一种低成本的超低介微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119430896A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411373251.4

    申请日:2024-09-29

    Abstract: 本发明涉及电子陶瓷技术领域,具体涉及一种低成本的超低介微波介质陶瓷材料及其制备方法,包括以下质量比的成分:MgO4.1%,H2SiO336.4%,Al2O331.5%和滑石28%,以滑石粉和纯度≥99%的Al2O3、H2SiO3、MgO作为初始原料,通过固相烧结法制备微波介质材料Mg2.15Al4Si5O18.15,材料的微波性能较为优异:介电常数εr为3.82~4.42,品质因数Q×f为36653~64628GHz,谐振频率温度系数τf为‑26.02~‑24.80ppm/℃,该超低介微波介质陶瓷材料采用滑石替换部分的硅原料和镁原料,大大的减少了硅原料和镁原料的含量,滑石较硅原料和镁原料而言,成本极低,降低了原料成本且易于制备,具有极大的商业潜力。此外,提高滑石的附加值,带动相关产业的发展。

    低介三元体系低烧结温度玻璃陶瓷介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119349888A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411387653.X

    申请日:2024-10-06

    Abstract: 本发明涉及电子陶瓷技术领域,具体内容涉及低介三元体系低烧结温度玻璃陶瓷介质材料及其制备方法,化学式为Li3AlxByO6+δ,原料包括Li2CO3、Al2O3和B2O3。烧结得到的玻璃陶瓷介质材料的主晶相为Li3AlB2O6,次相为LiAlB2O5,该玻璃陶瓷介质材料是一种具有低介电常数和烧结温度的玻璃陶瓷介质材料,其在测试频率(15GHz)下的相对介电常数低至3~5,谐振频率温度系数‑79~‑121ppm/℃,品质因数可以达到21965‑32497GHz,解决现有介质材料因烧结温度偏高而应用受到限制的问题。

    一种基于晶体图卷积神经网络的微波介质陶瓷介电常数预测方法

    公开(公告)号:CN118709829A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410724974.8

    申请日:2024-06-05

    Abstract: 本发明是一种基于晶体图卷积神经网络的微波介质陶瓷介电常数预测方法。包括以下步骤:首先,从文献和数据库中获取微波介质陶瓷的化学式、介电常数和CIF文件。将数据集样本输入CGCNN,从CIF文件中提取晶胞的原子和化学键信息,构建晶体图数据,并对介电常数进行归一化。通过卷积层对晶体图进行特征提取,并通过池化层保留重要特征,随后全连接层组合最适合的特征表示。使用随机梯度下降优化器对模型进行训练,并利用Optuna优化框架调优超参数。预测模型训练完成后,将待预测陶瓷的CIF文件输入CGCNN,即可输出其介电常数预测值。该方法提供了简单输入、高准确率微波介质陶瓷介电常数的预测模型,具有较高的应用价值。

    一种钛酸钡基储能陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115448716A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202211128446.3

    申请日:2022-09-16

    Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷材料技术领域,具体涉及一种钛酸钡基储能陶瓷材料及其制备方法,包括以BaCO3、TiO2、Bi2O3、MgO、Nb2O5、CaCO3为原料制备钛酸钡基陶瓷粉体;将所述钛酸钡基陶瓷粉体放入球磨罐中进行预定处理后压成坯体进行预烧,得到预烧产物;将所述预烧产物放入球磨罐中再次进行预定处理后压成圆片;将所述圆片在马弗炉中按烧结条件进行烧结,得到钛酸钡基陶瓷材料,本发明通过以BaCO3、TiO2、Bi2O3、MgO、Nb2O5、CaCO3为原料最终制备得到的钛酸钡基陶瓷材料,提高了击穿强度和绝缘性,从而提高了材料的储能密度和储能效率,同时原料中并未使用有害元素,不会对环境造成污染,解决了现有的高能量存储密度的线性电介质材料会对环境造成污染的问题。

    低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN112194493A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011103900.0

    申请日:2020-10-15

    Abstract: 本发明公开了一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,按照3:1:1:3的质量比例分别量取CZTG微波介质陶瓷和MZTG微波介质陶瓷的原料,并按照1:1的质量比加入无水乙醇,采用湿磨法混合4小时,并在120~140℃下烘干,以80目的筛网过筛,过筛后压制成对应的块状,接着分别在5℃/min的升温速率下,由室温升至1100℃,并在此温度下保温4小时,得到对应的烧块,然后分别按照质量比1:1的比例,与无水乙醇放入尼龙罐中球磨4小时,然后再分别放入烘炉,在120~140℃下烘干,得到对应的粉体;将所述粉体造粒后压制成圆柱并在550℃下排胶4小时,并在不同温度下进行烧结4小时,得到对应的微波介质陶瓷的整体性能较好。

