磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置

    公开(公告)号:CN104347088A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201410379802.8

    申请日:2014-08-04

    CPC classification number: G11B5/851 C23C14/08 G11B5/65 G11B5/66 G11B5/8404

    Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有:在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤;及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有:采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有:采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。

    磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再现装置

    公开(公告)号:CN103943116A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201410028681.2

    申请日:2014-01-21

    Abstract: 本发明提供磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及磁记录再现装置,该制造方法至少具备如下工序:形成取向控制层(3)的工序,在非磁性基板(1)上形成控制正上方的层的取向性的取向控制层(3);和形成垂直磁性层(4)的工序,形成易磁化轴相对于非磁性基板(1)主要垂直地取向的垂直磁性层(4),其中,形成取向控制层(3)的工序包括利用溅射法形成具有粒状结构的粒状层的子工序,所述粒状层包含Ru或以Ru为主要成分的材料和熔点为450℃以上且1000℃以下的氧化物,形成垂直磁性层(4)的工序是以与构成取向控制层(3)的晶体颗粒一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使晶体颗粒进行晶体生长的工序。

    磁记录介质及其制造方法
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101015002A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200580027290.8

    申请日:2005-08-17

    Abstract: 本发明是一种用于磁记录介质的制造方法,其中至少磁性层、保护层、和润滑层依次层叠到非磁性基底1上,并且该非磁性基底1使用由在大约大气压下产生的等离子体激活的气体对非磁性基底进行表面处理。作为本发明的结果,通过有效地除去存在于磁记录介质表面上的外界物质和凸起,其可以高产率地制造磁记录介质,具有很少的差错以及良好的磁头浮动性。

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