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公开(公告)号：CN108666419B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810458251.2
申请日：2018-05-14
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器及其制备方法，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本发明的互补型阻变存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极，其中，所述底层导电电极，GeTe薄膜介质层，顶层导电电极都是通过磁控溅射的方法制备得到的。本发明通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能。本发明提出的存储器有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，具有制备方法简单、成本低廉、性能稳定、可微缩性好等特点，在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN106622289A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610996107.5
申请日：2016-11-11
申请人： 湖北大学
CPC分类号： B01J27/04 , B01J35/004 , B82Y30/00 , C01B3/02
摘要： 本发明提供了一种CdZnS量子点与碳点复合的纳米材料及其制备方法与应用，所述纳米材料是若干个直径4‑8纳米的CdZnS量子点均匀分散负载在碳点上构成的纳米颗粒，利用硫化物前驱体与含有碳点的分散液均匀混合，通过溶剂热法制得，制备工艺简单，易操控，所得纳米材料性质稳定、成本低廉，可作为光催化剂，纳米颗粒中的CdZnS量子点均匀负载在碳点上，既降低了CdZnS量子点的团聚，可提升物质产氢过程的稳定性，提高产氢效率。
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公开(公告)号：CN106622289B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610996107.5
申请日：2016-11-11
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种CdZnS量子点与碳点复合的纳米材料及其制备方法与应用，所述纳米材料是若干个直径4‑8纳米的CdZnS量子点均匀分散负载在碳点上构成的纳米颗粒，利用硫化物前驱体与含有碳点的分散液均匀混合，通过溶剂热法制得，制备工艺简单，易操控，所得纳米材料性质稳定、成本低廉，可作为光催化剂，纳米颗粒中的CdZnS量子点均匀负载在碳点上，既降低了CdZnS量子点的团聚，可提升物质产氢过程的稳定性，提高产氢效率。
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公开(公告)号：CN108400238A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810457611.7
申请日：2018-05-14
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于GeTe的双功能器件及其制备方法，所述器件包括三层结构：顶电极、薄膜介质层和底电极。所述顶电极为W；所述薄膜介质层为GeTe薄膜；所述底电极的材料为选自ITO、FTO、ZTO、TaN或者TiN中的任一种。所述顶电极，薄膜介质层，底电极都是通过磁控溅射的方法制备。通过控制操作电流的大小使GeTe薄膜介质层发生不同的阻态切换从而实现常规阻变功能或互补型阻变功能。本发明提出的双功能器件的常规阻变功能可用作常规记忆存储元件，互补型阻变功能可以有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，通过合理地控制操作电流的大小，将两种功能相互转换，大大了提高器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN108400238B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810457611.7
申请日：2018-05-14
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于GeTe的双功能器件及其制备方法，所述器件包括三层结构：顶电极、薄膜介质层和底电极。所述顶电极为W；所述薄膜介质层为GeTe薄膜；所述底电极的材料为选自ITO、FTO、ZTO、TaN或者TiN中的任一种。所述顶电极，薄膜介质层，底电极都是通过磁控溅射的方法制备。通过控制操作电流的大小使GeTe薄膜介质层发生不同的阻态切换从而实现常规阻变功能或互补型阻变功能。本发明提出的双功能器件的常规阻变功能可用作常规记忆存储元件，互补型阻变功能可以有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，通过合理地控制操作电流的大小，将两种功能相互转换，大大了提高器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN108666419A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810458251.2
申请日：2018-05-14
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器及其制备方法，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本发明的互补型阻变存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极，其中，所述底层导电电极，GeTe薄膜介质层，顶层导电电极都是通过磁控溅射的方法制备得到的。本发明通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能。本发明提出的存储器有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，具有制备方法简单、成本低廉、性能稳定、可微缩性好等特点，在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN107565017B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710611789.8
申请日：2017-07-25
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提出了一种基于卤化亚锡的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，用FTO、或ITO、或ZTO作为基片和底电极，卤化亚锡薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化亚锡，它具有成分简单、易于成膜、性能稳定的特点。以卤化亚锡作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN107565017A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710611789.8
申请日：2017-07-25
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提出了一种基于卤化亚锡的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，用FTO、或ITO、或ZTO作为基片和底电极，卤化亚锡薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化亚锡，它具有成分简单、易于成膜、性能稳定的特点。以卤化亚锡作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN208078024U
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201820713577.0
申请日：2018-05-14
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本实用新型公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本实用新型的互补型阻变存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极。本实用新型的阻变存储器元件具有非常简单的“金属/介质/金属”的“三明治”结构，大大简化了互补型阻变存储器件的结构。另外，本实用新型通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能，能有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题。本实用新型的互补型存储器性能稳定、可微缩性好，在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208078025U
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201820727748.5
申请日：2018-05-14
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本实用新型公开了一种基于GeTe的双功能器件，所述器件包括三层结构：顶电极、薄膜介质层和底电极。所述顶电极为W；所述薄膜介质层为GeTe薄膜；所述底电极的材料为选自ITO、FTO、ZTO、TaN或者TiN中的任一种。本实用新型通过控制操作电流的大小使GeTe薄膜介质层发生不同的阻态切换从而实现常规阻变功能或互补型阻变功能。另外，本实用新型提出的双功能器件的常规阻变功能可用作常规记忆存储元件，互补型阻变功能可以有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，通过合理地控制操作电流的大小，将两种功能相互转换，大大提高了器件的应用范围。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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