公开(公告)号：CN105390228B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510509718.8

申请日：2015-08-19

Applicant: 亚德诺半导体集团

Inventor： A·P·帕兰 ,  B·P·小萨里诺 ,  D·P·特伦蒂诺

IPC: H01F7/00 ,  G01D5/12

CPC classification number: H01F7/0284 ,  G01D5/12 ,  G01D5/145 ,  G01R33/091 ,  G01R33/093

Abstract: 本文提供了用于产生均匀磁场的装置和方法。在某些配置中，磁性结构包括位于壳体内的一对或多对磁体。每对磁体被平行地布置且包括相对于另一个极性上反转的磁极。例如，在某些实现中，第一对磁体包括并排地布置的第一磁体和第二磁体，第一磁体的北极与第二磁体的南极相邻且第一磁体的南极与第二磁体的北极相邻。使用可以限制磁通量并且减低杂散磁场的磁性重定向材料实现壳体。磁性结构可以被用于在感兴趣区域内产生基本均匀的磁场。

公开(公告)号：CN106461742A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032668.7

申请日：2015-06-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松井秀树 ,  国枝达也 ,  尾込智和 ,  冈田正明 ,  吉冈贞明

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02

CPC classification number: G01D5/16 ,  G01R33/09 ,  G01R33/091

Abstract: 本发明的磁传感器装置(100)包括：形成磁场的磁回路(30)、磁阻效应元件(4)以及散热构件(11)。磁阻效应元件(4)输出磁场的变化以作为电阻值的变化，配置于磁回路(30)的传送路径一侧的面(+Z侧的面)。散热构件(11)被配置成与磁回路(30)的传送路径的相反侧(－Z侧)紧密接触。

公开(公告)号：CN102479541B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110385132.7

申请日：2011-11-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 刈屋田英嗣 ,  末光克巳 ,  谷川博信 ,  森馨 ,  铃木哲广 ,  永原圣万 ,  尾崎康亮 ,  大岛则和

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/10 ,  G01R33/091 ,  G01R33/098 ,  G11C11/02 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1143

Abstract: 一种含有具有垂直磁各向异性膜的数据记录层的磁存储器。该磁存储器(100)，包括：具有垂直磁各向异性的磁化固定层(50a、50b)，磁化固定层(50a、50b)的磁化方向是固定的；层间电介质(60)；形成在磁化固定层(50a、50b)和层间电介质(60)的上面上的底层(40)；和形成在底层(40)的上面上并且具有垂直磁各向异性的数据记录层(10)。底层(40)包括：第一磁底层(41)；和形成在第一磁底层上的非磁底层(42)。第一磁底层(41)形成为具有使得在第一磁底层(41)形成于层间电介质(60)上的部分中第一磁底层(41)没有呈现面内磁各向异性的厚度。

公开(公告)号：CN105425177A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201610030056.0

申请日：2011-10-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.拉贝尔格 ,  J.齐默

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/091 ,  G01R33/098

Abstract: 本发明涉及具有减小的不连续性的xMR传感器。实施例涉及xMR传感器和xMR传感器内的xMR条的配置，该xMR传感器包括巨磁阻（GMR）、隧道磁阻（TMR）或各向异性磁阻（AMR）。在实施例中，xMR条包括多个不同大小和/或不同取向的、串联连接的部分。在另一实施例中，xMR条包括变化的宽度或其它特性。这样的配置可以解决与传统xMR传感器相关联的不连续性并且提高xMR传感器性能。

公开(公告)号：CN105336847A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410243222.6

申请日：2014-06-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 徐伟 ,  刘国安

IPC: H01L43/12 ,  G01R33/09

CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/035 ,  G01R33/09 ,  G01R33/091 ,  G01R33/1276 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的三维磁阻传感器的制造方法，包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；步骤S102：通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；步骤S103：在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。该方法采用湿法刻蚀形成用于设置磁性材料元件的倒梯形沟槽，可以很好地控制倒梯形沟槽的侧壁与半导体衬底下表面的夹角，并且可以保证倒梯形沟槽的表面平坦度，因而可以提高三维磁阻传感器的良率。本发明的电子装置，采用根据上述方法制造的三维磁阻传感器，同样具有上述优点。

公开(公告)号：CN103424128B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310190623.5

申请日：2013-05-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 乌多·奥塞尔勒基纳 ,  马里奥·莫茨

