公开(公告)号：CN109567835B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201811134306.0

申请日：2018-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸 ,  久保田章敬 ,  中野文树 ,  中村涉

IPC: H01L27/146 ,  H04N23/30 ,  H04N5/21 ,  A61B6/00

Abstract: 解决课题：提供一种在具备光电转换元件的有源矩阵基板中，可不受漏电流的影响地摄像的技术。解决方案：有源矩阵基板(1)具备：光电转换元件，其分别设置于被栅极线和数据线(10)限定的多个像素；及偏压布线(13)，其对各光电转换元件供给偏压电压。而且，有源矩阵基板(1)在由多个像素构成的摄像区域的外侧具备与各数据线(10)连接的多个数据用保护电路部(16a)和与各数据用保护电路部(16a)连接并具有数据线(10)的电位以下的电位的第一共用布线(17a)。数据用保护电路部(16a)具有第一数据用非线性元件(161a)，第一数据用非线性元件(161a)以反向偏压状态连接在第一共用布线(17a)与数据线(10)之间。

公开(公告)号：CN110392927B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201880016980.0

申请日：2018-03-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷田力也 ,  中村涉 ,  中野文树 ,  富安一秀 ,  中泽淳 ,  森胁弘幸

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786 ,  H04N23/30 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明的一个方面的摄像装置具备：光电转换部，其将入射的光转换为电荷；以及检测部，其检测由光电转换部产生的电荷，光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管，检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT，光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极，在半导体层的周缘部，在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层，绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。

公开(公告)号：CN109567835A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811134306.0

申请日：2018-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸 ,  久保田章敬 ,  中野文树 ,  中村涉

IPC: A61B6/00

Abstract: 解决课题：提供一种在具备光电转换元件的有源矩阵基板中，可不受漏电流的影响地摄像的技术。解决方案：有源矩阵基板(1)具备：光电转换元件，其分别设置于被栅极线和数据线(10)限定的多个像素；及偏压布线(13)，其对各光电转换元件供给偏压电压。而且，有源矩阵基板(1)在由多个像素构成的摄像区域的外侧具备与各数据线(10)连接的多个数据用保护电路部(16a)和与各数据用保护电路部(16a)连接并具有数据线(10)的电位以下的电位的第一共用布线(17a)。数据用保护电路部(16a)具有第一数据用非线性元件(161a)，第一数据用非线性元件(161a)以反向偏压状态连接在第一共用布线(17a)与数据线(10)之间。

公开(公告)号：CN107408759B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201680012918.5

申请日：2016-10-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  大竹忠 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 扫描天线(1000)排列有天线单位(U)，具有：TFT基板(101)，其具有第1电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线以及贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第2电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)。缝隙电极具有与贴片电极分别对应配置的缝隙(57)。在从第1电介质基板的法线方向观看时，若将离缝隙的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第1区域(Rp1)，将离贴片电极的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第2区域(Rp2)，则设置在TFT基板与缝隙基板之间的多个间隔物结构体(75)配置为不与第1区域和/或第2区域重叠。

公开(公告)号：CN102834547B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN102473369B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080032650.4

申请日：2010-05-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胜井宏充 ,  纪藤贤一 ,  中村涉

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/3258

Abstract: 提供能防止覆盖有机绝缘膜的端面的透明导电膜的缺陷引起的金属电极的腐蚀的配线基板。有源矩阵基板(20)在玻璃基板(21)上设有：扫描配线(22)、栅极绝缘膜(24)、层间绝缘膜(29)、透明电极(33)。在扫描配线(22)中设有在扫描配线(22)上直接层叠有透明电极(33)的端子部(55)。透明电极(33)覆盖层间绝缘膜(29)的端面(29a)和栅极绝缘膜(24)的端面(24a)，延伸配置到端子部(55)。与端子部(55)相对的层间绝缘膜(29)的端面(29a)比与端子部(55)相对的栅极绝缘膜(24)的端面(24a)远离端子部。

