一种射频压控振荡器及电子设备

    公开(公告)号:CN117240220A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311499864.8

    申请日:2023-11-13

    IPC分类号: H03B5/08 H03B1/04 H03B5/12

    摘要: 本发明提供了一种射频压控振荡器及电子设备,涉及电路技术领域,射频压控振荡器包括:相噪性能优化电路和频率调整电路,相噪性能优化电路和频率调整电路串联;相噪性能优化电路用于增加共模电感以减小射频压控振荡器的相位噪声;频率调整电路用于基于差模电容和变容二极管调整射频压控振荡器的频率。该方式中,通过频率调整电路基于差模电容和变容二极管调整射频压控振荡器的频率,通过相噪性能优化电路增加共模电感以减小射频压控振荡器的相位噪声,实现了相位噪声的优化以及射频压控振荡器的频率的精确调整。

    一种高线性度高输出功率的毫米波可重构功率放大器

    公开(公告)号:CN116915193B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202311163194.2

    申请日:2023-09-11

    IPC分类号: H03F1/32 H03F3/20

    摘要: 本发明涉及射频前端技术领域,具体地说,涉及一种高线性度高输出功率的毫米波可重构功率放大器;在差分共源共栅单元的基础上设置输入输出可重构巴伦单元完成工作频段的切换,在满足多频段同时工作需求的同时,节约了芯片的面积;通过设置自适应偏置单元动态调节差分共源共栅单元的共栅管的直流偏置,提升了功率放大器的线性度;并通过设置增益补偿单元来补偿高输入功率下增益压缩的情况,进一步改善了功率放大器线性度。

    一种可变占空比的时钟产生电路及电子设备

    公开(公告)号:CN117040498A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311288192.6

    申请日:2023-10-08

    IPC分类号: H03K5/156 H03L7/099 H03B19/14

    摘要: 本发明提供了一种可变占空比的时钟产生电路及电子设备,涉及电路技术领域,包括:信号产生电路、占空比校正电路和频率倍频电路;信号产生电路、占空比校正电路和频率倍频电路依次串联;信号产生电路用于产生振荡信号;占空比校正电路用于接收振荡信号,将振荡信号转换为占空比为预设百分比的时钟信号,将时钟信号发送至频率倍频电路;频率倍频电路用于接收时钟信号,将时钟信号进行延迟处理得到延迟信号,基于延迟信号和时钟信号确定倍频时钟信号。该方式中,通过将信号产生电路产生的振荡信号发送至占空比校正电路进行校正,保证了发送至频率倍频电路的时钟信号的占空比满足预设百分比,从而使得到的倍频时钟信号的频率具有稳定性。

    一种宽频带Doherty功率放大器

    公开(公告)号:CN116505884B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310755848.4

    申请日:2023-06-26

    摘要: 本发明涉及射频前端技术领域,具体地说,涉及一种宽频带Doherty功率放大器;本发明采用输出匹配网络2b取代四分之一波长传输线,通过调节第一谐振腔与第二谐振腔之间的位置将负载阻抗直接进行阻抗变换;采用宽带补偿网络取代补偿线,并根据第一谐振腔和第二谐振腔的中心位置,调节宽带补偿网络的移相频率点位置,得到在宽频带内高阻抗的辅助放大单元,抑制主放大单元在低功率输出时的功率泄露,提升了Doherty功率放大器的工作带宽。

    一种电压域转换电路及电子设备

    公开(公告)号:CN116207985B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310470823.X

    申请日:2023-04-27

    IPC分类号: H02M3/157 H02M3/158 H02M1/32

    摘要: 本发明公开了本发明提供一种电压域转换电路及电子设备,能够单端输入,单电源供电;减少了版图面积,降低了其在应用环境中的复杂度,并且无电流倒灌现象,该电压域转换电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和输出端;第一场效应管和第二场效应管的源极分别连接第一电源电压,第一场效应管的漏极与第二场效应管的栅极连接,第一场效应管的栅极与第二场效应管的漏极连接;第三场效应管的源极和第四场效应管的栅极分别连接第二电源电压,第三场效应管的漏极与第一场效应管的漏极连接,第三场效应管的栅极分别与第二场效应管的漏极和第四场效应管的漏极连接,第四场效应管的栅极接地。

