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公开(公告)号:CN112194493A
公开(公告)日:2021-01-08
申请号:CN202011103900.0
申请日:2020-10-15
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/01 , C04B35/04
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,按照3:1:1:3的质量比例分别量取CZTG微波介质陶瓷和MZTG微波介质陶瓷的原料,并按照1:1的质量比加入无水乙醇,采用湿磨法混合4小时,并在120~140℃下烘干,以80目的筛网过筛,过筛后压制成对应的块状,接着分别在5℃/min的升温速率下,由室温升至1100℃,并在此温度下保温4小时,得到对应的烧块,然后分别按照质量比1:1的比例,与无水乙醇放入尼龙罐中球磨4小时,然后再分别放入烘炉,在120~140℃下烘干,得到对应的粉体;将所述粉体造粒后压制成圆柱并在550℃下排胶4小时,并在不同温度下进行烧结4小时,得到对应的微波介质陶瓷的整体性能较好。
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公开(公告)号:CN112174664A
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN202011080909.4
申请日:2020-10-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64 , B28B3/00
Abstract: 本发明公开了一种新型高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料,组成式为(1‑x)[0.9NaNbO3‑0.1Bi(Mg2/3Ta1/3)O3]‑x(Bi0.5Na0.5)0.7Sr0.3TiO3,x为摩尔百分比,0≤x≤0.40,本发明还公开了一种铌酸钠基陶瓷材料的制备方法,包括所述的一种新型高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料,还包括如下步骤:制备铌酸钠基陶瓷粉体;将铌酸钠基陶瓷粉料放入球磨罐中进行预定处理后,产物压成坯体进行预烧;预烧完成后将产物倒入球磨罐中再次进行预定处理,完成后将粉体用模具压成圆片;将圆片在马弗炉中按烧结条件进行烧结即可制备铌酸钠基陶瓷材料,通过引入强铁电体Bi(Mg2/3Ta1/3)O3和(Bi0.5Na0.5)0.7Sr0.3TiO3与NaNbO3反铁电体形成均匀固溶体,以提高陶瓷材料最大极化强度和击穿场强,从而提升了介电陶瓷材料的储能密度。
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公开(公告)号:CN110606741A
公开(公告)日:2019-12-24
申请号:CN201910820405.2
申请日:2019-09-01
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/495
Abstract: 本发明公开了一种Sr2SmNbO6微波介质材料的制备方法。以纯度≥99%的SrCO3、Sm2O3和Nb2O5为主要原料,按Sr2SmNbO6配料,之后将物料湿式球磨混合4h,以无水乙醇为球磨介质,干燥后在1200℃空气气氛下预烧4h;将预烧后的粉体进行二次球磨后添加5wt%聚乙烯醇进行造粒,造粒后压制成型,即制得Sr2SmNbO6微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度处于1300~1400℃之间,介电常数适中(27.7~30.2),Q×f值高(24182~33565GHz),谐振频率温度系数(τf)较小,可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN108395234A
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201810109585.9
申请日:2018-02-05
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结、超低介电常数微波介质材料及其制备方法。按LiAlB2O5分子式配料,采用湿磨法混合4h,然后烘干,过筛,压块,由室温升至600℃保温4 h,制成LiAlB2O5预烧块体,加入无水乙醇和锆球,球磨4 h,烘干,制得LiAlB2O5粉体;按CaTiO3分子式配料,采用湿磨法混合4h,然后烘干,过筛,压块,由室温升至1100℃保温4h,制成CaTiO3预烧块体,再加入无水乙醇和锆球,球磨4h,烘干,制得CaTiO3粉体,将两种粉体按LiAlB2O5-xCaTiO3进行称量混料,球磨4h,烘干,造粒,压制成小圆柱,排胶,烧结,即制得超低温烧结、超低介电常数微波介质材料。
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公开(公告)号:CN103030394B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310029387.9
申请日:2013-01-27
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由重量百分比为99~100%的LiMg4V3O12和0~1%的低熔点物质组成,其中低熔点物质为Bi2O3,B2O3和BaCu(B2O5)中的一种,通过固相反应,即可得到本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低、微波性能优异:Q×f值高,谐振频率温度系数τf小;不和银(Ag)反应,可以采用纯银作为内电极共烧,从而大大降低器件的制造成本,可用于低温共烧LTCC微波基板的制造。
