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公开(公告)号：CN109652805A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910153787.8
申请日：2019-03-01
申请人： 厦门明巍物资回收有限公司
摘要： 本发明涉及化学退镀技术领域，本发明提供了一种去除铜镍镀层的退镀液及其使用方法，本发明提供的退镀液包括氧化剂、氯化钠、盐酸和水；所述氧化剂包括次氯酸钠或氯酸钠；当所述氧化剂为次氯酸钠时，所述退镀液中次氯酸钠的质量浓度≥3.0％；当所述氧化剂为氯酸钠时，所述退镀液中氯酸钠的浓度≥10g/L；所述退镀液中氯化钠的浓度为60～100g/L；所述退镀液中盐酸的浓度为1～1.6mol/L。实施例结果表明，本发明提供的退镀液能够快速有效地去除铜镍镀层。而且本发明提供的退镀液循环使用后，经电解处理，得到次氯酸钠溶液或氯酸钠溶液，次氯酸钠溶液或氯酸钠溶液返回退镀过程，可继续进行退镀处理。
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公开(公告)号：CN108950559A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810985440.5
申请日：2018-08-27
申请人： 深圳市星扬高新科技有限公司
IPC分类号： C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18
摘要： 本发明公开了一种脱铜剂，所述脱铜剂包括下述重量百分比的组分：硫酸8％～12％，过氧化氢10％～20％，过氧化氢稳定剂0.1％～0.3％，反应抑制剂0.2％～0.3％，起始剂0.03％～0.07％，水67.33％～81.67％。本发明还公开了一种夹具。使用所述脱铜剂对镀铜夹具进行脱铜仅需2～3min即可完成，且所述脱铜剂的铜容量达到78.4g/L～80.1g/L，具有较好的脱铜性能；本发明提供的脱铜剂利用硫酸和过氧化氢替代硝酸，进行脱铜处理时不会产生NO、NO2等有毒气体，降低了脱铜处理的危险性。
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公开(公告)号：CN108505042A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810502612.9
申请日：2018-05-23
申请人： 深圳市百诣良科技发展有限公司
IPC分类号： C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18
摘要： 本发明公开了一种PCB用高速减薄铜液及制备方法，应用于铜减薄蚀刻处理，所述蚀刻药水包括促进剂、表面活性剂、PH调节剂、H2O2稳定剂以及溶剂，按每L所述蚀刻药水计，所述促进剂含量为30-36g，所述表面活性剂含量为12-18g，所述PH调节剂为100-140ml的50％浓度硫酸溶液，所述溶剂为700-740ml的水，所述H2O2稳定剂包含三种组分，其中第一组分为35-45ml，第二组分为15-21ml，第三组分为50-54g，其中，所述H2O2稳定剂用于降低H2O2的分解速率，提高所述高速减薄铜液的铜离子忍耐度。
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公开(公告)号：CN105579618B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480052773.2
申请日：2014-09-16
申请人： 三星显示有限公司 , 东进世美肯科技有限公司
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/45
摘要： 根据本发明的实施例的蚀刻剂组合物包括：基于蚀刻剂组合物的总重量，0.5wt％至20wt％的过硫酸盐、0.01wt％至1wt％的氟化合物、1wt％至大约10wt％的无机酸、0.01wt％至2wt％的吡咯类化合物、0.1wt％至5wt％的氯化合物、0.05wt％至3wt％的铜盐、0.01wt％至5wt％的抗氧化剂或其盐以及水以使蚀刻剂组合物的总重量到100wt％。所述蚀刻剂组合物可以用于通过蚀刻包括铜的金属膜来形成金属布线或制造薄膜晶体管基底。
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公开(公告)号：CN108203827A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711373532.X
申请日：2017-12-19
IPC分类号： C23F1/18 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC分类号： C23F1/18 , H01L21/28008 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L29/4232
摘要： 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。
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公开(公告)号：CN107988598A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711262782.6
申请日：2017-12-04
申请人： 东友精细化工有限公司
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L27/1214 , H01L27/1259
摘要： 本发明涉及蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板的制造方法和显示装置用阵列基板，更详细而言，提供在制造显示装置用阵列基板时，能够将金属膜一并蚀刻，具有蚀刻速度、锥角特性优异并且蚀刻多层膜时界面部的蚀刻轮廓优异的特性的金属膜的蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板的制造方法以及显示装置用阵列基板。该金属膜的蚀刻液组合物的特征在于，相对于组合物总重量，包含：过氧化氢5～25重量％、氟化合物0.01～1重量％、唑系化合物0.1～5重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、包含碱金属或碱土金属的磷酸盐0.001～5重量％、多元醇型表面活性剂0.01～5重量％、包含碱金属或碱土金属的硫酸盐0.1～5重量％、和余量的水，磷酸盐与硫酸盐的重量比为1:3～1:20。
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公开(公告)号：CN107740107A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711035476.9
申请日：2017-10-30
申请人： 珠海市智宝化工有限公司
摘要： 本发明公开了一种蚀刻液循环再生促进剂，属于电路板酸性蚀刻液提铜回用技术领域。该蚀刻液循环再生促进剂包括：铵盐10～25％、活性剂1～8％、有机酸5～20％、络合剂4～12％、水35～80％。本发明通过该促进剂提供的配离子快速取代提铜添加剂与铜离子所形成的内层配体，生成能溶于水的多齿配合物，从而将包裹在金属铜表面的阻滞膜溶解下来，使蚀刻液能与铜面充分接触，从而保证蚀刻速度的稳定性和连续性，提高再生液的回用率，有效避免蚀刻液提铜后循环回用时出现大量药液膨胀而造成的浪费和污染，满足无有害气体排放、安全环保、资源最大化利用的目的。
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公开(公告)号：CN105018930B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510187631.3
申请日：2015-04-20
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L29/66765 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要： 本发明公开了一种蚀刻剂和一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。
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公开(公告)号：CN107316836A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710271534.1
申请日：2017-04-24
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , H01L21/3213 , C23F1/18 , C23F1/44
CPC分类号： H01L27/1259 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/124
摘要： 本发明提供蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板及其制造方法。更详细而言，涉及相对于组合物总重量，包含15～25重量％的过氧化氢、0.01～5重量％的含氟化合物、0.1～5重量％的唑系化合物、0.1～5重量％的甘氨酸、0.5～6重量％的氨基磺酸、0.001～5重量％的多元醇型表面活性剂和余量的水的铜系金属膜用蚀刻液组合物，使用该铜系金属膜用蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法及利用该制造方法制造的显示装置用阵列基板。
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公开(公告)号：CN107304476A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710262809.5
申请日：2017-04-20
申请人： 关东化学株式会社
发明人： 高桥秀树
摘要： 本发明的课题是提供用于蚀刻金属单层膜或金属层叠膜的蚀刻组合物，该组合物实现比以往更好的蚀刻速率，容易控制侧面蚀刻、圆锥角、剖面形状、图案形状，且在保持性能稳定性的同时具有更长的溶液寿命。一种蚀刻组合物，它是用于蚀刻由选自铜、钛、钼和镍的金属或它们的氮化物形成的单层膜，由含有选自铜、钛、钼和镍的1种或2种以上的合金形成的单层膜，或者含1层或2层以上的所述单层膜的层叠膜的蚀刻组合物，其中，包含唑、硝酸、过氧化物和水溶性有机溶剂。
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