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公开(公告)号：CN109036276A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811115528.8
申请日：2018-09-25
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
IPC分类号： G09G3/3208
CPC分类号： G09G3/3208
摘要： 本发明提供一种Micro‑OLED微型显示器驱动电路，包括信号源模块、与所述信号源模块电性连接的FPGA((Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)模块、Micro‑OLED模块以及用于分别给FPGA模块和Micro‑OLED模块提供所需电压的电源模块；所述信号源模块提供图像视频信号给FPGA模块，该FPGA模块对图像视频信号进行解码编码处理，然后传输数据信息到Micro‑OLED模块部位进行视频显示；所述信号源模块包括MIPI信号、HDMI信号、LVDS信号或EDP信号，本电子电路利用FPGA技术方案既实现多种信号源的转换，又实现Micro‑OLED微型显示器的初始化数据以及上下电时序管理以驱动Micro‑OLED显示，硬件成本低，电路结构简单，且可大大减少电路驱动板(PCB)的面积，更利于产品做得小型化、轻薄化。
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公开(公告)号：CN118879160A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410913380.1
申请日：2024-07-09
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
IPC分类号： C09D163/02 , C09D7/61 , C09D7/80 , H01G4/018 , H01G4/14
摘要： 一种聚合物介电材料的制作方法，包括：提供无机填料、基体材料、第一助剂、第二助剂和溶剂；将无机填料、第一助剂溶解在溶剂中，混合均匀形成第一混合液；将基体材料、第二助剂溶解在溶剂中，混合均匀形成第二混合液；将第一混合液与第二混合液以1：1～60：1的重量比混合均匀，形成具有高介电常数、低介电损耗和储存时间长的聚合物介电材料。本申请还涉及一种使用上述聚合物介电材料的芯片电容材料及其制作方法。
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公开(公告)号：CN111822236B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010486413.0
申请日：2020-06-01
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种胶黏剂涂布装置及平面电容的制作方法，胶黏剂涂布装置，包括供胶料仓、涂胶器以及传送装置，供胶料仓与涂胶器相连接，供胶料仓用于储存胶黏剂，传送装置用于传送金属薄膜，涂胶器用于将供胶料仓中的胶黏剂涂布至金属薄膜的表面上。通过涂胶器将胶黏剂涂布至金属薄膜的表面上，保证金属薄膜表面上的胶黏剂厚度均匀，使平面电容中的介质层厚度均匀性，将波动误差控制在±10％以内，进而减少介质层的“尖端放电”，最终提高平面电容的耐压性。
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公开(公告)号：CN111799091B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010485614.9
申请日：2020-06-01
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种无分层无皱褶的平面电容的制作方法，所述制作方法包括：制作用于形成介质层的介质层浆料；将介质层浆料涂布在第一金属箔材的表面上，对介质层浆料进行干燥处理，使第一金属箔材的表面上形成介质层；将附着有介质层的第一金属箔材与第二金属箔材进行覆合，第一金属箔材附着有介质层的表面朝向第二金属箔材并进行覆合，得到平面电容；将平面电容以第一金属箔材为内侧、第二金属箔材为外侧的方式进行收卷。覆合的第二面箔材在收卷时的受力状态由原来在内圈的“支撑”变更为外圈的“贴附”作用，以使收卷后的平面电容平整无分层无皱褶，避免因收卷不良问题导致介质层被破坏，充分保证涂布介质层的性能。
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公开(公告)号：CN111834133A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010485615.3
申请日：2020-06-01
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种平面电容的熟化装置及熟化方法，所述熟化装置包括吹风装置以及位于吹风装置下方的托板，托板上具有多个通孔，托板用于承载由平面电容卷曲形成的收卷电容，吹风装置用于向托板进行吹热风并对平面电容进行加热。通过将平面电容放置与托板上，用吹风装置对平面电容进行吹风加热，使平面电容中的溶剂等其他成分挥发出来，并随着热风快速扩散，避免溶剂累积在平面电容的金属箔材表面，防止在高温作用下形成印痕类表观，实现了平面电容表面无挥发份印痕、内部无应力以及无孔洞微气泡等效果。
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公开(公告)号：CN111524705A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010355691.2
申请日：2020-04-29
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
摘要： 一种堆叠结构的平面电容，包括多层平面电极和多层介质层，多层平面电极相互间隔设置，且相邻两平面电极之间连接介质层形成子电容，多层平面电极与多层介质层相互堆叠形成多个并联的子电容。本发明的堆叠结构的平面电容的电容密度高，面积大，既能保证堆叠结构的平面电容柔软特性，还能降低生产工艺难度，有利于降低生产成本。本发明还涉及一种平面电容的制作方法。
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公开(公告)号：CN110818925A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910974990.1
申请日：2019-10-14
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
摘要： 本发明提供一种耐高压聚合物介电材料及其制备方法，通过在有机聚合物/钛酸钡的二元体系中引入云母，形成有机聚合物/钛酸钡/云母的三元体系，将片状云母穿插到聚合物基体中，使得钛酸钡粉料在有机聚合物基体中分散均匀，并被云母隔离，避免形成导电通路，防止热击穿，从而有效提高产品的耐压性能。
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公开(公告)号：CN110752093A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910971755.9
申请日：2019-10-10
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
IPC分类号： H01G4/14 , H01G4/33 , C08L33/12 , C08L25/14 , C08L33/20 , C08L33/10 , C08L33/08 , C08K3/24 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F220/06 , C08F212/08 , C08F220/44 , C08F222/06 , C08F220/56 , C08F220/20 , C08F220/46
摘要： 本发明公开了一种柔性薄膜电容材料及其制备方法，按照重量百分比计，柔性薄膜电容材料包括25～40wt％丙烯酸树脂、1～5wt％固化剂以及55～75wt％高介电常数填料，其中，丙烯酸树脂由40～60wt％硬单体、35～50wt％软单体以及1～10wt％功能单体的自由基聚合而成，且丙烯酸树脂的Tg值在50℃～80℃之间，功能单体用于提高丙烯酸树脂与高介电常数填料的结合力。本发明通过使用特殊设计的聚合物提高柔性薄膜电容材料的强度和韧性。从而使得制备的柔性薄膜电容材料可以在埋容前进行双面蚀刻，介电材料能够耐受蚀刻时冲洗水压而不会被破坏。解决目前分步双面蚀刻存在工艺效率低，在搬运和卸放料过程中容易产生弯曲折皱等问题。
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公开(公告)号：CN110684222A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910975004.4
申请日：2019-10-14
申请人： 深圳市峰泳科技有限公司
摘要： 本发明提供一种聚合物基介电复合材料及其制备方法，该方法采用溶液共混方法制备有机-无机复合浆料，使得浆料中的有机相为环氧树脂预聚物，本身含有极性基团，催化剂的选择促进固化过程中羟基的生成，由此使得环氧树脂的介电常数提高到5以上。相比于现有技术，本发明只需要添加较少量的无机填料，即可使得制备得到的聚合物基介电复合材料具备同等的介电常数。
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