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公开(公告)号：CN110571214A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910801709.4
申请日：2019-08-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro-Static discharge)保护电路的设计，尤指一种通过二极管通路、三极管通路、SCR通路共同触发可控硅整流器的结构；具体为一种多触发通道的可控硅整流器结构；相比于传统的二极管单触发通路，本发明结构多了三极管触发通路和SCR触发通路，极大的降低了触发电阻、有效的增大了触发电流、降低了触发电压，从而具有更快的开启速度；当ESD事件发生时，能够有效的泄放ESD脉冲电流。
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公开(公告)号：CN110323207A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910561291.4
申请日：2019-06-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/544 , H01L27/02
摘要： 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发生后首先开启，然后给新型SCR器件的栅极充电，寄生NMOS沟道开启，促使SCR通路提前导通；同时通过调整电压检测电路的器件类型和个数，能够实现触发电压可调节的功能；触发电压可调节的功能使该新型SCR器件适用于多种不同工作电压的电路的ESD防护。
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公开(公告)号：CN106206569B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610659301.4
申请日：2016-08-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于电子技术领域，提供一种一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件，用以降低双向SCR器件的触发电压。本发明双向SCR器件包括1个主器件、主器件两侧的n个、m个触发器件构成，触发器件为二极管器件，相邻近触发器件之间串联；所述主器件在基本双向SCR结构中的第一种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区C内分别设置一个第一种导电类型重掺杂区，将基本双向SCR中仅起隔离作用的封闭的第一种导电类型重掺杂埋层与两侧外部触发二极管串相连，构成了“埋层+二极管串”的低电压触发通道，从而降低双向SCR器件触发电压；同时，能够通过调节触发器件数量实现触发电压可调；本发明还有效提高了器件的开启速度。
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公开(公告)号：CN105405844B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510974226.6
申请日：2015-12-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n‑1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件为双触发SCR器件、n阱触发SCR器件或衬底触发SCR器件，所述主器件阳极作为自偏置堆栈式SCR器件阳极，主器件阴极连接后级堆栈器件阳极，其他后级堆栈器件依次串联。本发明提供自偏置堆栈式SCR器件维持电压随着堆栈器件的数目的增加而增加，且触发电压保持为主SCR器件的触发电压；另外，本发明无需外加任何偏置电路，能够自偏置，提升堆栈式SCR器件性能的同时大大简化器件结构，有效提高集成电路性价比。
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公开(公告)号：CN105374817B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510980245.X
申请日：2015-12-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，提供一种基于锗硅异质结工艺的SCR器件，用于降低SCR器件的触发电压。本发明包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区，第二种导电类型阱区的硅表面上无器件结构区域还设有第一种导电类型锗硅层，第一种导电类型锗硅层上设有第二种导电类型重掺杂多晶硅层，且第二种导电类型重掺杂多晶硅层与阴极相连。本发明将SCR结构与HBT结构结合在一起，有效降低了SCR器件的触发电压，并且本发明的SCR器件能够通过HBT结构调节SCR器件的触发电压。
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公开(公告)号：CN107731811A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710795123.2
申请日：2017-09-06
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件。本发明依靠纵向BJT触发的SCR器件(VBTSCR)在传统LSCR器件基础上引入了一条额外的触发通路：通过在第一种导电类型阱区内引入ESD注入层，构成一个纵向结构的基区浮空NPN晶体管；ESD注入层为一种中等掺杂浓度的P型掺杂区，其掺杂浓度介于漏/源重掺杂有源区浓度和阱区掺杂浓度之间；纵向结构的基区浮空NPN晶体管的共发射极集电结雪崩击穿电压BVCEO很小，将其用作SCR的触发器件，可实现SCR器件触发电压的大幅降低，从而实现对先进纳米工艺下的电路提供有效ESD防护。
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公开(公告)号：CN106206569A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610659301.4
申请日：2016-08-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0255
摘要： 本发明属于电子技术领域，提供一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件，用以降低双向SCR器件的触发电压。本发明双向SCR器件包括1个主器件、主器件两侧的n个、m个触发器件构成，触发器件为二极管器件，相邻近触发器件之间串联；所述主器件在基本双向SCR结构中的第一种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区C内分别设置一个第一种导电类型重掺杂区，将基本双向SCR中仅起隔离作用的封闭的第一种导电类型重掺杂埋层与两侧外部触发二极管串相连，构成了“埋层+二极管串”的低电压触发通道，从而降低双向SCR器件触发电压；同时，能够通过调节触发器件数量实现触发电压可调；本发明还有效提高了器件的开启速度。
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公开(公告)号：CN116009122A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310008033.X
申请日：2023-01-04
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于全介质光学超表面领域，涉及利用几何相位与传输相位联合调制实现偏振控制共轭非对称涡旋光透镜的单层全介质光学超表面。本发明通过引入多种相位调制效应即几何相位与传输相位，使得在旋转45°线性极化平面光束入射下，能够实现共轭非对称的聚焦涡旋光束，即实现了可由左右旋光束偏振状态控制的不同涡旋光束聚焦方向与聚焦距离以及聚焦光斑大小的产生。可根据聚焦涡旋光束出射角与大小，合理选择超表面相位分布，具有集成度高，可调谐等特性；全介质超表面具有低损耗等优点，在光镊，光通信等领域具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN114094557A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111333469.3
申请日：2021-11-11
申请人： 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H02H9/02
摘要： 本发明公开了一种基于扩散电阻的输入信号端口的ESD保护电路，包括扩散电阻RP和RN，本发明采用带有偏置的扩散电阻替代传统方案的固定电阻。当扩散电阻进行特定的偏置时，会形成对VDD和VSS的寄生二极管。当ESD冲击到来时，寄生的二极管形成对VDD和VSS的泄放通路，扩散电阻并联形成ESD的二级保护结构。本发明中，扩散电阻须选用N型和P型两种并联，并施加相应的偏置。因为扩散电阻寄生的二极管实现了对VDD和VSS的泄放通路，减少了元器件的使用，可以节省芯片面积。
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公开(公告)号：CN113871383A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111119364.8
申请日：2021-09-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供了一种反向二极管降低触发电压的改进型LVTSCR器件。该器件在传统LVTSCR器件的基础上，在和阳极连接的P型重掺杂区与跨接硅衬底和n型阱区的n型重掺杂区之间的硅表面上设有一个氧化层区；该氧化层区表面形成多晶硅层；该多晶硅层与在跨接的n型重掺杂区和与阴极连接的n型重掺杂区之间的硅表面上的另一个氧化层区之上的多晶硅层通过一个反向二极管相连。该结构与传统LVTSCR结构相比，通过增加两条新的电流通路，进一步降低触发电压，并且降低HBM电压波形的第二个峰的峰值电压，提高器件的鲁棒性。
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