    一种新型高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112174664A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202011080909.4

    申请日:2020-10-11

    Abstract: 本发明公开了一种新型高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料,组成式为(1‑x)[0.9NaNbO3‑0.1Bi(Mg2/3Ta1/3)O3]‑x(Bi0.5Na0.5)0.7Sr0.3TiO3,x为摩尔百分比,0≤x≤0.40,本发明还公开了一种铌酸钠基陶瓷材料的制备方法,包括所述的一种新型高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料,还包括如下步骤:制备铌酸钠基陶瓷粉体;将铌酸钠基陶瓷粉料放入球磨罐中进行预定处理后,产物压成坯体进行预烧;预烧完成后将产物倒入球磨罐中再次进行预定处理,完成后将粉体用模具压成圆片;将圆片在马弗炉中按烧结条件进行烧结即可制备铌酸钠基陶瓷材料,通过引入强铁电体Bi(Mg2/3Ta1/3)O3和(Bi0.5Na0.5)0.7Sr0.3TiO3与NaNbO3反铁电体形成均匀固溶体,以提高陶瓷材料最大极化强度和击穿场强,从而提升了介电陶瓷材料的储能密度。

    Sr2SmNbO6微波介质材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110606741A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201910820405.2

    申请日:2019-09-01

    Abstract: 本发明公开了一种Sr2SmNbO6微波介质材料的制备方法。以纯度≥99%的SrCO3、Sm2O3和Nb2O5为主要原料,按Sr2SmNbO6配料,之后将物料湿式球磨混合4h,以无水乙醇为球磨介质,干燥后在1200℃空气气氛下预烧4h;将预烧后的粉体进行二次球磨后添加5wt%聚乙烯醇进行造粒,造粒后压制成型,即制得Sr2SmNbO6微波介质材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度处于1300~1400℃之间,介电常数适中(27.7~30.2),Q×f值高(24182~33565GHz),谐振频率温度系数(τf)较小,可用于谐振器、天线、滤波器等微波器件的制造。

    一种利用松香皂制备水分散性聚吡咯导电纳米粒子的方法

    公开(公告)号:CN106750286B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201611084893.8

    申请日:2016-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种利用松香皂制备水分散性聚吡咯导电纳米粒子的方法。将1~4质量份的氧化剂过硫酸铵溶解在100~200质量份的去离子水中,然后加入1~20质量份的松香皂并搅拌混合均匀,再加入1质量份的吡咯单体并于0~25℃下搅拌反应5~10小时,使吡咯发生氧化聚合,然后抽滤,所得产物用去离子水洗涤至滤液呈中性,所得滤饼在40℃下进行真空干燥,最后粉碎制得黑色粉末,即为水分散性聚吡咯导电纳米粒子;所述松香皂为松香酸钠或松香酸钾。本发明方法制备工艺简单,合成时间短,原料廉价易得,且制得的聚吡咯导电纳米粒子比表面积大,反应转化率高,电导率高,且具有水分散性,能够用于防腐涂料、电磁屏蔽、电极材料等领域。

    超低温烧结、超低介电常数微波介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108395234A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201810109585.9

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结、超低介电常数微波介质材料及其制备方法。按LiAlB2O5分子式配料,采用湿磨法混合4h,然后烘干,过筛,压块,由室温升至600℃保温4 h,制成LiAlB2O5预烧块体,加入无水乙醇和锆球,球磨4 h,烘干,制得LiAlB2O5粉体;按CaTiO3分子式配料,采用湿磨法混合4h,然后烘干,过筛,压块,由室温升至1100℃保温4h,制成CaTiO3预烧块体,再加入无水乙醇和锆球,球磨4h,烘干,制得CaTiO3粉体,将两种粉体按LiAlB2O5-xCaTiO3进行称量混料,球磨4h,烘干,造粒,压制成小圆柱,排胶,烧结,即制得超低温烧结、超低介电常数微波介质材料。

    V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103030394B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201310029387.9

    申请日:2013-01-27

    Abstract: 本发明公开了一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由重量百分比为99~100%的LiMg4V3O12和0~1%的低熔点物质组成,其中低熔点物质为Bi2O3,B2O3和BaCu(B2O5)中的一种,通过固相反应,即可得到本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低、微波性能优异:Q×f值高,谐振频率温度系数τf小;不和银(Ag)反应,可以采用纯银作为内电极共烧,从而大大降低器件的制造成本,可用于低温共烧LTCC微波基板的制造。

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