三维毛细血管网络生物芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN105754857A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610246406.7

    申请日:2016-04-20

    CPC classification number: C12M23/16 C12M25/10

    Abstract: 一种三维毛细血管网络生物芯片的制造方法,包括以下步骤:将高分子水凝胶利用3D生物打印机制成模拟毛细血管的牺牲性三维网络支架;在所述支架周围及构成该支架的水凝胶线之间填充可固化的液态生物相容性高分子材料;待所述液态生物相容性高分子材料固化后,去除所述支架,得到具有中空毛细管网络的微流控芯片;在所述微流控芯片的毛细管网络中种植内皮细胞;培养所述内皮细胞使其贴壁生长内皮化成为毛细血管,从而将所述微流控芯片制成三维毛细血管网络生物芯片。本发明生物芯片制造方法具有工艺简单,成本低等特点。

    一种基于Mie谐振的光开关实现方法

    公开(公告)号:CN104579278A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410743714.1

    申请日:2014-12-08

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 周济 刘晓明 赵乾

    Abstract: 本发明涉及一种基于Mie谐振的光开关实现方法,其包括以下过程:1)制作一Mie谐振光开关器件,具体是:选择一固体基质,固体基质上周期性阵列嵌设有若干高介电陶瓷颗粒,高介电陶瓷颗粒是指介电常数大于80的陶瓷颗粒;2)根据所要调控的Mie谐振光开关器件的工作频率,选择传播方向相互垂直的信号电磁波和调制电磁波同时照射Mie谐振光开关器件,信号电磁波使高介电陶瓷颗粒产生磁谐振,调制电磁波使高介电陶瓷颗粒产生电谐振,磁谐振和电谐振的相互作用使信号电磁波能够穿过高介电陶瓷颗粒,即Mie谐振光开关器件由关闭状态转为导通状态;其中,信号电磁波和调制电磁波的频率与所要调控的Mie谐振光开关器件的工作频率相同。本发明可以广泛用于全光信号处理中。

    一种基于金属结构LC谐振器的超材料谐振子及其应用

    公开(公告)号:CN104538721A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410852380.1

    申请日:2014-12-31

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 周济 郭云胜

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属结构LC谐振器的超材料谐振子及其应用。该超材料谐振子为导电金属材料本体;所述本体具有一缺口。该超材料谐振子的电感L部分由所述导电金属材料构成,电容C部分由缺口构成,且电感L的两个端面作为电容C部分的电极。所述缺口的形状为任意形状。基于金属结构LC谐振器的超材料谐振子在微波器件中的应用个数至少为一个。本发明通过超材料谐振子的引入,实现了各种微波器件(如滤波器、耦合器、多工器等)的小型化和集成化,同时也提高了微波器件的传输效率。

    一种基于介质谐振器的超材料谐振子及其应用

    公开(公告)号:CN104485502A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410850817.8

    申请日:2014-12-31

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 周济 郭云胜

    Abstract: 本发明公开了一种基于介质谐振器的超材料谐振子及其应用。该超材料谐振子为由陶瓷颗粒构成。所述超材料谐振子的形状为立方体或球体。所述陶瓷颗粒为钛酸钙颗粒或钛酸锶颗粒。所述陶瓷颗粒的粒径为1μm-2μm,介电常数为1-10000,介电损耗角正切低于0.1。本发明通过超材料谐振子的引入,实现了各种微波器件(如滤波器、耦合器、多工器等)的小型化和集成化,同时也提高了微波器件的传输效率。

    用于可调带阻滤波器的铁氧体基超材料及其应用

    公开(公告)号:CN104409818A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410718264.0

    申请日:2014-12-01

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 周济 毕科

    Abstract: 本发明公开了一种用于可调带阻滤波器的铁氧体基超材料及其应用。该铁氧体基超材料,由单根铁氧体棒构成的结构单元周期性排列而成;且相邻两个结构单元之间的间距相同,且均小于电磁波的波长;单根铁氧体棒的磁化方向为平行于棒的长度方向;铁氧体棒的长度方向垂直于电磁波的传播方向且平行于电磁波的电场分量;所述周期性排列具体为矩阵式排列。通过改变外加偏置磁场、铁氧体的磁晶各向异性场、形状退磁场和饱和磁化强度等参数可以调节铁氧体基超材料的负有效磁导率频域,进而控制禁带出现的频域,可应用在可调带阻滤波器等方面。

    一种光频本征型超常电磁介质材料及其制备与应用方法

    公开(公告)号:CN102931494A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210448762.9

    申请日:2012-11-10

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于电磁介质材料技术领域,特别涉及一种光频本征型超常电磁介质材料及其制备与应用方法。本发明以透明光学晶体为基质晶体,以三价稀土离子为掺杂离子,将两种稀土离子均匀掺杂在基质晶体中获得光频本征型超常电磁介质材料;利用所选则的两种稀土离子同一波长处的电偶极跃迁和磁偶极跃迁同时实现负介电常数和负磁导率,从而实现负折射率;电磁共振跃迁的激发波长由选所择的稀土离子的能级结构决定,处于300 nm~2000 nm的波长范围内。本发明可以在很大程度上简化材料制备工艺,实现光频的超常电磁响应,甚至可以获得负折射性质。

    基于负介电常数介质的无绕线感抗元件

    公开(公告)号:CN1933061A

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN200610112858.2

    申请日:2006-09-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及基于负介电常数介质的无绕线感抗元件,属于电子元件技术领域。其特征在于:所述感抗元件由具有一定几何形状的工作介质和两个端电极构成,它由在一定频段具有负介电常数的电介质作为工作介质,且该感抗元件在特定频率下对交流信号产生感抗。所述感抗元件具有与常规陶瓷电容器相同的结构。所述感抗元件的材料介电常数为负值的频段可在100KHz~5000MHz的范围内选择。所述感抗元件是在工作介质相对的两个面上喷涂银层,然后烧成银质薄膜做极板。由于本发明提出的元件具有陶瓷电容器的结构,并且负介电常数介质对交流信号给出的响应与普通电容在位相上相差180°,所形成的阻抗为感抗,因此,它是一种无绕线结构的感抗元件。

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