公开(公告)号：CN116075910A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180054898.9

申请日：2021-09-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 丹下贵之

IPC: H01F27/32

Abstract: 一种设备包括：基板；磁芯，在基板中，并包括孔；第一绕组，延伸穿过孔，并围绕磁芯；以及第二绕组，延伸穿过孔，围绕磁芯，并围绕第一绕组的一部分。第一绕组和第二绕组仅围绕磁芯的相同一半延伸。

公开(公告)号：CN114424303A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080061361.0

申请日：2020-10-07

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 丹下贵之 ,  牛见义光

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/24 ,  H01F27/32 ,  H01F27/40 ,  H01F41/04 ,  H01L25/16

Abstract: 一种模块包括：衬底；金属层和绝缘层，层压在衬底上；金属制成的底部绕组，直接接触第一金属层或第二金属层；第一绝缘层，位于底部绕组上；磁芯，位于第一绝缘层上；第二绝缘层，位于磁芯上；金属制成之上绕组，位于磁芯和第二绝缘层的一部分上并且与第一金属层或第二金属层直接接触；第三绝缘层，位于顶部绕组上；电子组件，位于第三绝缘层上，其中，变压器的初级绕组和次级绕组由底部绕组和顶部绕组的部分限定，并且位于彼此相对的磁芯的两侧上。

公开(公告)号：CN114303210A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080061321.6

申请日：2020-10-07

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 丹下贵之 ,  牛见义光

IPC: H01F19/04 ,  H01F27/28 ,  H01F27/40 ,  H01F41/04 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/64

Abstract: 一种变压器，包括：硅衬底；多个金属层和多个绝缘层，层压在硅衬底上；金属的底部绕组，与多个金属层中的第一金属层和第二金属层接触；第一绝缘层，位于底部绕组上；磁芯，位于第一绝缘层上；第二绝缘层，位于磁芯上；金属的顶部绕组，围绕磁芯和第二绝缘层的一部分延伸；以及第三绝缘层，位于顶部绕组上。顶部绕组和底部绕组中的至少一个比多个金属层中的每一个厚。