孔网格状分布的GaN/Ga2O3复合薄膜；氢氟酸腐蚀，得到多孔化结构的GaN单晶薄膜。该方法制得的多孔网状结构GaN单晶薄膜及其在作为GaN厚膜的衬底材料上的应用。本发明可得到高质量多孔网状结构GaN单晶薄膜。进一步再氮化还可以提高多孔网状结构GaN单晶薄膜的晶体质量。在上述多孔网状结构GaN单晶薄膜上进行厚膜GaN的卤化物气相外延生长，可以获得低应力高质量的GaN厚膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110335924A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910546752.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性、半极性面的可见光通信光源及相应的图形蓝宝石衬底，选取一蓝宝石衬底加工出光栅状条形图案；在刻蚀工艺中讲台阶侧壁的角度进行优化，优化下一步的生长面角度；在此图形化蓝宝石衬底设计阻挡层，采用氧化硅薄膜作为外延阻挡层；利用化学气相外延法依次生长GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层，并公开了其生长方法。本发明利用非/半极性面在Ⅲ族氮化物极化调控上的优势减弱量子限制斯托克效应的影响，增加电子-空穴波函数在实空间上的交叠，提高载流子的辐射复合占比和速率，该方法适用于利用非极性、半极性面技术有效提高可见光通信性能。
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公开(公告)号：CN110311023A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910546744.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用表面等离激元增强LED光通信器件，在InGaN外延片上形成贯穿介质层、p型GaN层，深至电子阻挡层的阵列式纳米柱结构，所述纳米柱之间填充有金属纳米颗粒或纳米柱侧壁上镀有金属膜。并公开了其制备方法。本发明利用金属表面等离激元效应提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，经由PVD蒸镀、高温热处理、RIE、ICP技术制备纳米结构，使得二次蒸镀金属共振波长与多量子阱的发光波长相匹配，配合寿命谱测试结果修正金属周期、种类、尺寸、浓度等，最终将等离激元耦合状态下的载流子降低至皮秒量级。本方法可有效提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，是一种工艺相对简单、成本低且可靠性高的方法。
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公开(公告)号：CN108051884B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201810004764.6
申请日：2018-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/18 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/137 , G01V8/10
Abstract: 本发明公开了一种涡旋光束探测器及其制备方法，其中，涡旋光束探测器包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于第一基板和第二基板之间的胆甾相液晶层。本发明的涡旋光束探测器在第一基板靠近第二基板的一侧形成第一取向膜，第一取向膜包括第一取向区域和第二取向区域，第一取向区域和第二取向区域的取向膜分子指向矢正交排列，形成达曼叉形光栅；第二基板靠近第一基板的一侧形成第二取向膜，且对应设置，以此控制两基板之间胆甾相液晶的螺旋结构在相邻区域扭曲90度排列，构成一个基于胆甾相液晶的二维达曼叉形光栅，由此实现探测器对涡旋光束的宽波段、高效率、在线式无损探测，同时避免不同轨道角动量之间串扰，增加探测器的探测容量。
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公开(公告)号：CN106249458B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610917593.7
申请日：2016-10-20
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1337 , G01J4/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种液晶装置、制备方法和成像偏振探测系统。该液晶装置包括：基板、设置于所述基板一侧的取向膜以及设置于所述取向膜远离所述基板一侧的液晶层；所述取向膜具有分子指向矢分布呈设定分布的控制图形，以使所述液晶层中的液晶分子自组装形成设定的液晶焦锥畴阵列；所述液晶焦锥畴阵列包含多个具有旋转对称性破缺的液晶焦锥畴单元。本发明实施例提供了一种液晶装置、制备方法和成像偏振探测系统，以实现在对目标探测物成像的同时能够准确获取目标探测物的偏振特性。
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公开(公告)号：CN109097834A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811016835.0
申请日：2018-09-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔网状结构GaN单晶薄膜的方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1-2微米的氧化镓薄膜；氨气气氛下氮化，形成多孔网格状分布的GaN/Ga2O3复合薄膜；氢氟酸腐蚀，得到多孔化结构的GaN单晶薄膜。该方法制得的多孔网状结构GaN单晶薄膜及其在作为GaN厚膜的衬底材料上的应用。本发明可得到高质量多孔网状结构GaN单晶薄膜。进一步再氮化还可以提高多孔网状结构GaN单晶薄膜的晶体质量。在上述多孔网状结构GaN单晶薄膜上进行厚膜GaN的卤化物气相外延生长，可以获得低应力高质量的GaN厚膜材料。
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