公开(公告)号：CN107565017B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201710611789.8

申请日：2017-07-25

申请人： 湖北大学

发明人： 王浩 ,  何玉立 ,  马国坤 ,  刘春雷 ,  蔡恒梅 ,  陈傲

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明提出了一种基于卤化亚锡的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，用FTO、或ITO、或ZTO作为基片和底电极，卤化亚锡薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化亚锡，它具有成分简单、易于成膜、性能稳定的特点。以卤化亚锡作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。

公开(公告)号：CN107565017A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710611789.8

申请日：2017-07-25

申请人： 湖北大学

发明人： 王浩 ,  何玉立 ,  马国坤 ,  刘春雷 ,  蔡恒梅 ,  陈傲

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明提出了一种基于卤化亚锡的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，用FTO、或ITO、或ZTO作为基片和底电极，卤化亚锡薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化亚锡，它具有成分简单、易于成膜、性能稳定的特点。以卤化亚锡作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。

公开(公告)号：CN208078024U

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201820713577.0

申请日：2018-05-14

申请人： 湖北大学

发明人： 马国坤 ,  何玉立 ,  王浩 ,  陈钦 ,  陈傲 ,  刘春雷

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本实用新型公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本实用新型的互补型阻变存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极。本实用新型的阻变存储器元件具有非常简单的“金属/介质/金属”的“三明治”结构，大大简化了互补型阻变存储器件的结构。另外，本实用新型通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能，能有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题。本实用新型的互补型存储器性能稳定、可微缩性好，在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208078025U

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201820727748.5

申请日：2018-05-14

申请人： 湖北大学

发明人： 王浩 ,  何玉立 ,  马国坤 ,  刘春雷 ,  陈傲 ,  陈钦

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本实用新型公开了一种基于GeTe的双功能器件，所述器件包括三层结构：顶电极、薄膜介质层和底电极。所述顶电极为W；所述薄膜介质层为GeTe薄膜；所述底电极的材料为选自ITO、FTO、ZTO、TaN或者TiN中的任一种。本实用新型通过控制操作电流的大小使GeTe薄膜介质层发生不同的阻态切换从而实现常规阻变功能或互补型阻变功能。另外，本实用新型提出的双功能器件的常规阻变功能可用作常规记忆存储元件，互补型阻变功能可以有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，通过合理地控制操作电流的大小，将两种功能相互转换，大大提高了器件的应用范围。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208127244U

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201820359199.0

申请日：2018-03-16

申请人： 湖北大学

发明人： 王浩 ,  陈钦 ,  陈傲 ,  马国坤 ,  何玉立

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本实用新型涉及一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件。本实用新型的1S1R器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆阻变层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为100～300nm，所述阻变层的厚度为15～30nm，所述转换层的厚度为30～80nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm。本实用新型采用氧化锆作为阻变层，氧化铌选通管作为转换层，制得的基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件具有较大的非线性值，能够有效减小漏电流、可实现十字交叉阵列的高密度集成，因此非常具有发展潜力和应用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208127213U

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201820359115.3

申请日：2018-03-16

申请人： 湖北大学

发明人： 马国坤 ,  陈傲 ,  王浩 ,  何玉立 ,  陈钦

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

摘要： 本实用新型涉及一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件。本实用新型的选通器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆隧穿层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层的厚度为1～5nm，所述转换层的厚度为30～100nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm。本实用新型在氧化铌转换层和底电极层之间增加了一层超薄的氧化锆隧穿层，氧化锆隧穿层有效减小了器件的操作电流和操作电压，可显著降低器件的使用功耗，增加高阻态电阻值，提升非线性度，因此，本实用新型制得的选通器件非线性值高，非常具有发展潜力和应用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利