一种温度稳定型无铅巨介电常数陶瓷材料

    公开(公告)号:CN104692800A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201510057763.4

    申请日:2015-02-04

    Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型无铅巨介电常数陶瓷材料,其化学组成为(1-x)LiCuNb3O9-xBi(Mg0.5Zr0.5)O3,其中,x为摩尔比,0.02≤x≤0.08;以纯度≥99%的Li2CO3、CuO、Nb2O5、Bi2O3、MgO、ZrO2为原始粉末,分别按LiCuNb3O9和Bi(Mg0.5Zr0.5)O3的组成称量配料;球磨混合后分别在900℃和750℃煅烧8小时合成主粉体;将Bi(Mg0.5Zr0.5)O3粉体添加到LiCuNb3O9主粉体中,使LiCuNb3O9基陶瓷的介电常数高于23000,特别在x=0.04时,介电常数高于48000,测试温度在100-250℃时,介电常数温度变化率(Δε/ε100oC)小(在±15%以内)。本发明具有制备工艺简单,制备成本低的优点,具有强的实用性。

    铌酸钠钾基高温介电温度稳定型陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103265290A

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201310237327.6

    申请日:2013-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠钾基高温介电温度稳定型陶瓷材料及其制备方法。该高温介质陶瓷材料的化学组成式为:(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xBa2NaNb5O15;以纯度≥99%的K2CO3、Na2CO3、BaCO3和Nb2O5为主要原料,先分别按摩尔比K2CO3:Na2CO3:Nb2O5=0.25:0.25:0.5和BaCO3:Na2CO3:Nb2O5=2:0.5:2.5配制预先煅烧合成粉体,然后将配制好的粉体按(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xBa2NaNb5O15(x=0.05,0.075,0.1)混合后烧结,从而获得具有稳定的介电常数和较低的介电损耗的高温介电稳定型陶瓷材料。本发明制备的高温介质陶瓷,其介电常数高(1000~1500),介电损耗低(

    V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103030394B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201310029387.9

    申请日:2013-01-27

    Abstract: 本发明公开了一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由重量百分比为99~100%的LiMg4V3O12和0~1%的低熔点物质组成,其中低熔点物质为Bi2O3,B2O3和BaCu(B2O5)中的一种,通过固相反应,即可得到本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低、微波性能优异:Q×f值高,谐振频率温度系数τf小;不和银(Ag)反应,可以采用纯银作为内电极共烧,从而大大降低器件的制造成本,可用于低温共烧LTCC微波基板的制造。

    钛酸钡基高介电温度稳定型陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103253934A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310237050.7

    申请日:2013-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基高介电温度稳定型陶瓷材料及其制备方法。该材料以BaCO3、TiO2、Bi2O3、MgO和WO3为主原料,分别先按分子式BaTiO3、Bi(Mg0.75W0.25)O3配制预烧合成粉体,再按(1-x)BaTiO3-xBi(Mg0.75W0.25)O3(0.02≤x≤0.24)配制成主粉体,然后经过造粒、压片、烧结后获得高介电材料。本发明制备的高介电陶瓷,制备工艺简单且介电性能优异:介电常数高(δ>2000),介电损耗低,介电常数温度变化率小;可用于X7R型多层电容器MLCC,高温电容器HTCC等的制造。

    一种温度稳定型无铅巨介电常数陶瓷材料

    公开(公告)号:CN104692800B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201510057763.4

    申请日:2015-02-04

    Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型无铅巨介电常数陶瓷材料,其化学组成为(1?x)LiCuNb3O9?xBi(Mg0.5Zr0.5)O3,其中,x为摩尔比,0.02≤x≤0.08;以纯度≥99%的Li2CO3、CuO、Nb2O5、Bi2O3、MgO、ZrO2为原始粉末,分别按LiCuNb3O9和Bi(Mg0.5Zr0.5)O3的组成称量配料;球磨混合后分别在900℃和750℃煅烧8小时合成主粉体;将Bi(Mg0.5Zr0.5)O3粉体添加到LiCuNb3O9主粉体中,使LiCuNb3O9基陶瓷的介电常数高于23000,特别在x=0.04时,介电常数高于48000,测试温度在100?250℃时,介电常数温度变化率(Δε/ε100oC)小(在±15%以内)。本发明具有制备工艺简单,制备成本低的优点,具有强的实用性。

    V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103030394A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201310029387.9

    申请日:2013-01-27

    Abstract: 本发明公开了一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由重量百分比为99~100%的LiMg4V3O12和0~1%的低熔点物质组成,其中低熔点物质为Bi2O3,B2O3和BaCu(B2O5)中的一种,通过固相反应,即可得到本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低、微波性能优异:Q×f值高,谐振频率温度系数τf小;不和银(Ag)反应,可以采用纯银作为内电极共烧,从而大大降低器件的制造成本,可用于低温共烧LTCC微波基板的制造。

Patent Agency Ranking