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公开(公告)号：CN112997473B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202080006077.3
申请日：2020-03-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的光学装置(10)具备：保护罩(12)，其配置在光学传感器(1)的视场方向上；壳体(11)，其用于保持保护罩(12)；温度调节部，其用于调节保护罩(12)的温度；以及振动体(13)，其用于驱动保护罩(12)，以去除附着于保护罩(12)的表面的异物。温度调节部以使保护罩(12)的温度从保护罩(12)的周缘部向中心变高的方式进行保护罩(12)的温度调节。
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公开(公告)号：CN114600209A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080073908.9
申请日：2020-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 复合电容器(1)具备多个电容器(10)和绝缘部(20)。多个电容器(10)相互层叠。绝缘部(20)将多个电容器(10)的层叠方向作为中心轴的轴向，覆盖多个电容器(10)的周侧面(11)。多个电容器(10)各自包含支承电极层(100)、多个导电柱状部(110)、电介质层(120)和对置电极层(130)。多个导电柱状部(110)各自具有纳米尺寸的外径。多个电容器(10)包含第1电容器(10A)和第2电容器(10B)。第2电容器(10B)相对于第1电容器(10A)位于上述一侧。第2电容器(10B)与第1电容器(10A)并联地连接。
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公开(公告)号：CN107076784B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580058381.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01R15/20
CPC classification number: G01R15/205 , G01R15/207 , G01R33/091
Abstract: 本发明具备：一次导体，流过测定对象的电流；至少一个磁传感器，检测由流过一次导体的上述电流产生的磁场的强度；以及磁性体部，包围一次导体和磁传感器的周围。磁传感器在输出特性上具有输出相对于与上述电流的值成比例的假想输出电压低的测定电压值的低输出区域。磁性体部在磁化特性上具有在上述电流的绝对值为阈值以上的范围导磁率下降的磁饱和区域。从处于磁饱和区域内的状态的磁性体部漏出的磁场到达处于低输出区域内的状态的磁传感器，从而磁传感器的输出修正为测定电压值升高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108713148A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780014134.0
申请日：2017-01-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 清水康弘
IPC: G01R15/20
Abstract: 具备：导体(110)，流过测定对象的电流，具有长度方向、正交于该长度方向的宽度方向(Y轴方向)、以及正交于上述长度方向和宽度方向(Y轴方向)的高度方向(Z轴方向)；和对由上述电流产生的磁场的强度进行检测的第1磁传感器(120a)以及第2磁传感器(120b)。第1磁传感器(120a)以及第2磁传感器(120b)分别位于宽度方向(Y轴方向)上的第1导体部(111)与第2导体部(112)之间的区域(Ty)、并且位于第1导体部(111)以及第2导体部(112)两者的高度方向(Z轴方向)上的包含从一端到另一端的区域(Tz)。
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公开(公告)号：CN107533089A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024042.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 清水康弘
IPC: G01R15/20
Abstract: 电流传感器具备：导体，流过测定对象的电流；以及第一磁传感器元件(120a)和第二磁传感器元件(120b)，检测由上述电流产生的磁场的强度。导体包含上述电流分流而流过的第一流路部(110a)以及第二流路部(110b)。第一磁传感器元件(120a)以及第二磁传感器元件(120b)在导体的厚度方向上设置在第一流路部(110a)与第二流路部(110b)之间。第一磁传感器元件(120a)以及第二磁传感器元件(120b)各自的至少一部分在导体的宽度方向上设置在第一流路部(110a)与第二流路部(110b)之间。在导体的宽度方向上，第一磁传感器元件(120a)的中心与第二磁传感器元件(120b)的中心之间的距离(Mc)为第一流路部(110a)与第二流路部(110b)之间的距离(Mb)以下。
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公开(公告)号：CN107076784A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580058381.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01R15/20
CPC classification number: G01R15/205 , G01R15/207 , G01R33/091
Abstract: 本发明具备：一次导体，流过测定对象的电流；至少一个磁传感器，检测由流过一次导体的上述电流产生的磁场的强度；以及磁性体部，包围一次导体和磁传感器的周围。磁传感器在输出特性上具有输出相对于与上述电流的值成比例的假想输出电压低的测定电压值的低输出区域。磁性体部在磁化特性上具有在上述电流的绝对值为阈值以上的范围导磁率下降的磁饱和区域。从处于磁饱和区域内的状态的磁性体部漏出的磁场到达处于低输出区域内的状态的磁传感器，从而磁传感器的输出修正为测定电压值升高。
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公开(公告)号：CN120019459A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380074060.5
申请日：2023-07-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , C01B32/168 , H01G4/30 , H10D84/03 , H10D84/00
Abstract: 本发明实现使用了多个纤维状导电性构件并且基板和复合体构件的接合强度高的电容器。一种电容器，具备：基板，具有导电性；多个纤维状导电性构件，配置在所述基板上，并且与所述基板电连接；电介质层，被覆所述纤维状导电性构件的表面；以及导电体层，被覆所述电介质层的表面，多个所述纤维状导电性构件、所述电介质层、所述导电体层、以及在由所述电介质层和所述导电体层被覆的多个所述纤维状导电性构件之间形成的空间构成了复合体构件，在沿着所述基板的厚度方向的剖面中，将所述基板的面内方向设为宽度方向，所述复合体构件具有相对于所述基板相反侧的宽度W1和基板侧的宽度W2，所述宽度W1比所述宽度W2小。
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公开(公告)号：CN119968589A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202480004171.3
申请日：2024-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 光耦合器的制造方法包括：准备工序，准备具有在第1方向（DIR1）上排列的第1主面（SU11）以及第2主面（SU12）的透光性基板（11）；第1涂敷工序，在第1主面（SU11）涂敷包含第1填料（P1）的第1感光性玻璃膏（12）；掩模工序，在第2主面（SU12）配置以二值模式形成的灰度掩模（10）；曝光工序，向第2主面（SU12）照射紫外线，使第1感光性玻璃膏（12）曝光；显影工序，从第2主面（SU12）取下灰度掩模（10），使第1感光性玻璃膏（12）显影；以及固化工序，从显影后的第1感光性玻璃膏（12）取下透光性基板（11），使第1感光性玻璃膏（12）固化。第1填料（P1）的最长长度（r1）比紫外线的波长长。
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