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公开(公告)号：CN104813402B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201380058513.1
申请日：2013-11-05
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11C11/16 , H01F41/34 , H01L21/2855 , H01L21/3081
摘要： 描述了一种用于在基板上形成具有磁特性图案的磁性层的方法和装置。所述方法包括使用金属氮化物硬模层来通过等离子体暴露图案化所述磁性层。所述金属氮化物层是使用纳米压印图案化工艺用氧化硅图案负性材料来图案化的。使用含卤素和氧的远程等离子体来使图案在金属氮化物中，并且在等离子体暴露之后使用腐蚀性的湿式剥离工艺去除所述图案。所有的处理都在低温下进行，以避免热损伤磁性材料。
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公开(公告)号：CN105027208B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480010650.2
申请日：2014-03-12
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： R·范德维尔冬克
IPC分类号： G11B33/14
CPC分类号： G11B5/82 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021
摘要： 本实施例公开了一种数据存储设备，其包括沉积在散热层上的厚度梯度散热层，该散热层沉积在基底上；沉积在该厚度梯度散热层上的厚度梯度非磁性热抗蚀剂层；以及沉积在该厚度梯度非磁性热抗蚀剂层上的磁层。
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公开(公告)号：CN104662641B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380046681.9
申请日：2013-09-05
申请人： 株式会社LG化学 , 汉阳大学校产学协力团
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G11B5/855 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F220/18 , C08F220/56 , C08F2438/03 , G03F7/0002 , G11B5/746 , G11B5/8404 , G11B5/851 , H01L21/027 , H01L21/3065
摘要： 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质，所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于用于信息存储等的新一代磁性记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基底上的氧化硅上形成嵌段共聚物薄膜的步骤，所述嵌段共聚物包括预定的硬链段以及具有基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；对准所述薄膜的步骤；从所述嵌段共聚物薄膜选择性地移除所述软链段的步骤；以及使用已移除软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩膜通过在所述氧化硅上进行反应离子蚀刻形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案。
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公开(公告)号：CN105027208A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010650.2
申请日：2014-03-12
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： R·范德维尔冬克
IPC分类号： G11B33/14
CPC分类号： G11B5/82 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021
摘要： 本实施例公开了一种数据存储设备，其包括沉积在散热层上的厚度梯度散热层，该散热层沉积在基底上；沉积在该厚度梯度散热层上的厚度梯度非磁性热抗蚀剂层；以及沉积在该厚度梯度非磁性热抗蚀剂层上的磁层。
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公开(公告)号：CN101292291B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200680038600.0
申请日：2006-11-20
申请人： 英特尔公司
发明人： E·C·汉娜
CPC分类号： G11B9/149 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/746 , G11B9/14 , G11B2005/0002 , G11C11/15 , G11C11/54
摘要： 公开了用于实施分子量子存储器的设备、系统和方法。在一个实施例中，可以选择性地将极化电子源(104)和极化相反的电子源(106)耦合到探针组件的至少一个探针端部(117，119)。所述至少一个探针端部又可以电耦合到分子，从而可以使用从极化电子电流源选择性得到的时变极化电子电流而将信息写入到分子。
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公开(公告)号：CN101656080A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910170413.3
申请日：2009-08-19
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11B20/10009 , G11B20/10222 , G11B20/1217 , G11B20/1879 , G11B2005/0005 , G11B2220/2516
摘要： 提供了用于对于磁存储介质及其对应的可写磁位或点校正磁存储设备的写同步的系统和方法。具体而言，这些系统和方法涉及使用时移原理来校准磁存储设备以校正读写器定时的缓慢漂移。可以理解，时移技术能够以各种方式应用。例如，介质上的非常点能够以时移方式定位。在另一示例中，可时移对点的写入。
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公开(公告)号：CN101650948A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910170424.1
申请日：2009-08-17
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/02 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B2005/0005
摘要： 本发明为用于高精度点布置的改进电子束写入。一种用于磁存储设备的记录系统，包括：用于生成束的束柱、用于相对于束移动磁存储介质的平台以及用于顺序地或以连续交替方式偏转束的信号发生器。进而，根据磁存储介质的范围上的点位移引导束定向，使得在束柱在范围上的单次通过期间多个点编组的点可被写入。
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公开(公告)号：CN101556804A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910002093.0
申请日：2009-01-16
申请人： 富士通株式会社
摘要： 本发明涉及一种磁记录介质和磁记录再生设备。所述磁记录介质包含盘状基板和多个形成在所述基板上的记录位，其中所述记录位的底面被设置成面向所述基板，所述记录位的顶面被设置成与所述记录位的底面相对，并且Twb大于Twt，其中Twb代表所述底面在所述磁记录介质的径向上的宽度，Twt代表所述顶面在所述径向上的宽度。
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公开(公告)号：CN101174425A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710162730.1
申请日：2007-10-08
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/66 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11B2005/0005 , G11B2005/0029
摘要： 本发明提供了一种包括以预定的规则间隔布置在基底上的多个磁记录层的图案化磁记录介质，其中，磁记录层为多层的并包括抑制磁记录层之间的磁相互作用的装置。磁记录层包括顺序层叠的第一铁磁层、抑制磁相互作用的装置和第二铁磁层，其中，抑制磁相互作用的装置为软磁层。
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公开(公告)号：CN101097729A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126948.1
申请日：2007-07-02
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11B5/65
摘要： 一种磁盘装置包含：磁盘，其包含磁点线，每条磁点线包含在顺轨方向上等间隔排列的磁点(21)；读/写头(31)，其将多条相邻的磁点线用作一个轨道，并对包含在构成该轨道的磁点线中的磁点(21)顺次进行读写，其中，取决于读/写头(31)与轨道之间可能的斜交角，包含在磁盘每条轨道的每条磁点线中的磁点(21)在顺轨方向上与包含在该轨道中的相邻点线中的磁点(21)之间有位移，使得磁点(21)由读/写头(31)顺次访问。
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