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公开(公告)号：CN110010522B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201811550001.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供分割装置，能够抑制在加热时从扩展片产生的产生气体的成分附着于被加工物的正面。分割装置具有：框架固定部(40)，其固定被加工物单元(9)的环状框架(8)；片材扩展单元，其在与被加工物(1)垂直的方向上按压扩展片(7)的环状区域(101)而使扩展片(7)扩展，从而使被加工物(1)断裂；加热单元(60)，其对扩展后的扩展片(7)的环状区域(101)进行加热而使该环状区域收缩；气体提供单元(70)，其在扩展片(7)的加热期间利用向被加工物(1)的正面提供的提供气体(150)来覆盖被加工物(1)的正面，将被加工物(1)与从扩展片(7)产生的产生气体(160)隔离；以及吸引排气单元(80)，其在被加工物(1)的外周对产生气体(160)和提供气体(150)进行吸引而排出。
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公开(公告)号：CN117233096A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310682878.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 植木笃
IPC: G01N21/17 , G01B9/02017
Abstract: 本发明提供电阻率的检测方法和板状物的加工方法，能够在不对板状物进行加工的情况下判断与板状物的加工性对应的电阻率。在电阻率的检测方法中，对具有背面和背面的相反侧的正面的板状物的电阻率进行检测，该电阻率的检测方法包含如下的步骤：干涉波形取得步骤，从光源向板状物的背面照射光，取得被背面反射的光与透过背面而被正面反射的光的干涉波形；以及推定步骤，根据通过干涉波形取得步骤取得的干涉波形来推定板状物的电阻率。
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公开(公告)号：CN112207463A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010645562.7
申请日：2020-07-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/02 , B23K26/046 , B23K26/70
Abstract: 提供激光加工装置，计算与改质层的高度位置对应的聚光透镜的适当的高度位置。控制单元的计算部使用设定部所设定的改质层的高度值(H1)和以下的(1)式来计算聚光透镜(183)的高度位置(Defocus)。Defocus＝(晶片1的厚度T1‑高度值H1‑b)/a··(1)，即，根据设定部所设定的改质层的高度值(H1)，计算部能够使用(1)式来计算聚光透镜(183)的适当的高度位置。因此，不需要实施首先根据空气与晶片(1)的折射率之比来大致求出聚光透镜的高度位置，之后根据预先实施的实验结果对该高度位置进行微调整这两个阶段的调整。因此，能够更容易地决定聚光透镜的高度位置。并且，不需要实施用于微调整的麻烦的实验。
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公开(公告)号：CN105280543B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201510408612.9
申请日：2015-07-13
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/687 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。晶片的加工方法具有：改质层形成步骤，在晶片(11)上形成改质层(25)；晶片单元准备步骤，准备借助于扩展带(21)利用框架(23)支承晶片的晶片单元(1)；扩张步骤，以将载置有晶片的卡盘工作台(14)相对于框架保持构件(32)顶起的方式扩张扩展带，以改质层为起点将晶片分割成芯片(27a、27b)并扩张芯片的间隔；顶起解除步骤，维持芯片的间隔并解除顶起状态；去除松弛的松弛去除步骤，在改质层形成步骤中，借助规定的分割预定线(17)以除了外周剩余区域(15)以外的方式形成改质层。
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公开(公告)号：CN109841568A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811404214.X
申请日：2018-11-23
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 植木笃
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够防止在晶片的内部发生了反射、散射的激光束对器件造成破坏。该晶片的加工方法包含如下的步骤：改质层形成步骤，在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层；以及分割步骤，对晶片赋予力而以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割，改质层形成步骤包含：往路改质层形成步骤；返路改质层形成步骤；以及相移掩模反转步骤，在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前，或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前，使该相移掩模反转，以使得向晶片照射的该激光束的相位的分布在X轴方向上反转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789125A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201511005752.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 植木笃