公开(公告)号：CN102656698A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080056566.6

申请日：2010-12-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胜井宏充 ,  中村涉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/38 ,  G02F2203/60 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的有源矩阵基板包括：以相互平行延伸的方式设置的多个扫描配线（11a）；以沿与各扫描配线交叉的方向相互平行延伸的方式设置的多个信号配线（16a）；分别设置于每个各扫描配线（11a）与各信号配线（16a）的交叉部分，且分别具有半导体层（4a）、以及在该半导体层（4a）上形成于与各信号配线（16a）相同的层的源极电极（16aa）和漏极电极（16b）的多个TFT（5）；和在各扫描配线（11a）与各信号配线（16a）之间设置的涂敷型的绝缘层，其中，在该绝缘层，以使得各半导体层（4a）露出的方式形成有多个开口部（15a），该绝缘层的各开口部（15a）的周端的至少一部分配置于各半导体层（4a）的周端的内侧。

公开(公告)号：CN101375406B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780003790.7

申请日：2007-01-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈田美广 ,  中村涉 ,  伴厚志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和具备该薄膜晶体管的有源矩阵基板以及显示装置。本发明提高薄膜晶体管的电流驱动能力而不会伴随由源极电极/漏极电极与栅极电极之间的漏泄不良或断开特性的降低引起的成品率的降低。本发明的薄膜晶体管包括栅极电极、覆盖栅极电极的绝缘膜、设置在绝缘膜上的半导体层、和设置在绝缘膜和半导体层上的源极电极和漏极电极。绝缘膜是包括第一绝缘层和位于第一绝缘层的上层的第二绝缘层的多层绝缘膜。多层绝缘膜具有未形成第一绝缘层的低叠层区域、和叠层有第一绝缘层与第二绝缘层的高叠层区域。第一绝缘层以至少覆盖栅极电极的边缘的方式形成，半导体层形成为横跨在多层绝缘膜的低叠层区域和高叠层区域两者上。半导体层与低叠层区域以在源极电极与漏极电极之间流过的电流路径必定经由半导体层的位于低叠层区域上的部分的方式配置。

公开(公告)号：CN101842827A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880101062.4

申请日：2008-08-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中哲宪 ,  伴厚志 ,  妹尾亨 ,  中村涉 ,  嶋田幸峰

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1345 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和液晶显示装置。本发明涉及用于液晶显示装置的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶显示装置。本发明的有源矩阵基板(30)具备：基板；形成在基板上的栅极配线(50)；和层间绝缘层(90)，该层间绝缘层(90)用于将形成在栅极配线(50)上的其它层与栅极配线(50)绝缘，在基板的一部分区域中，层间绝缘层(90)不设置在栅极配线(50)的上表面而使上表面露出，另一方面，在栅极配线(50)的至少沿着长度方向的端面，层间绝缘层(90)以与端面相接的方式设置在基板上。根据本发明，能够减少在有源矩阵基板的制造时和部件安装时的不良情况的产生，因此能够利用在追求低成本且高可靠性的液晶显示装置的制造中。

公开(公告)号：CN1313520A

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：CN01111653.6

申请日：2001-03-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伴厚志 ,  冈田美广 ,  中村涉

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3655 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2320/0261

Abstract: 有源矩阵型显示装置中降低活动图象显示期间残留图象的伪脉冲显示。在信号线和扫描线的交叉处形成液晶电容器,以显示图象。提供辅助电容器用于在显示期间保持液晶电容器上的电位差。辅助电容器的两个电极中的一个和象素电极一起与开关元件连接。用信号线上的视频信号已经对液晶电容器和辅助电容器充电同时用扫描线有选择地使开关元件处于导通状态后,并且在经过了预定时间之后,辅助电容器驱动器将信号施加到辅助电容器的另一电极,从而降低由液晶电容器造成的显示光亮度。