公开(公告)号：CN115911183A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211627567.2

申请日：2022-12-16

Applicant: 复旦大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 徐航 ,  杨雅芬 ,  朱颢 ,  张卫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开一种雪崩光电二极管器件及其制备方法。该雪崩光电二极管器件包括：硅衬底；在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，在其上方形成有P‑区；在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在硅衬底的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖源极和漏极外的硅衬底表面。与CMOS工艺兼容，可检测低强度光，适用于ToF测距传感器。

公开(公告)号：CN114943789A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210313671.8

申请日：2022-03-28

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 卢冠松 ,  徐航 ,  许春景 ,  付彦伟

IPC: G06T11/60 ,  G06T5/50 ,  G06V10/26 ,  G06V10/771 ,  G06V10/774

Abstract: 本申请公开了一种图像处理方法，应用于人工智能技术领域。在该方法中，将图像编辑任务分成两部分来执行，先基于待编辑区域的提示文本有效地区分图像中的待编辑区域和内容保留区域，然后将输入文本的特征与图像中的内容保留区域的特征进行融合处理，最终得到图像编辑结果。由于预先基于待编辑区域的提示文本来区分图像中的两种区域，因此能够在特征处理阶段只对内容保留区域的特征和输入文本的特征进行融合处理，从而使得图像编辑结果中能够完整地保留内容保留区域的内容，并且图像编辑结果中的编辑内容能够很好地满足输入文本的描述。

公开(公告)号：CN119170638A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411294363.0

申请日：2024-09-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱邦民 ,  杨雨行 ,  徐航 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET及其制备方法。该器件自下而上依次包括碳化硅衬底，N型漂移层和N型载流子存储层；N+区域和P+区域，交替分布在N型载流子存储层上部；深沟槽，贯穿所述N+区域和P+区域，底部位于N型载流子存储层中；P型掩埋层，形成在深沟槽底部的N型载流子存储层中；源极，填充中央N+区域两侧的深沟槽，在侧壁实现与N型载流子存储层的肖特基接触势垒；栅氧层，覆盖最外侧深沟槽的侧壁和底部；栅极，覆盖所述栅氧层并填充最外侧的深沟槽；P型基区，形成于栅极和源极间的N+区域和P+区域下方的N型载流子存储层中；钝化层，覆盖所述栅极表面；源极欧姆接触，覆盖器件表面。

公开(公告)号：CN118431293A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410888590.X

申请日：2024-07-04

Applicant: 嘉善复旦研究院 ,  复旦大学

Inventor： 徐航 ,  杨雅芬 ,  钱哲弘 ,  崔文荣 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅器件及其制造方法，碳化硅器件包括N+型碳化硅衬底；设于所述N+型碳化硅衬底上的N型漂移区；设于所述N型漂移区上的阶梯形栅极结构，所述阶梯形栅极结构的底部具有阶梯形P型屏蔽区；设于所述N型漂移区上的源极金属层；设于所述N+型碳化硅衬底底部的漏极金属层。本发明提供的碳化硅器件及其制造方法，其制备工艺简单，且制备出的碳化硅器件降低了栅极氧化层附近的电场，提高了碳化硅器件使用的可靠性。

公开(公告)号：CN118173601A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410237236.0

申请日：2024-03-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  徐航 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种具有掩埋式场限环的碳化硅器件接地方法。该方法包括以下步骤：进行网格状元胞版图设计，使具有掩埋式场限环的碳化硅元胞呈现网格状排列；对元胞实行交叉节点分布式接地或分段分布式接地，以减小器件的特征尺寸，降低器件单位面积电阻。该方法能够显著减小器件的特征尺寸，提升器件元胞密度及反向续流能力。