IPC: G01D3/032

CPC classification number: G01R35/00 ,  G01D3/036 ,  G01D5/145 ,  G01L1/12 ,  G01R33/07 ,  G01R33/072 ,  G01R33/091

Abstract: 本发明的实施方式大体涉及传感器中的偏移误差补偿系统和方法，特别是涉及减小传感器系统中的偏移误差。在实施方式中，传感器的灵敏度和偏移分别不同地取决于某些参数（例如，电压）以使在参数的两个不同值下对传感器进行的操作能够消除偏移误差。实施方式适用于应力传感器、霍尔板、垂直霍尔器件、磁阻传感器等。

公开(公告)号：CN102565508B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110432580.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 秋山肇 ,  冈田章

IPC: G01R19/00

CPC classification number: G01R31/2884 ,  B82Y25/00 ,  G01R15/205 ,  G01R33/091 ,  G01R33/093 ,  G01R33/096 ,  G01R33/098 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111

Abstract: 本发明的目的在于得到一种在不增大芯片面积的情况下就能提高电流检测精度的半导体装置。半导体元件（1）具有发射极电极（7）。引出线（10）与发射极电极（7）电连接并且通过发射极电极（7）的上方向侧面引出。电流传感器（11）具有磁阻元件（12），对流过引出线（10）的电流进行检测。磁阻元件（12）配置在发射极电极（7）上且引出线（10）的下方。磁阻元件（12）的电阻值相对于由电流产生的磁场线性地变化。

公开(公告)号：CN102317804B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201080007396.2

申请日：2010-02-10

Applicant: 路斯特传感器技术有限公司

Inventor： U·劳雷特 ,  J·施密特

IPC: G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  G01D5/14

CPC classification number: G01R33/091 ,  G01D1/00 ,  G01D15/00 ,  G01D21/00 ,  G01R33/0005 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/0206 ,  G01R33/072 ,  G01R33/096

Abstract: 测量所加磁场的(H)的至少一个分量(x，y，z)的装置包括安置在芯片平面内的软磁材料表面区，它通过一个裂隙(6)被分为两个局部区域(5)。裂隙(6)由具有不同纵向的裂隙段组成并且多个磁场敏感元件(2)安置在一个或多个相互平行的裂隙段中。在优选实施方式中，磁场敏感元件(2)的灵敏度方向(4)和外侧的裂隙口的连线(6″)形成45°或者90°的角度。在其它装置中，在芯片平面内设有多个表面区，用于全部测量所有的磁场分量(x，y，z)。作为磁场敏感元件(2)，可有利地采用磁阻传感元件。

公开(公告)号：CN103901363A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310409446.5

申请日：2013-09-10

Applicant: 江苏多维科技有限公司

Inventor： 詹姆斯·G·迪克

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/091 ,  G01R33/09 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种单芯片Z轴线性磁阻传感器，该传感器包括基片、磁电阻传感元件以及通量引导件，磁电阻传感元件相互电连接形成电桥的推臂和挽臂，推臂和挽臂相间隔排列，并且推、挽臂上的磁电阻传感元件分别位于通量引导件下方的两侧，各磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相同，均沿X轴方向。Z轴方向的外加磁场通过通量引导件转变为X轴方向的磁场分量，位于通量引导件下方的磁电阻传感元件便能检测到此分量。该传感器具有以下优点：体积小、制作简单、便于封装、灵敏度高、线性度好、工作范围宽、低偏移、温度补偿功能好以及适用于高强度磁场等。

公开(公告)号：CN103630855A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310718969.8

申请日：2013-12-24

Applicant: 江苏多维科技有限公司

Inventor： 詹姆斯·G·迪克 ,  李丹

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/091 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/09 ,  G01R33/096

Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度推挽桥式磁传感器，该传感器包括两个基片、磁电阻传感元件、推臂通量集中器以及挽臂通量集中器。同一基片上磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相同，但与相邻基片上的磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相反，其中一个基片上的磁电阻传感元件相互电连接构成电桥的推臂，另一个基片上的磁电阻传感元件相互电连接构成电桥的挽臂。推、挽臂上磁电阻传感元件分别成列排布于相邻两个推臂通量集中器和相邻两个挽臂通量集中器之间的间隙处。此传感器可在准桥、半桥、全桥这三种电桥结构上得到实现。该传感器具有以下优点：偏移小、灵敏度高、线性度好、噪声小等。