可见光到近红外双波段内嵌椭圆谐振腔传感器

    公开(公告)号:CN113483792A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202110752013.4

    申请日:2021-07-03

    Abstract: 本发明公开了可见光到近红外双波段内嵌椭圆谐振腔传感器,该传感器由输入输出的波导,矩形腔和椭圆环形谐振腔组成,其中波导的宽度为w,矩形谐振腔与输入输出波导之间的耦合距离为g,矩形谐振腔的宽度和高度分别为q和h,矩形谐振腔和椭圆环形谐振腔的耦合距离为g1,椭圆环形谐振器的外椭圆长轴长度和短轴长度为A1,B1,内部椭圆长轴长度和短轴长度为a1,b1。光波在波导中传输时,通过矩形腔与椭圆环形谐振腔的耦合,产生Fano共振,改变结构中的几何参数和介质的折射率后,使Fano共振谱线偏移。本发明可以实现从可见光到近红外波段的双通道调控,并且可以获得较高的灵敏度和品质因数(FOM),计算的灵敏度和品质因数最高为1075nm/RIU和91914。该发明提供的结构易与其他光子器件集成,研究结果可以为这种结构的未来应用提供指导。

    一种基底叠加聚酰亚胺的太赫兹超材料传感器

    公开(公告)号:CN119804380A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510005898.X

    申请日:2025-01-02

    Abstract: 本发明公开了一种基底叠加聚酰亚胺的太赫兹超材料传感器,包括高阻硅基底、叠加在高阻硅基底之上的聚酰亚胺和固定于聚酰亚胺表面的二维阵列,每个阵列单元包括一个圆环金属结构和一个方形开口环金属结构。圆环金属结构的中心与阵列单元的中心重合,包围方形开口环金属结构且无连接;方形开口环金属结构的垂直平分线与圆环金属结构的重合,且处于圆环金属结构的环内,开口位于方形开口环金属结构的上臂,且位于上臂的中心。通过在高阻硅基底之上引入一层聚酰亚胺,使本发明的传感器具有更高的谐振强度、灵敏度和品质因素,而且制作工艺成熟,特别适合作为痕量生物分子的高灵敏度传感。

    一种基于多模干涉耦合器的4×4热光开关

    公开(公告)号:CN116736561A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310160262.3

    申请日:2023-02-24

    Abstract: 本发明提出一种基于多模干涉耦合器的4×4热光开关,可应用于光通信、光互联、光计算中,属于光电技术领域。整个光开关器件基于多模干涉耦合器结构,从左至右沿光传播方向,依次由输入波导、多模干涉分束器、连接波导、多模干涉合束器、输出波导构成;输入波导与多模干涉分束器连接,输出波导与多模干涉合束器连接,多模干涉分束器与多模干涉合束器通过连接波导连接,且连接波导上均设有用于加热波导的电极加热器,通过控制电极加热器温度,利用聚合物材料的热光效应,改变材料的折射率进而导致光相位改变,最后经多模干涉耦合器的自映像效应实现不同的开关状态。本发明具有结构紧凑、具有多种开关状态、开关损耗与路径无关等优点,可作为光开关单元或经扩展后应用于片上光网路。

    基于谐振腔耦合金属波导结构全光等离子体开关

    公开(公告)号:CN110568553A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910960224.X

    申请日:2019-10-10

    Abstract: 本发明公开一种基于谐振腔耦合金属波导结构全光等离子体开关,包括附着在绝缘介质上的金属层,以及镂空嵌设在金属层中的传输波导、谐振腔和共振波导;所述传输波导位于金属层的中部;该传输波导呈直条状,其两端分别延伸至金属层两对边的边缘;所述谐振腔位于传输波导的一侧;该谐振腔呈矩形;所述共振波导位于传输波导和谐振腔之间;该共振波导呈直条状,其一端与传输波导相连通,另一端与谐振腔相连通。当谐振腔为一个时,该结构呈现单端口开关或带阻滤波器特性,当谐振腔为两个以上时,该结构呈现双端口开关或多端口开关特性。本发明可获得较好的光学开关特性,并为未来的全光集成电路中的滤波器和光开关等领域都有良好的应用前景。

    一种基于超表面的太赫兹电场增强器件

    公开(公告)号:CN119695508A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411930274.0

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的太赫兹电场增强器件,由二氧化硅基底和位于其表面能实现太赫兹电场增强的超表面组成。超表面由周期性阵列金属结构组成,每个阵列单元包含1个口字形金属框,两个一字形金属条和两个“T”字形金属图案。口字形金属框位于阵列单元的正中央,两个一字形金属条分别与口字形金属框的左右两边中央相连。两个“T”字形金属图案分别与口字形金属框的上下两边垂直相交,两个“T”字形图案的水平臂平行,且在两臂之间有一条间隙。当间隙宽度小于100nm时,间隙中的太赫兹电场将显著增强。该增强效应源于超表面结构与入射太赫兹波的共振响应产生的强烈局部化效应。该太赫兹电场增强器件可应用于太赫兹波探测、成像、传感和通信等领域。

    基于GS-RF的单片层间通孔故障检测方法

    公开(公告)号:CN118504514A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410598392.X

    申请日:2024-05-14

    Abstract: 本发明属于集成电路测试领域,具体涉及基于GS‑RF的单片层间通孔故障检测方法。以MIV中心导体出现的空洞、针孔和开路故障为研究对象建立故障模型,基于所建故障模型,提取发生不同故障的S参数;以MIV空洞故障半径、MIV针孔故障长度和MIV开路故障距离为数据分类依据,设置标签;建立GS‑RF分类模型,采用网格搜索(Grid Search,GS)优化算法对随机森林(Random Forest,RF)进行优化,基于随机森林算法寻找最佳参数;实现通过不同故障的S参数,利用GS‑RF模型对其进行分类处理,预测发生故障类型,提高了MIV故障检测准确率。该检测方法避免了在故障检测过程中对MIV的二次损坏,解决了传统的MIV检测方法难以对MIV故障进行准确检测且检测范围有限的问题,对于优化MIV的设计和制造过程中改进MIV故障具有一定的参考价值。

    一种可重构的2x4电光开关结构
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116841061A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310636334.7

    申请日:2023-06-01

    Abstract: 本发明提出一种可重构的2×4电光开关结构,可应用于光互联、光通信等,属于光电子领域。本发明由三个定向耦合器结构,两个S弯曲波导以及一个弧形弯曲波导构成,电极放置在定向耦合器结构的两侧,在每一个定向耦合器中含有一组电极,其中三组电极独立控制。光信号从端口1输入,通过对不同的电极组施加不同的电压,使输出信号在输出端口出现不同的组合方式,以实现电压对光信号输出的灵活调控。本发明有利于构建可重构的光链路,为制作大规模的光开关提供了灵活性。

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