功率模块和具有其的车辆

    公开(公告)号:CN205069618U

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201520763889.9

    申请日:2015-09-29

    IPC分类号: H01L23/367 H01L23/473

    摘要: 本实用新型公开了一种功率模块和具有其的车辆,其中功率模块包括:功率芯片;两个绝缘导热冷却盒,两个所述绝缘导热冷却盒分别设在所述功率芯片的上下表面上,每个所述绝缘导热冷却盒内填充有冷却液。根据本实用新型的功率模块,省去了相关技术中的双面覆铜陶瓷基板,缩短了散热路径、减小了热阻,可以使功率芯片的上下表面实现同时散热的目的,进一步地增强了功率模块的散热能力,从而提高了功率模块的可靠性,延长了功率模块的使用寿命,该功率模块的结构简单、生产工序简易、生产率较高。

    一种功率模块及其车辆

    公开(公告)号:CN207425852U

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201721408816.3

    申请日:2017-10-26

    IPC分类号: H01L23/552 H01L25/07

    摘要: 本实用新型提供一种功率模块,包括:基板;导电层,所述导电层设置在基板上,所述导电层具有多个不同的导电区域,所述导电层的同一类型导电区域包括多个导电子区域和连接部,所述多个导电子区域之间具有间隔,且相邻导电子区域通过所述连接部连接;功率芯片,所述功率芯片设置在导电层上,所述功率芯片上的端子与所述导电层对应的导电区域电连接。该功率模块,通过在导电层同一类型的导电区域中设置相互之间具有间隔的导电子区域,使得各功率芯片之间的相互干扰减小,改善了EMC问题。本实用新型还提供一种包括上述功率模块的车辆。

    一种功率模块
    23.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206595255U

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201720106051.1

    申请日:2017-01-24

    摘要: 一种功率模块,功率模块包括:绝缘介质基板,包括第一导电层和设于所述第一导电层之上的第一绝缘层,所述第一绝缘层开设有第一导电路径;第二绝缘层,所述第二绝缘层开设有第二导电路径;图形化的第二导电层;至少一个功率半导体芯片,嵌设于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间;其中,所述功率半导体芯片通过所述第一导电路径与所述第一导电层形成电气连接,且通过所述第二导电路径与所述第二导电层形成电气连接。封装无需开塑封模,节省了生产成本;另外,功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接,减小了模块的体积,有利于模块小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种防呆结构及智能功率模块

    公开(公告)号:CN206524317U

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201720212272.7

    申请日:2017-03-07

    IPC分类号: H01L23/12 H01L23/16

    摘要: 本实用新型提供了一种防呆结构,设置于智能功率模块的底板和外框架上,包括:防呆柱和防呆槽,所述防呆柱和防呆槽分别设置在智能功率模块的底板和外框架上,所述防呆柱和防呆槽的形状和位置相适应。通过上述方式,本实用新型提供的一种防呆结构,在智能功率模块的底板和外框架上设置防呆柱和防呆槽,确保智能功率模块的底板和外框架能正确组装。

    功率模块和具有其的车辆

    公开(公告)号:CN205069616U

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201520762264.0

    申请日:2015-09-29

    摘要: 本实用新型公开了一种功率模块和具有其的车辆,其中功率模块包括:功率芯片,所述功率芯片的上表面引出有门极;两个绝缘散热基板,所述两个绝缘散热基板分别焊接在所述功率芯片的上下表面上,每个所述绝缘散热基板朝向另一个所述绝缘散热基板的表面上均设有第一金属层,位于所述功率芯片上方和下方的所述两个绝缘散热基板上分别引出有发射极和集电极,所述发射极和集电极分别与相对应的所述第一金属层相连。根据本实用新型的功率模块,缩短了散热路径、减小了热阻,同时两个绝缘散热基板可以使芯片的上下表面实现同时散热的目的,增强了功率模块的散热能力和可靠性。

    功率模块组件、功率半导体模块和车辆

    公开(公告)号:CN208861980U

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201821503739.4

    申请日:2018-09-13

    IPC分类号: H01L25/18 H01L23/34

    摘要: 本公开涉及一种功率模块组件、功率半导体模块和车辆。所述功率模块组件包括:绝缘层;设置在绝缘层上的第一金属层;由多个IGBT芯片并联连接而成的第一IGBT芯片组,第一IGBT芯片组包括多个第一IGBT芯片单元,每个第一IGBT芯片单元包括一个或多个IGBT芯片;由多个FRD芯片并联连接而成的第一FRD芯片组,所述第一FRD芯片组包括多个第一FRD芯片单元,每个第一FRD芯片单元包括一个或多个FRD芯片,其中,第一IGBT芯片组和第一FRD芯片组反向并联,多个第一IGBT芯片单元和多个第一FRD芯片单元在第一金属层上交替相间排列。这样能够增大芯片工作时的散热间隙,降低芯片结温并减小并联的芯片之间的温度差,使并联的芯片之间温度更加均衡。

    一种功率模块及车辆
    28.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208861966U

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201821558511.5

    申请日:2018-09-25

    IPC分类号: H01L23/00 H01L23/31

    摘要: 本实用新型提供了一种功率模块,包括:底板、外框、基板、芯片、防爆层和盖板,所述基板固定在底板上,所述芯片固定在基板上,所述外框沿底板的轮廓设置并固定在底板上,所述外框和底板形成上部开口的盒状结构,在所述芯片的上方设置有防爆层,所述防爆层设置有防爆孔,所述防爆层上方设置盖板。通过上述方式,能够更好地引导和释放爆炸能量,从而保护其他部件,有利于后续的分析研究,安全性能提高。本实用新型还提供一种车辆,包括上述的功率模块。

    一种高压功率模块
    29.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208298812U

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201820788845.5

    申请日:2018-05-25

    摘要: 本实用新型提供一种高压功率模块,包括:基板、IGBT芯片和FRD芯片,所述基板的边缘转角处为圆角,所述IGBT芯片和FRD芯片设置在基板上并通过电路图案连接,所述电路图案的转角处为多角或圆角。通过在电路图案的转角处设置多角或圆角来增加转角区域的平滑度,避免尖锐的倒角,有效降低局部放电现象;通过将基板的转角做圆角处理,减少电场集中,提高抵抗热应力性,降低衬板在应用中崩坏的风险。

    一种双面散热功率模块

    公开(公告)号:CN206595257U

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201621492610.9

    申请日:2016-12-30

    IPC分类号: H01L25/07 H01L23/367

    摘要: 本实用新型提供一种双面散热功率模块,包括:第一散热板、第二散热板、第一IGBT芯片、第二IGBT芯片、第一电气转接块和第二电气转接块,所述第一IGBT芯片焊接在第二散热板上,所述第一电气转接块电连接在第一IGBT芯片和第一散热板之间;所述第二IGBT芯片电连接在第一散热板上,所述第二电气转接块电连接在第二IGBT芯片和第二散热板之间。根据本实用新型提供的双面散热功率模块,将两个IGBT芯片电连接在不同的散热板上,不需要设置间隔件,简化了工艺。