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公开(公告)号：CN119804371A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510003198.7
申请日：2025-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3504 , G01N21/3586
Abstract: 本发明涉及太赫兹传感技术领域，公开了一种基于HKUST‑1修饰的太赫兹超表面传感器检测痕量对二甲苯气体的方法。首先，将HKUST‑1修饰到传感器表面，随后将修饰后的传感器放置在气室内，再测试修饰后传感器空载时的太赫兹光谱，最后分别将不同浓度的对二甲苯气体通入气室，同时用光谱系统采集不同浓度的响应光谱；进一步地，对比所述空载时的太赫兹光谱与所述响应光谱，根据光谱的频移量建立关系式；进一步的，按照上述操作方法，对比了传感器对相同浓度的其它种类气体样本的响应光谱来验证传感器的选择性。本发明的一种基于HKUST‑1修饰的超表面传感器检测痕量对二甲苯气体的方法，在室温下操作简单，灵敏性和选择性的对二甲苯气体检测领域有着重要应用价值。
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公开(公告)号：CN119695414A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411930556.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，由高阻硅基底和其上的二维阵列构成。每个阵列单元包含3个沿着竖直方向并排的矩形金属框以及3个嵌入其内部的石墨烯矩形框、3组矩形金属块和2个矩形金属块。每组矩形金属块4个，两两排列于石墨烯矩形框上下两边。2个矩形金属块分别连接于阵列单元左右两侧中部。两个引出电极位于二维阵列两侧，分别与直流电源的正、负极相连接。当偏置电压增加时，透过移相器产生的太赫兹波吸收峰逐渐向低频移动，在吸收峰的右侧会产生宽频、大相移。本发明的电控太赫兹宽频大相移动态移相器制作成本低，响应速度快，在太赫兹相控阵雷达、宽带无线通信等领域有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN118213286A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410303133.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 基于分压器的单片层间通孔故障检测方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决目前多数提出的基于时序冲突的MIV测试架构，根据MIV缺陷的类型表现出不同的充电/放电时间来检测故障，容易受到工艺电压温度变化和噪声的影响。因此，本文提出基于分压器的MIV测试体系结构，可降低测试误差同时识别各种MIV缺陷。包括：MOS管选择电路、电阻性开路故障测试单元、针孔故障测试单元、测试使能电路和比较器电路，通过MOS管选择电路选择合适沟道宽长比的MOS管，利用不同沟道宽长比的MOS管具有不同的阈值电阻，提出了基于分压器的单片三维集成电路层间通孔故障检测方法。本发明可有效降低来自不同工艺电压温度和噪声所给测试造成的影响。
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公开(公告)号：CN113281301B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110523208.1
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/3206
Abstract: 本发明公开一种圆环‑矩形谐振腔结构的折射率、温度传感器，其传感器由圆环‑矩形复合形成的谐振腔以及在侧面耦合具有金属壁的金属‑绝缘体‑金属(MIM)波导组成。当入射光在波导中传输并耦合到谐振腔时，当满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。研究了该传感器的传输特性和传感特性，通过优化结构的几何参数，可以得到其最大的折射率灵敏度(S)为914nm/RIU。此外，在介质中填充乙醇，可实现高灵敏度的温度传感器，其最大灵敏度为0.35nm/℃。经研究该结构具有较高的灵敏度，在促进集成光子器件在纳米级光学传感方面具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113483793A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752350.3
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明提供了一种基于双偏振D型光子晶体光纤双参量SPR传感器。所述传感器具有顶部侧抛平面和底部n型微通道，在侧抛平面上方和n型微通道顶部弧形内壁上均涂覆有金膜和TiO2层。本发明利用偏振控制器来控制产生X偏振或Y偏振，Y偏振与侧抛平面上的金膜产生SPR可检测待测介质折射率，X偏振与n型微通道顶部弧形内壁上的金膜产生SPR可检测磁场强度，从而实现双偏振检测双参量。本发明的优点是：双偏振检测减少各参量间影响，增大各参量检测范围；n型微通道减少磁流体到待测介质距离，增大磁流体体积，提升磁场强度检测灵敏度；TiO2层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，检测范围宽，灵敏度高，抗干扰性强，具有良好传感特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113253369A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110523559.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全介质纳米圆环阵列结构的宽色域结构色滤波器，该结构由介质材料基底层及其上周期结构圆环阵列组成。其中单个周期结构是以一个方形石英衬底上的硅环组成。通过调节本结构的圆环的内环直径以及圆环的高度可以对可见光进行操控，产生宽色域范围的颜色。本滤波器有结构设计简单、易于加工、颜色可靠、较大颜色可调等优点。在未来的超高分辨率打印技术和颜色显示相关领域有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN113945545B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202111331624.8
申请日：2021-11-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器，包括二氧化硅衬底，以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元；每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成；金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙；金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形；金属纳米棒为矩形；金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向，且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本发明通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子，两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数，可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控，并获得高灵敏度。
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公开(公告)号：CN118690282A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410294843.0
申请日：2024-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F18/2431 , G06N3/0464 , G06N3/09 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开一种基于GAF‑DRSN的TSV故障测试方法，该方法首先通过三维电磁仿真软件HFSS设计TSV缺陷模型，将不同缺陷的TSV所提取的S参数作为测试参数；然后利用GAF将采集到的S参数特征数据转换为二维图像；最后利用DRSN模型对转换后的TSV不同故障类型图像数据进行准确的故障识别。仿真结果表明，该方法的能有效的对各种故障类型进行分类，平均准确率达到98％以上，具有准确率高，泛化能力强等优点。
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公开(公告)号：CN117195806A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311185664.5
申请日：2023-09-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 基于同轴环形硅通孔(CA‑TSV)技术,提出了应用于三维集成电路中的三维螺旋电感。本文根据所设计CA‑TSV电感模型，采用COMSOL仿真软件，分析CA‑TSV电感在电磁热与热膨胀多物理场的复杂环境下的性能，从而提高电感设计的可靠性。并且本方法相较于单一电场分析，能够准确反映电感在实际应用中的表现，通过仿真结果分析了CA‑TSV结构在电热耦合下的温度响应及热力耦合下的应力响应影响规律，有助于优化其设计和提高整体电路的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115684028A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211348266.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双金属和双偏振的多通道SPR光纤传感器。所述传感器对光纤四周进行抛磨，形成对称四通道，在所抛平面分别涂覆上金属膜(金膜或银膜)，并在所抛平面和金属膜之间加入TiO2层或Ta2O5层。本发明利用偏振控制器来控制产生双偏振(X偏振或Y偏振)光，偏振光与不同金属之间产生的SPR效应用来检测待测介质折射率，从而实现四通道传感检测。本发明的优点是：双偏振可以减少不同偏振下各通道间的检测干扰，双金属可以减少同一偏振下各通道之间的检测干扰，从而整体实现低干扰的多通道同时检测；TiO2层和Ta2O5层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，可同时检测多种待测介质，抗干扰性强，灵敏度高，具有良好传感特性。
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