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公开(公告)号：CN115346036A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211263896.3
申请日：2022-10-17
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： G06V10/141 , G06V10/40
摘要： 本发明公开了一种覆铜陶瓷基板的照明定位方法，涉及半导体加工，旨在解决覆铜陶瓷基板表面特征识别效果差的问题，其技术方案要点是：利用照明光源照亮被加工工件；CCD相机实时拍摄被加工工件表面图像；从被加工工件表面图像中提取定位特征，并将定位特征与预设的定位参数比较，并实时调整激光加工设备进行动态调整，直至符合设定要求；进行激光加工；照明光源包括白光源、红光源以及蓝光源；所述白光源、红光源以及蓝光源连续交替发光，CCD相机实时提取在白光源、红光源、蓝光源照射下工件的表面图像并进行精准识别，完全提取到工件表面所需要提取的全部特征。本发明的覆铜陶瓷基板的照明定位方式能够高效率准确识别工件表面特征。
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公开(公告)号：CN111785643B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010534880.6
申请日：2020-06-12
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种钛箔化学减薄方法，包括如下步骤：1)钛箔表面除油清洗：待处理钛箔依次在丙酮、无水乙醇、纯水中超声浸洗共计5min‑10min后烘干取出；2)氮化工艺：真空炉抽真空后通入氮气，氮化钛箔表面，氮化温度控制在500℃‑650℃，时间控制在90min‑150min，氮气分压控制在800Pa‑1200Pa，生成金黄色的氮化钛层；3)化学铣切：将经步骤2)处理后的钛箔浸没在化学铣切液中1min‑4min中进行铣切，将金黄色的氮化钛层铣除，该化学铣切液由下述组分组成：体积分数分别为15％～25％的氢氟酸溶液、1％～3％的硝酸溶液、5％～8％的的冰醋酸溶液，余量为纯水；4)表面清洗：铣切后的钛箔依次在丙酮、纯水中浸洗共计5min‑15min。
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公开(公告)号：CN111908924B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010709632.0
申请日：2020-07-22
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622 , C04B37/02
摘要： 本发明涉及一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法，其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步骤：1)改性溶液制备：将粒径为20～20000nm的α‑氮化硅粉末与分散剂加入至溶剂中搅拌均匀，得到α‑氮化硅粉末含量为0.003～0.02g/mL的改性溶液；2)改性瓷片制备：将步骤1)中的改性溶液均匀涂覆在氮化硅瓷片上并在80～220℃条件下烘干。根据上述方法改性后的氮化硅瓷片可直接用于覆铜陶瓷基板的活性钎焊，提高了氮化硅瓷片钎焊时反应活性，进行真空烧结时，能够在瓷片与金属焊片界面层形成更致密的结构，能够提高产品的剥离强度。此外，未反应的α‑氮化硅粉末能够嵌入近瓷界面层中，降低界面层的热膨胀系数，可提高瓷片与界面层在冷热冲击条件下的结合可靠性。
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公开(公告)号：CN115161647B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210819764.8
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善覆铜陶瓷基板焊接后铜面氧化的方法。使用酸洗、水洗、碱洗、水洗、烘干等流程将抗氧化膜去除掉，从而达到覆铜陶瓷基板在客户端焊接后不发生氧化的效果。同时，在酸洗过程中加入改性二氧化硅，防止浓硫酸会对铜板造成侵蚀，影响使用性能。但是不带抗氧化层的覆铜陶瓷基板，会引发铜面色差，在长期运输、湿气接触下，覆铜陶瓷基板会发生氧化等问题，本发明通过N2烘烤流程解决了这个问题，制备得到一种符合生产要求的去除了抗氧化层的覆铜陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN115011952B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210652018.4
申请日：2022-06-10
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种预防陶瓷覆铜基板表面化学镀银漏镀的方法；选用适合的油墨，在将油墨印刷在金属铜箔表面，目的是油墨防护铜箔表面和晶界被药液过腐蚀，待完成相关图形蚀刻等工艺后，再将油墨防护层退除，然后在金属铜箔表面进行化学镀银。这样既防止金属铜箔的晶界被其它工序药水腐蚀，而且还避免晶界中异物和药渍残留。同时在镀液中添加纳米银颗粒，进一步减少晶界漏镀现象的发生，提高镀层致密性，使得镀层表面光滑平整。