    一种高温度稳定性的射频功率放大器

    公开(公告)号:CN116366009A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310618237.5

    申请日:2023-05-30

    摘要: 本发明涉及射频前端技术领域,具体地说,涉及一种高温度稳定性的射频功率放大器;通过在射频放大单元的基础上增设功率补偿单元补偿射频放大单元晶体管Q6b的基极与发射极之间的电压差,抑制了射频功率放大器的线性度,实现了跨导恒定;增设第一温度补偿单元补偿第一温度补偿单元在偏置条件下的功率输出特性,向第二温度补偿单元输出补偿后的电流;增设第二温度补偿单元根据生成的第三电流调节晶体管Q6b的基极电流,抑制晶体管Q6b的基极电流增大;抑制了射频功率放大器输出1dB压缩点随温度变化而产生的波动。

    一种HBT功率放大器和电子设备

    公开(公告)号:CN116073770B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310274518.3

    申请日:2023-03-21

    IPC分类号: H03F1/30 H03F1/56 H03F3/20

    摘要: 本申请实施例提供一种HBT功率放大器和电子设备,涉及射频前端技术领域。该HBT功率放大器在传统HBT功率放大器基础上,在自适应偏置结构上增加温度补偿单元。温度补偿单元中的二极管单元的导通电压随温度增加而不断降低,使加载偏置结构的电压变化随温度增加而增加,最终补偿HBT晶体管Q1b增益随温度变化的变化率。可以显著降低高低温状态下随着环境温度的变化HBT功率放大器的增益波动。

    一种HBT功率放大器和电子设备
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116073770A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310274518.3

    申请日:2023-03-21

    IPC分类号: H03F1/30 H03F1/56 H03F3/20

    摘要: 本申请实施例提供一种HBT功率放大器和电子设备,涉及射频前端技术领域。该HBT功率放大器在传统HBT功率放大器基础上,在自适应偏置结构上增加温度补偿单元。温度补偿单元中的二极管单元的导通电压随温度增加而不断降低,使加载偏置结构的电压变化随温度增加而增加,最终补偿HBT晶体管Q1b增益随温度变化的变化率。可以显著降低高低温状态下随着环境温度的变化HBT功率放大器的增益波动。

    一种消除衰减器切换过冲的电路及方法

    公开(公告)号:CN115955214A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202310237766.0

    申请日:2023-03-14

    摘要: 本发明公开了一种消除衰减器切换过冲的电路及方法,电路包括衰减模块、控制模块,所述衰减模块包括若干个级联的衰减单元,控制模块包括第二控制支路和第一控制支路,且分别用于输出最后一个衰减单元以及其他衰减单元的本征信号、反相信号;第一控制支路包括从前至后依次连接的延时电路和非门;所述第二控制支路包括依次设置的并联的第一支路与第二支路以及或非门、第二反相器、第三反相器,所述第一支路上依次设置有第一反相器、与非门,所述与非门分别与延时电路和异或门连接;所述第二支路上设置有偶数个串联的反相器。本发明通过控制模块可达到消除过冲的目的,尤其可以消除15.5dB和16dB切换过程中产生的过冲,具有较好的实用性。

    偏置电路、功率放大器和电子设备

    公开(公告)号:CN115913138A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202310160114.1

    申请日:2023-02-24

    IPC分类号: H03F1/30 H03F3/21

    摘要: 本申请提供一种偏置电路、功率放大器和电子设备,所述偏置电路用于向功率放大器提供偏置电流,包括:输入电流支路,与供电电源连接,所述输入电流支路用于根据所述供电电源产生第一电流;输出电流支路,与所述输入电流支路连接,用于根据所述第一电流输出偏置电流;偏置电流补偿单元,与所述输入电流支路及所述供电电源连接,所述偏置电流补偿单元,用于调节所述第一电流,以保证在所述供电电源波动时,所述偏置电流保持不变。通过上述方案,保证功率放大器中的射频晶体管电性能不会因供电电源输入的偏置电压的波动发生较大变化。