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公开(公告)号:CN103396099A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201310341112.9
申请日:2013-08-07
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/495 , C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铌基温度稳定型LTCC微波介质陶瓷材料。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为:(1-x)Li3NbO4+xCaTiO3+yB2O3,其中0.1≤x≤0.3;0.05≤y≤1;以纯度≥99%的Li2CO3、Nb2O5、CaCO3、TiO2和B2O3为主要原料,先分别按摩尔比Li2CO3∶Nb2O5=1.5∶0.5和CaCO3∶TiO2=1∶1预先分别煅烧合成Li3NbO4和CaTiO3主粉体,然后在主粉体中加入B2O3来降低其烧结温度,从而获得介电常数适中、Q×f高,谐振频率温度系数近零的LTCC微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度处于900~1025℃,介电常数适中(18.1~31.2),Q×f值高(10500~24900GHz),谐振频率温度系数(τf)小;可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN103253934A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310237050.7
申请日:2013-06-17
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基高介电温度稳定型陶瓷材料及其制备方法。该材料以BaCO3、TiO2、Bi2O3、MgO和WO3为主原料,分别先按分子式BaTiO3、Bi(Mg0.75W0.25)O3配制预烧合成粉体,再按(1-x)BaTiO3-xBi(Mg0.75W0.25)O3(0.02≤x≤0.24)配制成主粉体,然后经过造粒、压片、烧结后获得高介电材料。本发明制备的高介电陶瓷,制备工艺简单且介电性能优异:介电常数高(δ>2000),介电损耗低,介电常数温度变化率小;可用于X7R型多层电容器MLCC,高温电容器HTCC等的制造。
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公开(公告)号:CN101805170B
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201010149094.0
申请日:2010-04-15
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/01 , C04B35/46 , C04B35/457 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结锂基微波介电陶瓷及其制备方法。介电陶瓷化学组成式为:Li2CoTi3-x-yZrxSnyO8;其中,0.00≤x≤1,0.00≤y≤2。将纯度为99.9%以上的Li2CO3、Co2O3、TiO2、SnO2和ZrO2的原始粉末按Li2CoTi3-x-yZrxSnyO8化学式称量配料,其中0.00≤x≤1,0.00≤y≤2;湿式球磨混合12-24小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在900℃大气气氛中预烧4-8小时,然后在预烧粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在950-1100℃大气气氛中烧结1-3小时。所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占原始粉末总量的3%-15%。本发明陶瓷材料烧结温度低于1100℃,高频介电常数达到25~40,Q×f值高达24000-53000GHz,及谐振频率温度系数(τf)小良好。
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公开(公告)号:CN101798220A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN201010132868.9
申请日:2010-03-24
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钨酸盐低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料的分子结构表达式为:[Zn1-x(Li0.5Sm0.5)x]WO4,其中,0.05≤x≤0.8。将将配制后化学原料混合,加入酒精,采用湿磨法混合4小时,烘干,过筛,压制成块状,置于氧化铝坩埚内,经以5℃/min的升温速率升至700℃~800℃,保温4小时~8小时,得到烧块;将烧块粉碎,进行二次球磨烘干,造粒,得到瓷料,该瓷料在800℃~850℃下烧结2小时~4小时。本发明化学组成和制备工艺简单,固有烧结温度低(800~850℃);制得的陶瓷材料的介电常数为14-17,Q×f高且频率温度系数小。可用于低温共烧陶瓷系统(LTCC)、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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