-
公开(公告)号：CN102629475A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210015408.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种能够切实且以高速进行掩模层的除去的磁记录介质的制造方法。本发明是一种具有磁分离了的磁记录图案(2a)的磁记录介质的制造方法，其包括：在非磁性基板(1)之上形成磁性层(2)的工序；在磁性层(2)之上形成溶解层(3)的工序；在溶解层(3)之上形成掩模层(4)的工序；将溶解层(3)和掩模层(4)图案化成为与磁记录图案(2a)对应的形状的工序；将磁性层(2)的没有被掩模层(4)和溶解层(3)覆盖的地方部分性地改性或除去的工序；和利用药剂将溶解层(3)湿式溶解，与其上的掩模层(4)一同从磁性层(2)之上除去的工序，在形成溶解层(3)的工序中，通过在磁性层(2)之上涂布了将有机硅化合物溶解于有机溶剂中的涂液后，固化该涂液，从而形成溶解层(3)。
-
公开(公告)号：CN108346437A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810039987.6
申请日：2018-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
-
公开(公告)号：CN104347086B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410351809.9
申请日：2014-07-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
-
公开(公告)号：CN104303232B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201380022551.1
申请日：2013-04-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/09 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 使用一种热辅助磁记录介质(1)，该磁记录介质具备：基板(101)；在基板(101)上形成的基底层(3)；和在基底层(3)的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层(107)，基底层(3)是以下的层连续地层叠而成的：第1基底层(104)，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；第2基底层(105)，其含有C且具有NaCl结构；和第3基底层(106)，其由MgO形成。
-
公开(公告)号：CN104303230B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201380024906.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B11/10589 , G11B2005/0021 , G11B2005/0024
Abstract: 一种热辅助磁记录介质或微波辅助磁记录介质，具有：在基板(101)上形成的取向控制层(104)、在取向控制层(104)上形成的基底层(10)、和在基底层(10)上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层(108)，基底层(10)包含：含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层(107)、和含有选自TaN、NbN、HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层(106)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347086A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410351809.9
申请日：2014-07-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
-
公开(公告)号：CN104303230A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380024906.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B11/10589 , G11B2005/0021 , G11B2005/0024
Abstract: 一种热辅助磁记录介质或微波辅助磁记录介质，具有：在基板(101)上形成的取向控制层(104)、在取向控制层(104)上形成的基底层(10)、和在基底层(10)上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层(108)，基底层(10)包含：含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层(107)、和含有选自TaN、NbN、HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层(106)。
-
-
公开(公告)号：CN108461094B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810145330.8
申请日：2018-02-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
-
公开(公告)号：CN108573715B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810153505.X
申请日：2018-02-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/012 , G11B5/1875 , G11B5/3133 , G11B5/3912 , G11B5/714 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置，其目的在于提供一种磁记录介质，其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音，同时可提高信号的水平，从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于，其依次具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金作为主成分的磁性层，辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层，钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.02 seconds)
