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公开(公告)号：CN109542353A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811412514.2
申请日：2018-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种面向广域分布式存储系统的一致性算法，该算法是基于时间戳的EPaxos改进算法。总体上说，客户端发送命令时，同时发送当时时刻的时间戳变量。当命令发生冲突时，不马上退化到Slow Path，而是根据时间戳参数进行排序。若冲突命令的时间戳变量一致时，算法退化为经典Paxos，执行Slow path。在广域网环境下，本发明的算法的吞吐量和延迟性能有所改善。
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公开(公告)号：CN106532217A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610949698.0
申请日：2016-10-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P5/18
CPC classification number: H01P5/18
Abstract: 本发明提出了基于全模波导结构的基片集成波导定向耦合器，属于集成波导技术领域。基于全模波导结构的基片集成波导定向耦合器包括第一层介质基板、第二层介质基板和端口；第一层介质基板的上表面设有上金属层，第一层介质基板的下表面设有耦合金属层；上金属层包括上金属层馈电结构和波导上表面；耦合金属层上设有耦合孔；第二层介质基板的上表面紧贴于第一层介质基板下表面的耦合金属层；第二层介质基板的下表面设有下金属层；下金属层包括下金属层馈电结构和波导下表面；上金属层和下金属层的两个长边上分别设有金属过孔阵列。该定向耦合器的结构更加紧凑，大幅度的减少了定向耦合器的横向尺寸，同时提高了其实际性能。
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公开(公告)号：CN105733309A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201511014849.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P20/124 , C09C1/28 , C01P2004/16 , C01P2004/80 , C09C1/0081 , C09C3/06
Abstract: 本发明公开了一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到管式烧结炉或可以气氛保护的加热装置中，通入氧气和氮气混合气流，然后启动加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为30～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，SiO2包覆层为非晶态，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN103263766A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310214345.2
申请日：2013-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: A63B71/06
Abstract: 一种带有运动信号采集功能的移动终端，属于信号处理领域，本发明为为了解决目前没有一种终端设备能够计算在一次运动中所消耗卡路里的问题。本发明包括位移传感器、加速度传感器、时钟模块、键盘、显示器和嵌入式控制芯片;所述位移传感器、加速度传感器、时钟模块和键盘的信号输出端分别与嵌入式控制芯片的相应信号输入端相连接;显示器显示嵌入式控制芯片处理后的数据;所述嵌入式控制芯片内包括控制模块，该控制模块用于接收从键盘输入的用户的基本信息并进行相应的处理，同时将处理后的数据发送至显示器。用于需要计算运动所消耗的卡路里的领域。
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公开(公告)号：CN106094199B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610652441.9
申请日：2016-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明提供了一种片上光功率分束器的设计方法，其包括以下步骤：确定器件的功能和器件的耦合区域；对耦合区域在X轴、Y轴的平面上进行网格划分成立方块，每个立方块有两种可能的状态：硅材料、空气；将所有的立方块都设定为硅材料，随机选择一个立方块，并转换该立方块的状态，计算出转换前后各输出端总能量以及不同输出端的分光比，如果转换后的输出端总能量提高且不同输出端的分光比更接近于目标分光比，那么保持这个立方块的状态；否则，这个立方块的状态翻转为原来的状态；随机选择下一个立方块，重复上述过程，直至得到满足确定的功能。本发明的方法可在任意半导体材料上实现任意分光比、多输出的自动化设计，方法简单，降低了设计周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105297915B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510594444.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: E04B1/58
Abstract: 一种全铰接柱端结点，它涉及一种梁柱连接构件，为解决传统梁柱连接采用刚性连接，在大震或者中震后出现过量残余变形，从而增大震后维护、重建成本的问题。结点区上柱与结点区下柱上下正对设置，球冠的球面设置在下腹板半圆形凹槽和下柱内加强筋半圆形凹槽中，小球的下端设置在球冠内，小球的上端设置在中空倒四棱锥台的内孔中，四个横梁分别位于结点区下柱的四个侧面，每个横梁的上翼缘与中空倒四棱锥台的上端面齐平，每个横梁的上翼缘通过角钢和连接元件与结点区上柱连接，每个横梁的下翼缘与结点区下柱的上端面齐平，每个横梁的下翼缘通过角钢和连接元件与结点区下柱连接。本发明用于建筑结构工程领域中的抗侧力构件中。
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公开(公告)号：CN105565319A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511014830.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P20/124 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/80
Abstract: 本发明公开了一种基于空气热氧化对SiC纳米线进行表面改性的方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到空气烧结炉或可以直接在空气中加热的装置中，直接在空气气氛中加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为5～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN105225486A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510650150.1
申请日：2015-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G08G1/01
Abstract: 本发明提供了一种填补缺失浮动车数据的方法及系统，该方法包括：数据筛选步骤、地图匹配步骤、划分网格步骤、确定插补区域及时间段步骤、以及插补缺失数据步骤。本发明的有益效果是：本发明通过插补使数据得到完整，可以用于估计交通拥挤程度，计算路段通行速度以及发布当前交通公告，为公众的出行提供便利。
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公开(公告)号：CN102444292B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110325933.4
申请日：2011-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 框架-防屈曲支撑体系防倒塌加固方法，本发明涉及一种框架-防屈曲支撑体系加固方法，针对全钢框架-防屈曲支撑体系在超越罕遇地震的极限情况下易出现框架柱屈曲失稳并导致结构体系连续垮塌问题。方法：一、在待加固的全钢框架-防屈曲支撑体系中的相邻两个框架梁之间的H型钢框架柱的凹槽内增设两个纵向加劲肋，纵向加劲肋与H型钢框架柱的翼缘及梁柱节点横向加劲肋全熔焊透成为一体；二、进行钢质约束构件加工；三、在H型钢框架柱的外围组装及定位钢质约束构件，钢质约束构件与H型钢框架柱之间留有间隙s。本发明能有效防止框架-防屈曲支撑体系在超越罕遇地震极限情况下失稳破坏，抗倒塌能力强。本发明用于框架-防屈曲支撑体系防倒塌加固。
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公开(公告)号：CN101824922B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010187303.0
申请日：2010-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种自复位防屈曲支撑构件，它涉及一种防屈曲支撑构件。本发明的目的为了解决目前安装传统防屈曲支撑构件的结构在大震或者中震后出现过量残余变形从而大大增大震后维护、重建成本及现有摩擦型自复位支撑构件因摩擦板连接螺栓松动及摩擦面易老化而不能正常耗散地震能量的问题。方形内套管、两个耗能内芯板和第一凸形连接板设置在方形内套管内，每个连接板与一对角钢固接，每根复位筋的一端与第一端板连接，每根复位筋的另一端与第二端板连接，第一凸形连接板穿过第一端板的通孔设置在第一端板的外部，方形外套管的两侧端面分别与第一端板和第二端板接触，第二凸形连接板固装在两对角钢内。本发明用于建筑结构工程领域中的抗侧力构件中。
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