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公开(公告)号：CN114990533B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210382094.8
申请日：2022-04-13
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，将ALN陶瓷基板通过化学镀与电镀法相结合，使陶瓷表面金属化来替代磁控溅射薄膜法，使制备的陶瓷基板获得厚度均匀、性能良好的铜层，大幅提高陶瓷基板表面电镀铜结合力，延长陶瓷基板的使用寿命；通过镀前蚀刻粗化陶瓷表面，优化相关工艺参数，解决了陶瓷基板与铜镀层之间的结合力，在高温300‑350℃烘烤5‑10min镀层无起泡脱皮；采用简便、环保的方法制备2,2',6,6'‑四羧基‑4,4'‑联吡啶，通过限定络合剂加入化学镀铜液的成分及含量，得到高效的化学镀铜液，有效提高种子层的导电能力，提高化学镀铜层的镀层厚度及均匀性，大幅提高电解镀铜的效率与速度，提升陶瓷基板与铜层的结合能力。
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公开(公告)号：CN114340147B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210035458.5
申请日：2022-01-13
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板及其制作方法，包括以下步骤：S1.制备好图形化的覆铜陶瓷模板；S2.使用高精度点胶机对陶瓷模板上的凹槽进行预填充；S3.使用菲林片对母板进行曝光胶连、烘烤固化并进行显影复烘；S4.对母板进行镀层处理，激光切割后得成品。本发明公开的一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板及其制作方法采用预填充的方式将母板上的凹槽预填充不小于凹槽体积的80％，以此避免在后续芯片封装时由于凹槽存在，绝缘材料无法将凹槽填满致使高功率元件出现局部放电的问题，且本发明还通过对陶瓷覆铜母板预加热的方式进一步提升了预填充胶体在凹槽内的分散分布问题，在相关半导体领域有着广阔的应用空间。
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公开(公告)号：CN115595535A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211602440.5
申请日：2022-12-14
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司(CN)
摘要： 本发明公开了一种提高氮化铝覆铝陶瓷基板耐热循环可靠性的方法，涉及半导体加工领域，旨在解决氮化铝覆铝陶瓷基板耐热性能不够的问题，其技术方案要点是：一种提高氮化铝覆铝陶瓷基板耐热循环可靠性的方法，包括以下步骤：1）表面溅射镀钛：取氮化铝覆铝陶瓷基板进行表面清洗，然后镀钛，得到纳米级钛层的氮化铝覆铝陶瓷基板，镀钛层厚度为50‑100nm；2）激光强化：取步骤1中具有纳米级钛层氮化铝覆铝陶瓷基板进行激光强化处理；3）表面处理：取步骤2中处理后的氮化铝覆铝陶瓷基板进行表面处理。本发明的一种提高氮化铝覆铝陶瓷基板耐热循环可靠性的方法能够有效提升基板的耐热循环性能。
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公开(公告)号：CN113213972B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110494468.0
申请日：2021-05-07
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域。一种氮化铝覆铝陶瓷衬板的制备方法，包括以下步骤：步骤一：氮化铝陶瓷表面改性层制备，制备表面改性溶液，将氮化铝陶瓷浸入到表面改性溶液中，充分润湿后烘干；步骤二：表面改性层固化，将氮化铝陶瓷置于马弗炉中烘烤，在氮化铝陶瓷表面形成均匀的固化改性层；步骤三：钎焊焊接，铝合金金属浆料制备，将浆料涂覆在具有固化改性层的氮化铝陶瓷上，烘干，再与高纯铝箔进行钎焊焊接，制备氮化铝覆铝陶瓷衬板。本发明克服了低温铝钎焊与氮化铝陶瓷润湿不良的难题，采用钎焊烧结成型，保持高纯铝面成分纯度，可以大大降低制造成本，且良率高，易于操作，易于成型，可批量生产。
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公开(公告)号：CN111751177B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010512898.6
申请日：2020-06-08
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种覆铜陶瓷基板拉力测试样品制备方法，包括如下步骤：A、铜条预制：铜片前处理后进行贴膜和曝光，过DES线(显影、蚀刻和退膜)后，切割包装备用，其中，曝光过程中采用定制条形菲林；B、瓷条预制：瓷片表面除油及表面粗化后，沿平行于瓷片短边方向进行切割；C、铜瓷条装夹：将铜条和瓷条以一定比例对应，进行产品烧结，出炉后得到覆铜陶瓷基板拉力测试样品。通过预制工艺节约铜片、瓷片、干膜等用材量，显著降低了材料成本，并降低了设备的损耗，可快速检测样品的剥离强度，缩短产品交付周期，同时显著降低了每样耗时，节约了大量人工成本。
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