公开(公告)号：CN104568865A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410539344.X

申请日：2014-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 名仓满 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。

公开(公告)号：CN101404293A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810166179.2

申请日：2008-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

Abstract: 提供一种具有高介电强度和允许其导通电阻充分小的半导体器件。这种半导体器件包括第一导电类型半导体层、和在形成于该半导体层的主表面上的绝缘膜的给定区域上设置的栅电极。该半导体层包括：靠近该主表面形成的第一导电类型体区；靠近该主表面侧形成的第二导电类型漏区；以及在不位于该体区正下方且至少位于该漏区正下方的位置处形成并连接到该漏区的第二导电类型掩埋区。

公开(公告)号：CN109196663B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201780032650.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H01L31/12

Abstract: 本发明提供的光传感器(1)包括：向被检测物照射光的发光元件(20)；以及具有接受从发光元件(20)照射的光的受光面(40a)的受光元件(40)。在从发光元件(40)照射的光朝向受光面(40a)的路径上设置覆盖受光面(40a)的入射光限制部(60)，该入射光限制部(60)使向受光元件(40)入射的光中的入射角度低于规定值的光透射，而遮挡入射角度为规定值以上的光。

公开(公告)号：CN109891605B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201780066394.2

申请日：2017-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H01L31/107

Abstract: 本发明的雪崩光电二极管，在第一导电型且具有均匀杂质浓度的基板半导体层(10)内部包括：第一导电型的第一半导体层(11)、第二导电型的第二半导体层(12)、第二导电型的第三半导体层(13)、第二导电型的第四半导体层(14)、形成于在横方向上远离第三半导体层(13)的位置的第一导电型的第五半导体层(15)、第二导电型的第六半导体层(16)、第一接点(31)以及第二接点(32)。第一半导体层(11)分别与第二半导体层(12)和第五半导体层(15)的正下方相接。第一半导体层(11)与第二半导体层(12)之间的结(AJ)处引起雪崩现象。

公开(公告)号：CN107341771B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201710288252.2

申请日：2017-04-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川端优 ,  中野贵司 ,  夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  山崎信夫 ,  本田大辅 ,  玉井幸夫

IPC: G06T5/00

Abstract: 本发明提供一种图像处理方法和图像处理装置，图像处理方法包括：亮度值信息获取步骤，从被摄体获取有效辐射亮度值；和图像生成步骤，从上述有效辐射亮度值中去除上述被摄体的表面的正反射光成分的至少一部分而得到亮度值，生成拍摄图像，该拍摄图像为具有该亮度值的单位区域的集合。

公开(公告)号：CN109891605A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780066394.2

申请日：2017-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H01L31/107

Abstract: 本发明的雪崩光电二极管，在第一导电型且具有均匀杂质浓度的基板半导体层(10)内部包括：第一导电型的第一半导体层(11)、第二导电型的第二半导体层(12)、第二导电型的第三半导体层(13)、第二导电型的第四半导体层(14)、形成于在横方向上远离第三半导体层(13)的位置的第一导电型的第五半导体层(15)、第二导电型的第六半导体层(16)、第一接点(31)以及第二接点(32)。第一半导体层(11)分别与第二半导体层(12)和第五半导体层(15)的正下方相接。第一半导体层(11)与第二半导体层(12)之间的结(AJ)处引起雪崩现象。

公开(公告)号：CN109804472A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201780060588.1

申请日：2017-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  內田雅代

IPC: H01L31/107

Abstract: 雪崩光电二极管包括：第一导电型半导体层(2)，形成于第一导电型的半导体基板(1)内；第一第二导电型半导体层(3)，在俯视基板时以隔开间隔包围第一导电型半导体层(2)的方式形成；第二第二导电型半导体层(5)，以与第一导电型半导体层(2)的底部相接的方式形成在比第一导电型半导体层(2)深的位置；以及第三第二导电型半导体层(6)，以与第二第二导电型半导体层(5)的底部相接的方式形成在比第二第二导电型半导体层(5)深的位置。由第一导电型半导体层(2)与第二第二导电型半导体层(5)形成雪崩结。以使半导体基板(1)与第一导电型半导体层(2)电气分离的方式将第一、第三第二导电型半导体层(3、6)连接。

公开(公告)号：CN109196663A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780032650.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H01L31/12

Abstract: 本发明提供的光传感器(1)包括：向被检测物照射光的发光元件(20)；以及具有接受从发光元件(20)照射的光的受光面(40a)的受光元件(40)。在从发光元件(40)照射的光朝向受光面(40a)的路径上设置覆盖受光面(40a)的入射光限制部(60)，该入射光限制部(60)使向受光元件(40)入射的光中的入射角度低于规定值的光透射，而遮挡入射角度为规定值以上的光。

公开(公告)号：CN105518870A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048387.6

申请日：2014-09-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满

IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/146 ,  G01J3/51 ,  G01J3/02

CPC classification number: H01L27/14621 ,  G01J3/0259 ,  G01J3/513 ,  G02B5/008 ,  G02B5/20 ,  G02B5/204 ,  H01L31/02327

Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。

公开(公告)号：CN105144384A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023309.0

申请日：2014-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田雅代 ,  夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/14 ,  G02B5/20 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02162

Abstract: 本发明提供难以在等离子体滤光部之下的绝缘层产生凹陷，能够准确地进行等离子体滤光部的微细加工的电路内置光电转换装置及其制造方法。在比配线层(11、12、13)靠上方的绝缘层(7)上设置同一金属层(31)。该金属层(31)具有等离子体滤光部(32)和遮蔽光的屏蔽金属部(33)，该等离子体滤光部(32)具有用于将进行波长选择后的光向第一光电转换元件(101)引导的周期性的开口(32a)。