IPC: H01L21/78 , H01L21/268 , B23K26/53
Abstract: 提供晶片的加工方法。晶片由硅构成，在正面上通过多条分割预定线划分而形成有多个器件，该方法具有：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；改质层形成步骤，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，对保持机构与激光束照射机构相对地加工进给，在晶片的内部形成改质层；分割步骤，对晶片施加外力而以改质层为分割起点沿着分割预定线分割晶片。改质层形成步骤包含如下步骤：照射每1脉冲的能量比较小的第一脉冲激光束而形成第一改质层；以及照射每1脉冲的能量比较大的第二脉冲激光束而与第一改质层重叠地形成第二改质层。
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公开(公告)号：CN102861992B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210226284.7
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/064 , B23K26/08 , B23K26/70
Abstract: 本发明的蓝宝石基板的加工方法，将相对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线沿着分割预定线进行照射，在蓝宝石基板内部沿着分割预定线形成改质层，该方法包括：加工条件设定步骤，对应于蓝宝石基板的特性设定至少2种加工条件；判别条件设定步骤，用于判别设定了至少2种加工条件的蓝宝石基板；加工条件确定步骤，根据由判别条件设定步骤设定的判别条件判别蓝宝石基板，从所判别的蓝宝石基板的该加工条件设定步骤中设定的至少2种加工条件中确定1个加工条件；以及改质层形成步骤，按照在加工条件确定步骤确定的加工条件，将激光光线的聚光点定位于蓝宝石基板内部，沿着分割预定线进行照射，沿着分割预定线在蓝宝石基板内部形成改质层。
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公开(公告)号：CN105226018A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510348933.4
申请日：2015-06-23
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供带扩张装置，强力保持扩展带，抑制其以松弛部分为起点从保持面剥离，将粘贴有板状被加工物且外周部安装于环状框架的扩展带扩张后使环状框架内周缘与被加工物外周缘间的扩展带松弛区域收缩，具有：框架保持构件，其保持在开口中借助于扩展带支承沿分割预定线形成分割起点的被加工物或被分割成多个芯片的被加工物的环状框架；卡盘工作台，其隔着扩展带通过保持面吸引保持支承于环状框架的被加工物；扩张构件，其使框架保持构件和卡盘工作台在垂直保持面的方向相对移动扩张扩展带；收缩构件，其对扩展带松弛区域施加外界刺激使其收缩，卡盘工作台的保持面具有：与被加工物对应的被加工物保持区域；围绕被加工物保持区域并吸引扩展带的带保持区域。
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公开(公告)号：CN105097479A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510229164.6
申请日：2015-05-07
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 植木笃
IPC: H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/461 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法，能够在短时间内准确地去除扩张的扩张膜的松弛。芯片间隔维持装置是通过扩张状态维持隔着扩张膜(S)而支撑于环状框架(F)上的被加工物(W)的多个芯片(C)的间隔的装置，其构成为具有：吸附保持被加工物的工作台(11)；在工作台的周围保持环状框架的框架保持单元(12)；使保持工作台与框架保持单元在铅直方向上相对移动并扩张扩张膜，在被加工物的多个芯片间形成间隔的扩张单元(37)；向由于解除膨胀带的扩张而产生于被加工物的周围的隆起部(R)照射热的加热单元(41)；以及从下方按压加热单元在扩张膜上的热照射位置的按压单元(23)。
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公开(公告)号：CN102861992A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210226284.7
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明的蓝宝石基板的加工方法，将相对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线沿着分割预定线进行照射，在蓝宝石基板内部沿着分割预定线形成改质层，该方法包括：加工条件设定步骤，对应于蓝宝石基板的特性设定至少2种加工条件；判别条件设定步骤，用于判别设定了至少2种加工条件的蓝宝石基板；加工条件确定步骤，根据由判别条件设定步骤设定的判别条件判别蓝宝石基板，从所判别的蓝宝石基板的该加工条件设定步骤中设定的至少2种加工条件中确定1个加工条件；以及改质层形成步骤，按照在加工条件确定步骤确定的加工条件，将激光光线的聚光点定位于蓝宝石基板内部，沿着分割预定线进行照射，沿着分割预定线在蓝宝石基板内部形成改质层。
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